卜建辉 - 中国科学院大学

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学招生方向高可靠性器件与集成技术教育背景 2006-09--2011-07 中国科学院微电子研究所博士 2002-09--2006-07 西安交通大学学士工作经历 2016-03~至今,中国科学院微电子研究所, 副研究员 2013.11~至今,中国科学院微电子研究所,硅器件中心模型部部长 2011-07~2016-03,中国科学院微电子研究所, 助理研究员专利成果（ 1 ）一种SOI体电阻建模方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201010217274.8 （ 2 ）一种SOI NMOS总剂量辐照提参建模方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201010251985.7 （ 3 ） SOI MOS器件的建模方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201210248270.5 （ 4 ）一种PN结结深测试方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201210212571.2 （ 5 ）一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法, 发明, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201010157559.7 （ 6 ）一种环形振荡器测试系统, 实用新型, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201320833795.5 （ 7 ） MOS器件的建模方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201210212516.3 （ 8 ） MOS器件的建模方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201210123082.X （ 9 ） SOI H型MOS器件的建模方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201210536882.4 （ 10 ）一种SOI MOSFET的热阻提取方法, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201310339890.4 （ 11 ）一种BTS型栅SOI器件的建模方法, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201410167764.X （ 12 ）一种H型栅SOI器件的建模方法, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201410163198.5 （ 13 ） SOI MOS器件的建模方法, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: PCT/CN2012/081781 （ 14 ） MOS器件的STI应力效应建模方法及装置, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201410040388.8 （ 15 ）一种电路器件版图, 实用新型, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201621086618.5 （ 16 ）一种MOSVAR的建模方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201510425236.4 （ 17 ）一种SOI基的PN结建模方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201510580438.6 （ 18 ）一种验证后仿真提取文件正确性的方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201510605490.2 （ 19 ）一种SOI MOSFET器件的建模方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201510303560.9 （ 20 ）一种限制器件模型适用温度范围的方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201510351261.2 （ 21 ） MOS器件的STI应力效应建模方法及装置, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: PCT/CN2014/076252 （ 22 ）一种分立器件的版图比对原理图验证方法及装置, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201610166646.6 （ 23 ）一种热阻获取方法, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201610632860.6 （ 24 ）一种SOI MOS器件的热阻提取方法, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201710021085.5 （ 25 ）一种包含自加热效应的SOI电阻建模方法及装置, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201610857675.7 （ 26 ）用于MOSFET器件模型参数提取的方法及装置, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201710272323.X 科研项目（ 1 ） XXX器件模型研究, 主持, 部委级, 2016-01--2018-12 （ 2 ） XXXSOI工艺研究, 参与, 国家级, 2017-03--2019-12 （ 3 ）耐高温器件机理及实现关键技术, 主持, 研究所（学校）, 2017-10--2019-09 （ 4 ） XXXSOI技术研究, 主持, 部委级, 2019-01--2020-12 （ 5 ）典型电路模块元器件电离总剂量效应数字化设计, 主持, 研究所（学校）, 2018-07--2019-03 （ 6 ）超低温环境典型元器件失效机理及特性评价技术研究, 主持, 国家级, 2019-01--2020-12 （ 7 ）可调控XXXSOI技术研究, 主持, 部委级, 2019-07--2022-06 （ 8 ）青促会, 主持, 部委级, 2020-01--2023-12 参与会议（1）A Transient Ionizing Radiation Spice Model for PDSOI MOSFET 2019-06-20 （2）A low leakage current Tunneling-FET based on SOI 2018-10-16

研究领域

半导体器件模型与参数提取、半导体器件可靠性

近期论文

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（1） Physics-Based Device-Circuit Cooptimization Scheme for 7-nm Technology Node SRAM Design and Beyond, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020-03, 第 6 作者（2） A transient ionizing radiation SPICE model for PDSOI MOSFET, Microw Opt Technol Lett., 2020-01, 通讯作者（3） Study on the Thermal Conductivity Characteristics for Ultra-Thin Body FD SOI MOSFETs Based on Phonon Scattering Mechanisms, materials, 2019-12, 通讯作者（4）一种新型隧穿晶体管, 半导体技术, 2019, 第 1 作者（5） A low leakage current Tunneling-FET based on SOI, S3S, 2018, 第 1 作者（6） Total dose effects on 28nm FD-SOI CMOS transistors, S3S, 2018, 通讯作者（7） Modeling the threshold voltage variation induced by channel random dopant, JJAP, 2018, 通讯作者（8） Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs, Microelectronics Reliability, 2018, 第 8 作者（9） A Simulation Modelfor the PN Junction Based on SOI, ICSICT, 2016, 第 1 作者（10） Analysis and optimization of Tunneling-FET based onSOI, ICSICT, 2016, 第 2 作者（11） The STI stress effect on deep submicron PDSOI MOSFETs, 半导体学报, 2014, 第 1 作者（12） A simulation model for PDSOI MOSFETs, ICSICT, 2014, 第 1 作者

学术兼职

2010-10-01-今,IEEE会员, 2008-05-04-2017-05-04,中国科学院微电子所团委委员