罗军 - 中国科学院大学

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学 080901-物理电子学招生方向集成电路先导工艺技术 CMOS器件与工艺；半导体器件与工艺教育背景 2006-09--2010-06 瑞典皇家工学院（KTH）工学博士 2005-09--2006-09 复旦大学博士在读 2002-09--2005-07 厦门大学工学硕士 1998-09--2002-07 中国地质大学（武汉）工学学士工作简历 2017-05~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员 2010-08~2017-04,中科院微电子所, 助理研究员/副研究员教授课程半导体工艺与制造技术先进半导体器件物理与工艺技术 Si基CMOS和光子学的新兴技术高等计算电磁学半导体制造技术集成电路制造工艺与设备奖励信息（1）中国科学院“朱李月华优秀教师奖”, 院级, 2017 （2）中国专利优秀奖, 部委级, 2017 专利成果（ 1 ） Semiconductor device and manufacturing method thereof, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 9,012,965 （ 2 ） METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 8,987,127 （ 3 ） METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 8,946,071 （ 4 ） SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, And method for manufacturing fin, 发明, 2015, 第 3 作者, 专利号: 9,070,719 （ 5 ）改进MOSFETs镍基硅化物热稳定性的方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201110074395.6 （ 6 ）半导体器件及其制造方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201110104362.1 （ 7 ）具有高击穿电压的HEMT及其制造方法, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: 201110116103.0 （ 8 ） Sensing apparatus, 发明, 2018, 第 2 作者, 专利号: US Patent App. 15/501,805 （ 9 ） Particle screening device, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: US Patent App. 15/326,425 （ 10 ） Cell location unit, array, device and formation method thereof, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: US Patent App. 15/320,533 发表著作（1） Optimization of Selective Growth of SiGe for Source/Drain in 14nm and Beyond Nodes FinFETs, World Scientific Publishing Company, 2017-06, 第 2 作者（2） CMOS: Past, Present and Future, Woodhead Publishing, 2018-04, 第 2 作者科研项目（ 1 ）高k金属栅与全硅化物Fin源漏, 参与, 国家级, 2015-01--2018-12 （ 2 ）场发射枪扫描电子显微镜, 参与, 国家级, 2013-09--2018-09 （ 3 ）基于微纳电子技术, 参与, 部委级, 2015-08--2019-09 （ 4 ）先导集成电路器件及电路, 参与, 部委级, 2012-12--2016-12 （ 5 ）青年创新促进会, 主持, 部委级, 2011-01--2020-12 （ 6 ）体硅FinFET 与关键工艺研究, 参与, 国家级, 2013-01--2016-12 （ 7 ）新型低温MRAM器件研究, 主持, 部委级, 2018-01--2023-01 （ 8 ）自旋逻辑器件结构设计、磁隧道结制备及性能优化, 主持, 研究所（学校）, 2018-01--2018-12

研究领域

集成电路先导工艺技术 CMOS器件与工艺；半导体器件与工艺

近期论文

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（1） Improved Ti germanosilicidation by Ge pre-amorphization implantation (PAI) for advanced contact technologies, Microelectronic Engineering, 2018, 通讯作者（2） Impact of Ge Preamorphization Implantation on Both the Formation of Ultrathin TiSiₓ and the Specific Contact Resistivity in TiSiₓ/n-Si Contacts, IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 通讯作者（3） Switching of Exchange-Coupled Perpendicularly Magnetized Layers Under Spin-Orbit Torque, IEEE Transactions on Magnetics, 2018, 第 3 作者（4） On the manifestation of Ge pre-amorphization implantation (PAI) impact on both the formation of ultrathin TiSix and the specific contact resistivity in TiSix/n-Si contacts for sub-16/14 nm nodes and beyond, 2018 18th International Workshop on Junction Technology (IWJT), 2018, 第 1 作者（5） A Study of High-Low Frequency Charge Pumping Method on Evaluating Interface Traps in Bulk FinFETs, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018, 通讯作者（6） Role of Ti Electrode on the Electrical Characterization of Filament within Al 2 O 3 Based Antifuse, ECS J. Solid State Sci. Technol., 2018, 第 5 作者（7） Enhancing the thermal stability of NiGe by prior-germanidation fluorine implantation into Ge substrate, Japanese Journal of Applied Physics, 2018, 通讯作者（8） Impact of Ge pre-amorphization implantation on forming ultrathin TiGe x on both n- and p-Ge substrate, Japanese Journal of Applied Physics, 2018, 通讯作者（9） Edge-Contact Formed by Oxygen Plasma and Rapid Thermal Annealing to Improve Metal-Graphene Contact Resistance, Edge-Contact Formed by Oxygen Plasma and Rapid Thermal Annealing to Improve Metal-Graphene Contact Resistance, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018, 第 5 作者（10） On the Manifestation of Ge Pre-Amorphization Implantation (PAI) in Forming Ultrathin TiSix for Ti Direct Contact on Si in Sub-16/14 nm Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) Technology Nodes, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2017, 通讯作者（11） Hot Implantations of P into Ge: Impact on the Diffusion Profile, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2017, 通讯作者（12） Physically Based Evaluation of Effect of Buried Oxide on Surface Roughness Scattering Limited Hole Mobility in Ultrathin GeOI MOSFETs, IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 第 5 作者（13） pMOSFETs Featuring ALD W Filling Metal Using SiH4 and B2H6 Precursors in 22 nm Node CMOS Technology, Nanoscale Research Letters, 2017, 第 2 作者（14） Integration of Highly Strained SiGe in Source and Drain with HK and MG for 22 nm Bulk PMOS Transistors, Nanoscale research letters, 2017, 第 2 作者（15） FinFETs on insulator with silicided source/drain, FinFETs on insulator with silicided source/drain, SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2017, 第 2 作者（16） Reduction of NiGe/n- and p-Ge Specific Contact Resistivity by Enhanced Dopant Segregation in the Presence of Carbon During Nickel Germanidation, IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, 通讯作者（17） FOI FinFET with Ultra-low Parasitic Resistance Enabled by Fully Metallic Source and Drain Formation on Isolated Bulk-Fin, IEEE IEDM, 2016, 第 3 作者（18） Enhanced End-Contacts by Helium Ion Bombardment to Improve Graphene-Metal Contacts, Nanomaterials, 2016, 通讯作者（19） A modified scheme to tune the Schottky Barrier Height of NiSi by means of dopant segregation technique, Vacuum, 2014, 通讯作者（20） Application of atomic layer deposition tungsten (ALD W) as gate filling metal for 22 nm and beyond nodes CMOS technology, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2014, 通讯作者（21） Two-terminal vertical memory cell for cross-point static random access memory applications, Journal of Vacuum Science & Technology B, 2014, 第 2 作者（22） Self-assembling morphologies of symmetrical PS-b-PMMA in different sized confining grooves, RSC Advances, 2014, 第 2 作者（23） Effects of carbon pre-silicidation implant into Si substrate on NiSi, Microelectronic Engineering, 2014, 通讯作者（24） Variation of Schottky barrier height induced by dopant segregation monitored by contact resistivity measurements, Microelectronic Engineering, 2014, 通讯作者

学术兼职

2016-06-29-2019-04-28,Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 副主编