杨涛 - 中国科学院大学

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学招生方向集成电路先导工艺技术教育背景 2003-07--2007-07 大连理工大学博士 2001-09--2003-07 大连理工大学硕士 1997-09--2001-07 大连交通大学学士工作简历 2009-11~现在, 中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心, 副研究员/正高级工程师 2007-09~2009-10,中芯国际集成电路制造有限公司，逻辑技术发展中心, 资深工艺研发工程师 2003-07~2007-07,大连理工大学, 博士 2001-09~2003-07,大连理工大学, 硕士 1997-09~2001-07,大连交通大学, 学士专利成果（ 1 ）提高金属栅化学机械平坦化工艺均匀性的方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: ZL201010571656.0 （ 2 ）化学机械平坦化方法和后金属栅的制作方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: ZL201010567260.9 （ 3 ）提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性的方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: ZL201010607041.9 （ 4 ）化学机械抛光设备及其预热方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: ZL201010599278.7 （ 5 ）提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性的方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: ZL201110005057.7 （ 6 ）提高后栅工程中金属插塞化学机械平坦化工艺均匀性的方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: ZL201110005058.1 （ 7 ）一种研磨垫清洗方法和装置, 2016, 第 1 作者, 专利号: ZL201110066718.7 （ 8 ）提高浅沟槽隔离化学机械平坦化均匀性的方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: ZL201110125319.3 （ 9 ）化学机械平坦化后清洗晶圆的方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: ZL201110149721.5 （ 10 ）后栅工艺移除多晶硅假栅制程的监控方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: ZL201110149722.X 科研项目（ 1 ）非制冷红外探测器关键技术研究, 参与, 省级, 2018-12--2020-12 （ 2 ）先进动态随机存储器核心专利布局与关键技术开发, 主持, 部委级, 2020-04--2022-12 参与会议（1）ALD W metal gate CMP 2014-05-14 （2）ALD W CMP characteristic for HKMG integration 2013-10-29 （3）Dummy Poly Silicon Gate Removal by Wet Chemical Etching 2011-03-11

近期论文

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（1） pMOSFETs Featuring ALD W Filling Metal Using SiH4 and B2H6 Precursors in 22 nm Node CMOS Technology, Nanoscale Research Letters, 2017, 第 4 作者（2） Application of Atomic Layer Deposition Tungsten (ALD W) as Gate Filling Metal for 22 nm and Beyond Nodes CMOS Technology, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2014, 第 3 作者（3） ALD W CMP for HKMG, ECS Trans., 2013, 第 1 作者（4） HfSiON High-k Layer Compatibility Study with TetraMethyl Ammonium Hydroxide (TMAH) Solution, Electrochemical and Solid-State Letters, 2012, 第 1 作者