个人简介
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080901-物理电子学
085208-电子与通信工程
招生方向
新型纳米存储器件与集成技术
新型非易失存储技术，微纳加工技术，原位表征技术
神经形态器件及类脑计算
教育背景
2007-09--2010-06 安徽大学（与中国科学院微电子研究所联合培养），电子科学与技术学院 博士
2004-09--2007-06 安徽大学，电子科学与技术学院 硕士
1998-09--2002-07 安徽大学，物理系 本科
工作经历
工作简历
2016-01~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
2012-10~2016-01,中国科学院微电子研究所, 副研究员
2012-08~2012-10,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
2010-10~2012-08,中国科学院微电子研究所, 博士后
2007-01~2010-09,安徽大学，电子科学与技术学院, 助教
奖励信息
（1） 氧化物阻变存储器机理与性能调控, 二等奖, 国家级, 2016
（2） 中国电子协会科学技术奖, 一等奖, 其他, 2015
（3） 卢嘉锡青年人才奖, 部委级, 2015
（4） 北京市科学技术进步奖, 二等奖, 省级, 2014
专利成果
（ 1 ） Resistive random access memory cell and memory, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: US 8642989 B2
（ 2 ） Metal oxide resistive switching memory and method for manufacturing same, 发明, 2014, 第 4 作者, 专利号: US 8,735,245 B2
（ 3 ） 二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: ZL 200710304220.3
（ 4 ） 阻变型随机存储单元及存储器, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: ZL 2011100297813
（ 5 ） 阻变存储器单元, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: ZL 201110101033.1
（ 6 ） 一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: ZL 201110131693.4
科研项目
（ 1 ） 阻变存储器, 主持, 国家级, 2015-01--2017-12
（ 2 ） 适用于三维集成的阻变存储器选通管技术研究, 主持, 国家级, 2015-01--2018-12
（ 3 ） 基于忆阻器的大规模神经网络的类脑计算架构研究, 主持, 国家级, 2018-01--2022-12
（ 4 ） 新型高密度存储材料与器件, 主持, 国家级, 2017-07--2021-06
（ 5 ） 阻变器件机理与性能调控, 主持, 国家级, 2019-01--2023-12
参与会议
（1）Multimode of resistive switching behaviors in Ag/SiO2/Pt device 51. Qi Liu, Haitao Sun, Hangbing Lv, Shibing Long and Ming Liu* 2015-10-11
近期论文
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（1） Flexible cation-based threshold selector for resistive switching memory integration, Science China Information Sciences, 2018, 通讯作者
（2） Modulating 3D memristor synapse by analog spiking pulses for bioinspired neuromorphic computing, Sci. China-Phys. Mech. Astron., 2018, 第 1 作者
（3） Effects of capping electrode on ferroelectric properties of Hf0.5Zr0.5O2 thin films, IEEE Electron Devices Lett., 2018, 通讯作者
（4） Graphene oxide quantum dots based memristors with progressive conduction tuning for artificial synaptic learning, Advanced Functional Materials, 2018, 第 6 作者
（5） Memristor with Ag-cluster-doped TiO2 films as artificial synapse for neuroinspired computing, Advanced Functional Materials, 2018, 通讯作者
（6） Breaking current-retention dilemma in cation-based resistive switching device graphene with controlled defects, Advanced Materials, 2018, 通讯作者
（7） Investigation of retention behavior of TiOx/Al2O3 resistive memory and its failure mechanism based on Meyer-Neldel rule, IEEE Electron Devices Lett., 2018, 第 6 作者
（8） Artificial neuron based on a threshold switching memristor, IEEE Electron Device Letters, 2018, 通讯作者
（9） Origin of negative resistance in anion migration controlled resistive memory, Appl. Phys. Lett., 2018, 第 6 作者
（10） Proton Radiation Effects on Y-Doped HfO2-Based Ferroelectric Memory, IEEE Electron Device Letters, 2018, 通讯作者
（11） Fatigue mechanism of yttrium-doped hafnium oxide ferroelectric thin films fabricated by pulsed laser deposition, Phys. Chem. Chem. Phys, 2017, 通讯作者
（12） HfO2-based highly stable radiation-hardened ferroelectric memory, IEEE Electron Devices Lett., 2017, 通讯作者
（13） Crystal that remembers: Several ways to utilize nanocrystals in resistive switching memory, J. Phys. D: Appl. Phys., 2017, 通讯作者
（14） Schottky barrier diode based on β-Ga2O3 (100) single crystal substrate and its temperature-dependent electrical characteristics, Appl. Phys. Lett., 2017, 第 7 作者
（15） Resistive switching performance improvement via modulating nanoscale conductive filament, involving the application of two-dimensional layered materials, Small, 2017, 第 3 作者
（16） A cell-based clustering model for the reset statistics in RRAM, Appl. Phys. Lett., 2017, 第 5 作者
（17） Confining cation injection to enhance CBRAM performance by nanopore graphene layer, Small, 2017, 通讯作者
（18） Graphene and Related Materials for Resistive Random Access Memories, Advanced Electronics Materials, 2017, 第 4 作者
（19） Emulating short-term and long-term plasticity of bio-synapse based on Cu/a-Si/Pt Memristor, IEEE Electron Devices Lett., 2017, 通讯作者
（20） Uniformity and retention improvement of TaOx-based conductive bridge random access memory by CuSiN interfacial layer engineering, IEEE Electron Devices Lett., 2017, 第 7 作者
（21） Electronic imitation of behavioral and psychological synaptic activities by the TiOx/Al2O3-based memristor devices, Nanoscale, 2017, 通讯作者
（22） Improvement of device reliability by introducing a BEOL-compatible TiN barrier layer in CBRAM, IEEE Electron Devices Lett., 2017, 通讯作者
（23） Flexible memristors as electronic synapses for neuro-inspired computation based on scotch tape-exfoliated mica substrates, Nano Research, 2017, 通讯作者
（24） Investigation on the conductive filament growth dynamics in resistive switching memory via a universal Monte Carlo simulator, Scientific Reports, 2017, 第 7 作者
（25） Intrinsic anionic rearrangement by extrinsic control: Transition of RS and CRS in thermally elevated TiN/HfO2/Pt RRAM, Nanoscale, 2017, 第 4 作者
（26） Memristor with Ag-cluster-doped TiO2 films as artificial synapse for neuroinspired computing, Advanced Functional Materials, 2017, 通讯作者
（27） Design of high-performance memristor cell using W-implanted SiO2 films, Appl. Phys. Lett., 2016, 通讯作者
（28） Eliminating negative-SET behavior by suppressing nanofilament overgrowth in cation-based memory, Advanced Materials, 2016, 通讯作者
（29） Epitaxial 2D PbS nanoplates arrays with highly efficient infrared response, Advanced Materials, 2016, 第 4 作者
（30） Analysis of the negative-set behaviors in Cu/ZrO2/Pt devices, Nanoscale Research Letters, 2016, 通讯作者
（31） Direct observation of conversion between threshold switching and memory switching induced by conductive filament morphology, Advanced Functional Materials, 2014, 通讯作者
（32） Multilevel unipolar resistive switching with negative differential resistance effect in Ag/SiO2/Pt device, J. Appl. Phys., 2014, 通讯作者
（33） In-situ observation of nickel as an oxidizable electrode material for the solid-electrolyte-based resistive random access memory, Appl. Phys. Lett., 2013, 第 2 作者
（34） Self-rectifying resistive switching device with a-Si/WO3 bilayer, IEEE Electron Devices Lett., 2013, 第 3 作者
（35） Bipolar one diode-one resistor integration for high-density resistive memory applications, Nanoscale, 2013, 第 3 作者
（36） Real-time observation on dynamic growth/dissolution of conductive filaments in oxide-electrolyte-based ReRAM, Advanced Materials, 2012, 第 1 作者
（37） Effect of low constant current stress treatment on the performance of Cu/ZrO2/Pt resistive switching device, Semicond. Sci. Technol., 2012, 第 2 作者
（38） Investigation of one dimension thickness scaling on Cu/HfOx/Pt resistive switching device performance, IEEE Electron Devices Lett., 2012, 第 3 作者
（39） Programming Resistive Switching Memory by a Charged Capacitor, Applied Physics A, 2011, 第 2 作者
（40） Resistive Switching Mechanism of Ag/ZrO2:Cu/Pt Memory Cell, Applied Physics A, 2011, 第 2 作者
（41） Improved resistive switching uniformity in Cu/HfO2/Pt device by using current sweeping mode, IEEE Electron Devices Lett., 2011, 第 3 作者
（42） Controllable growth of nanoscale conductive filaments in solid-electrolyte-based ReRAM by using metal nanocrystal cover bottom electrode, ACS Nano, 2010, 第 1 作者
（43） Low power and highly uniform switching in ZrO2-based ReRAM with a Cu nanocrystal insertion layer, IEEE Electron Devices Lett., 2010, 第 1 作者
（44） nvestigation of resistive switching in Cu-doped HfO2 thin film for multilevel non-volatile memory applications, Nanotechnology, 2010, 第 2 作者
（45） Resistive switching properties of Au/ZrO2/Ag structure for low voltage nonvolatile memory applications, IEEE Electron Devices Lett., 2010, 第 4 作者
（46） ZrO2-based memory cell with a self-rectifying effect for crossbar WORM memory application, IEEE Electron Devices Lett., 2010, 第 4 作者
（47） Highly stable radiation hardened resistive switching memory, IEEE Electron Devices Lett., 2010, 第 4 作者
（48） Formation of multiple conductive filaments in the Cu/ZrO2:Cu/Pt device, Appl. Phys. Lett., 2009, 第 1 作者
（49） Improvement of resistive switching properties in ZrO2-based ReRAM with implanted Ti ions, IEEE Electron Devices Lett., 2009, 第 1 作者
（50） Fully room-temperature-fabricated nonvolatile resistive memory for ultrafast and high-density memory application, Nano Lett., 2009, 第 3 作者
（51） Self-rectifying effect in gold nanocrystal-embedded zirconium oxide resistive memory, J. Appl. Phys., 2009, 第 3 作者
（52） Resistive switching memory effect of ZrO2 films with Zr+ implanted, Appl. Phys. Lett., 2008, 第 1 作者
（53） Resistance switching of Au-implanted-ZrO2 film for nonvolatile memory application, J. Appl. Phys., 2008, 第 1 作者
（54） Nonpolar nonvolatile resistive switching in Cu doped ZrO2, IEEE Electron Devices Lett., 2008, 第 3 作者
（55） On the resistive switching mechanisms of Cu/ZrO2:Cu/Pt, Appl. Phys. Lett., 2008, 第 4 作者
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