陆江 - 中国科学院微电子研究所 -

个人简介

教育背景 2009~2013年，中国科学院大学，微电子与固体电子学专业，博士 2001~2004年，兰州大学，物理科学与技术学院，微电子与固体电子学专业，硕士 1997~2001年，兰州大学，物理科学与技术学院，微电子与固体电子学专业，学士工作简历 2010年至今，中国科学院微电子研究所副研究员 2014.8-2015.8：美国伊利诺伊理工大学（IIT）访问学者 2004-2010：中科院微电子研究所助理研究员

研究领域

硅基功率器件、宽禁带SiC功率器件的可靠性设计及优化研究、功率半导体器件测试分析；硅基霍尔集成电路传感器设计

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1)JiangLu*,HainanLiu,XiaowuCai,etal.Single-eventburnouthardeningofplanarpowerMOSFETwithpartiallywidenedtrenchsource.J.Semiconductor,2018,39(3):034003. 2)QiaoQunYu,JiangLu*,HainanLiu,etal.SuperjunctionnanoscalepartiallynarrowmesaIGBTtowardssuperiorperformance.Chin.Phys.B,2017,26(3):038502. 3)JiangLu*,HainanLiu,JiajunLuo,etal.,"Improvedsingle-eventhardnessoftrenchpowerMOSFETwithawidenedsplitgate,"in201616thEuropeanConferenceonRadiationandItsEffectsonComponentsandSystems(RADECS),2016,pp.1-5. 4)JiangLu*,Hainan,Liu,Jiajun,Luo,etal."StudyofRBSOAreliabilityofnanoscalePartiallyNarrowMesaIGBT(PNM-IGBT),"in201613thIEEEInternationalConferenceonSolid-StateandIntegratedCircuitTechnology(ICSICT),2016,pp.1077-1079. 5)LuJiang,TianXiaoli,LuShuojin,etal.DynamicavalanchebehaviorofpowerMOSFETsandIGBTsunderunclampedinductiveswitchingconditions.JournalofSemiconductors,2013. 6)TianXiaoli,LuJiang,TengYuan,etal.Backsideoptimizationforimprovingavalanchebreakdownbehaviorof4.5kVIGBT.JournalofSemiconductors,2015 7)TianXiaoli,ChuWeili,LuJiang,etal.Anoveloptimizationdesignfor3.3kVinjection-enhancedgatetransistor.JournalofSemiconductors,2014 8)杨尊松,王立新,肖超,宋李梅,罗小梦,李彬鸿,陆江,孙博韬.MOS栅氧的界面特性和辐照特性研究.微电子学,2017,47(2) 9)杨尊松,王立新,肖超,陆江,李彬鸿.瞬态电压抑制二极管的概述和展望.电子设计工程，2016. 10)刘文啟，朱阳军，陆江.低功耗霍尔电压放大器.传感器世界,2012 11)喻巧群，陆江，田晓丽等.IGBT器件的短路特性优化设计研究.2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会论文集. 12)张浩，王立新，陆江等.基于功率MOS线性高压放大器设计.现代电子技术,2010 13)陆江，王立新.BiCMOS霍尔传感器技术及应用原理.传感器世界,2008 14)王立新，廖太仪，陆江.低压条形栅功率场效应晶体管的研制.半导体学报,2006 15)陆江，一种线性霍尔效应传感器的电路改进；2005第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会出版译著： 1)韩郑生，陆江等，功率半导体器件基础(译著），电子工业出版社，1095千字，2013.02