个人简介
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080901-物理电子学
招生方向
FinFET, Nanowire FET, 新原理低功耗CMOS架构与关键技术
低维介观系统中电荷/自旋量子输运特性
深度学习方法与半导体器件TCAD仿真
教育背景
2006-09--2011-07 中国科学院半导体研究所 博士
2002-09--2006-07 南京大学 学士
获奖及荣誉
2016年度，中国科学院率先行动****“青年俊才”项目。
2016年度，张家港市第四批领军人才“重点推荐特别优秀项目”。
奖励信息
（1） 中国科学院大学优秀本科生指导教师, 研究所（学校）, 2019
发表著作
（1） <科学>杂志精选论文, 科学出版社, 2008-05, 第 5 作者
专利成果
（ 1 ） Semiconductor devices having tapered active regions, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: 9,634,092
（ 2 ） Semiconductor devices including field effect transistors and methods of forming the same, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: 9,679,975
（ 3 ） 一种垂直腔面激光器及其制作方法, 发明, 2017, 第 5 作者, 专利号: CN106654856A
科研项目
（ 1 ） 高迁移率二维料铟硒及其异质结构的物性、量子输运性质调控和器件应用研究, 主持, 国家级, 2018-01--2021-12
（ 2 ） 半导体二维原子晶体材料的制备与器件特性, 参与, 国家级, 2016-07--2021-06
（ 3 ） 亚10纳米工艺节点CMOS架构材料可行性方案的探索研究, 主持, 市地级, 2016-06--2018-12
（ 4 ） 新型二维材料纳米微结构中电荷输运的介观调控, 主持, 市地级, 2016-06--2017-07
（ 5 ） 亚10纳米工艺节点CMOS path finding PDK 先导研究, 主持, 部委级, 2016-06--2018-12
（ 6 ） 10纳米 FinFET path finding 研究, 主持, 国家级, 2016-06--2020-12
（ 7 ） 亚5纳米工艺节点超低功耗高性能半导体器件探索研究, 主持, 部委级, 2019-09--2021-08
（ 8 ） 超陡亚阈值摆幅低功耗新原理器件, 主持, 省级, 2018-08--2019-08
（ 9 ） 超薄ZrO2栅介质NC-FinFET及其可靠性研究, 参与, 国家级, 2020-01--2023-12
（ 10 ） 先进工艺节点器件与单元电路协同优化研究, 主持, 部委级, 2018-12--2021-06
（ 11 ） 集成电路核心器件先进仿真方法和TCAD工具研究, 主持, 部委级, 2021-01--2023-12
近期论文
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（1） Spin–flip manipulation in HgTe_CdTe heterostructure interface states with Rashba and Dresselhuas spin–orbit interactions, Physica E, 2021, 通讯作者
（2） Electronic and optical properties of the edge states in phosphorene quantum rings, Applied Surface Science, 2021, 第 3 作者
（3） Quantum Dot With a Diamond-Shaped Channel MOSFET on a Bulk Si Substrate, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 第 2 作者
（4） Optimization of zero-level interlayer dielectric materials for gate-all-around silicon nanowire channel fabrication in a replacement metal gate process, Materials Science in Semiconductor Processing, 2021, 其他（合作组作者）
（5） Cryogenic Transport Characteristics of P-Type Gate-All-Around Silicon Nanowire MOSFETs, Nanomaterials, 2021, 第 3 作者
（6） Endurance Characteristics of Negative Capacitance FinFETs With Negligible Hysteresis, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2021, 第 10 作者
（7） Ultrawide bandwidth and sensitive electro-optic modulator based on a graphene nanoelectromechanical system with superlubricity, Carbon, 2021, 通讯作者
（8） Ab-Initio Simulations of Monolayer InSe and MoS2 Strain Effect: From Electron Mobility to Photoelectric Effect, Journal of ELECTRONIC MATERIALS, 2020, 通讯作者
（9） Vertical Sandwich Gate-All-Around Field-Effect Transistors With Self-Aligned High-k Metal Gates and Small Effective-Gate-Length Variation, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2020, 其他（合作组作者）
（10） Tunable anisotropic behaviors in phosphorene under periodic potentials in arbitrary directions, Nanotechnology, 2020, 通讯作者
（11） Physics-Based Device-Circuit Cooptimization Scheme for 7-nm Technology Node SRAM Design and Beyond, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 通讯作者
（12） Demonstration of 3D Convolution Kernel Function Based on 8-Layer 3D Vertical Resistive Random Access Memory, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2020, 第 5 作者
（13） A Novel General Compact Model Approach for 7-nm Technology Node Circuit Optimization From Device Perspective and Beyond, Jounal of the electron devices society, 2020, 通讯作者
（14） Spin filtering in a HgTe topological insulator PN junction via Rashba spin–orbit interaction, Solid State Communications, 2020, 通讯作者
（15） The optimization of contact interface between metal_MoS2 FETs, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2020, 通讯作者
（16） Investigation of device-circuit for negative capacitance vertical nanowire FETs based on SPICE model, Semiconductor Science and Technology, 2020, 第 4 作者
（17） State of the Art and Future Perspectives in Advanced CMOS Technology, Nanomaterials, 2020, 第 3 作者
（18） Ultrascaled double-gate monolayer SnS2 MOSFETs for high performance and low power applications, PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2020, 第 6 作者
（19） Investigation of Negative DIBL Effect and Miller Effect for Negative Capacitance Nanowire Field-Effect-Transistors, Journal of the Electron Devices Society, 2020, 通讯作者
（20） High crystalline quality of SiGe fin fabrication with Si-rich composition area using replacement fin processing, Chin. Phys. B, 2020, 第 6 作者
（21） Selective wet etching in fabricating SiGe nanowires with TMAH solution for gate-all-around MOSFETs, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2020, 第 9 作者
（22） Novel Band-Edge Work Function Performance Modulation via NPT with PMOS1st/NMOS1st Laminated Stack for PMOS Low Power Target, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2020, 第 3 作者
（23） First-principles Simulations of Tunneling FETs Based on van der Waals MoTe2SnS2 Heterojunctions with Gate-to-drain Overlap Design, J. Microelectron. Manuf., 2020, 通讯作者
（24） Modulating tunneling width and energy window for high-on-current two-dimensional tunnel field-effect transistors, Nano Energy, 2020, 第 4 作者
（25） Design and Simulation of Steep-Slope Silicon Cold Source FETs With Effective Carrier Distribution Model, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 通讯作者
（26） Spin filtering in a HgTe topological insulator PN junction via Rashba spin–orbit interaction, Solid State Communications, 2020, 通讯作者
（27） Simulations of VNW-FETs with Adjustable Spacer-Like Negative Capacitors Based on Experimental Data, ECS J.Solid.State.Sci.Tec, 2019, 第 8 作者
（28） Electric field tuning of spin splitting in topological insulator quantum dots doped with a single magnetic ion, Scientific Reports, 2019, 通讯作者
（29） Multi-Vt Performance Dependence on Capping Layer Position by NPT for PMOS Device Applications, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2019, 第 2 作者
（30） Spin Logic Devices via Electric Field Controlled Magnetization Reversal by Spin-Orbit Torque, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 第 3 作者
（31） Two-Dimensional Heterojunction Photovoltaic Cells with Low Spontaneous-Radiation Loss and High Efficiency Limit, PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2019, 通讯作者
（32） The evolution of MoS2 properties under oxygen plasma treatment and its application in MoS2 based devices, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2019, 通讯作者
（33） Near-ideal subthreshold swing MoS2 backgate transistors with an optimized ultrathin HfO2 dielectric layer, Nanotechnology, 2019, 第 4 作者
（34） FinFET With Improved Subthreshold Swing and Drain Current Using 3-nm Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 第 10 作者
（35） Novel 10-nm Gate Length MoS2 Transistor Fabricated on Si Fin Substrate, IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2019, 第 7 作者
（36） Valley Zeeman splitting of monolayer MoS2 probed by low-field magnetic circular dichroism spectroscopy at room temperature, Appl. Phys. Lett., 2018, 第 6 作者
（37） Fano Resonances in Bilayer Phosphorene Nanoring, Nanotechnology, 2018, 第 2 作者
（38） Novel GAA Si Nanowire p-MOSFETs with Excellent Short Channel Effect Immunity via an Advanced Forming Process, IEEE Electron Device Letters, 2018, 第 8 作者
（39） Tuning electrical and optical anisotropy of a monolayer black phosphorus magnetic superlattice, Nanotechnology, 2018, 通讯作者
（40） Broad-spectrum enhanced absorption of graphene-molybdenum disulfide photovoltaic cells in Metal-Mirror Microcavity, Nanotechnology, 2018, 通讯作者
（41） Spin-polarized charge transport in HgTe/CdTe quantum well topological insulator under a ferromagnetic metal strip, Solid State Communications, 2018, 通讯作者
（42） Investigation for the Feasibility of High-Mobility Channel in 3D NAND Memory, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018, 第 3 作者
（43） Universal absorption of two-dimensional materials within k ·pmethod, PhysicsLettersA, 2018, 第 3 作者
（44） Physical Insights on Quantum Confinement and Carrier Mobility in Si, Si0.45Ge0.55, Ge Gate-All-Around NSFET for 5 nm Technology Node, IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2018, 通讯作者
（45） Comparative Investigation of Flat-Band Voltage Modulation by Nitrogen Plasma Treatment for Advanced HKMG Technology, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018, 通讯作者
（46） Performance Enhancement for Charge Trapping Memory by Using Al2O3/HfO2/Al2O3 Tri-Layer High-κ Dielectrics and HighWork Function Metal Gate, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018, 第 2 作者
（47） The Effect of Thermal Treatment Induced Performance Improvement for Charge Trapping Memory with Al2O3/(HfO2)0.9(Al2O3)0.1/Al2O3 Multilayer Structure, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018, 第 2 作者
（48） Simulations of VNW-FETs with Adjustable Spacer-Like Negative Capacitors Based on Experimental Da, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018, 第 8 作者
（49） Greatly enhanced light emission of MoS2 using photonic crystal heterojunction, Scientific Reports, 2017, 第 3 作者
（50） Tuning of few-electron states and optical absorption anisotropy in GaAs quantum rings, Phys. Chem. Chem. Phys., 2017, 通讯作者
（51） Improved Operation Characteristics for Nonvolatile Charge-Trapping Memory Capacitors with High-k Dielectrics and SiGe Epitaxial Substrates, Chin. Phys. Lett., 2017, 第 5 作者
（52） Rashba spin-orbit coupling in graphene monolayer coated by periodic magnetic stripes, Scientific Reports, 2017, 通讯作者
（53） Optimized spin injection efficiency and spin MOSFET operation based on low barrier FM/I/n-Si tunnel contact, Applied Physics Express, 2017, 第 2 作者
（54） Spin-polarized Charge Trapping Cell based on a Topological Insulator Quantum Dot, RSC Advances, 2017, 通讯作者
（55） Aharonov-Bohm effect in monolayer phosphorene nanorings, Physical Review B, 2017, 通讯作者
（56） In0.53Ga0.47As-Based nMOSFET Design for Low Standby Power Applications, IEEE Transactions on Electron Devices, 2015, 通讯作者
（57） The shear mode of multilayer graphene, Nature Materials, 2012, 第 4 作者
（58） Charge pumping in monolayer graphene driven by a series of time-periodic potentials, Phys. Lett. A, 2012, 通讯作者
（59） Spin-related tunneling through a nanostructured electric-magnetic barrier on the surface of a topological insulator, Nanoscale Research Letters, 2012, 通讯作者
（60） Valley-Dependent Brewster Angles and Goos-Hanchen Effect in Strained Graphene, Physical Review Letters, 2011, 第 1 作者
（61） Spin and momentum filtering of electrons on the surface of a topological insulator, Applied Physics Letters, 2011, 第 1 作者
（62） Electronic fiber in graphene, Applied Physics Letters, 2011, 通讯作者
（63） Electron tunneling through double magnetic barriers on the surface of a topological insulator, Physical Review B, 2010, 第 1 作者
（64） Quantum tunneling through graphene nanorings, Nanotechnology, 2010, 第 1 作者
（65） Resonant tunneling through S- and U-shaped graphene nanoribbons, Nanotechnology, 2009, 第 2 作者
（66） The Hartman effect in graphene, Journal of Applied Physics, 2009, 第 1 作者
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