孙兵 - 中国科学院大学

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学招生方向射频微波器件与电路集成技术教育背景 2005-09--2010-07 北京大学硕博连读，博士 2001-09--2005-07 南京大学本科，学士工作简历 2014-12~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员 2010-07~2014-11,中国科学院微电子研究所, 助理研究员专利成果（ 1 ）一种纳米线衬底结构及其制备方法, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201310670650.2 科研项目（ 1 ）碳基/硅基CMOS 电路的混合集成, 主持, 国家级, 2016-07--2021-06 参与会议（1）100-nm Gate-Length GaAs mHEMTsUsing Si-doped InP/InAlAs Schottky Layers and Atomic Layer Deposition Al2O3 Passivation with fmax of 388.2 GHz 2016-05-09

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（1） ALD Al2O3 passivationofLg= 100 nm metamorphic InAlAs/ InGaAs HEMTs with Si-doped Schottky layers on GaAs substrates, Solid State Electronics, 2017, 第 1 作者