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个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学 招生方向 集成电路先导工艺技术 教育背景 2003-07--2007-07 大连理工大学 博士 2001-09--2003-07 大连理工大学 硕士 1997-09--2001-07 大连交通大学 学士 工作简历 2009-11~现在, 中国科学院微电子研究所 集成电路先导工艺研发中心, 副研究员/正高级工程师 2007-09~2009-10,中芯国际集成电路制造有限公司,逻辑技术发展中心, 资深工艺研发工程师 2003-07~2007-07,大连理工大学, 博士 2001-09~2003-07,大连理工大学, 硕士 1997-09~2001-07,大连交通大学, 学士 专利成果 ( 1 ) 提高金属栅化学机械平坦化工艺均匀性的方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: ZL201010571656.0 ( 2 ) 化学机械平坦化方法和后金属栅的制作方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: ZL201010567260.9 ( 3 ) 提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性的方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: ZL201010607041.9 ( 4 ) 化学机械抛光设备及其预热方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: ZL201010599278.7 ( 5 ) 提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性的方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: ZL201110005057.7 ( 6 ) 提高后栅工程中金属插塞化学机械平坦化工艺均匀性的方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: ZL201110005058.1 ( 7 ) 一种研磨垫清洗方法和装置, 2016, 第 1 作者, 专利号: ZL201110066718.7 ( 8 ) 提高浅沟槽隔离化学机械平坦化均匀性的方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: ZL201110125319.3 ( 9 ) 化学机械平坦化后清洗晶圆的方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: ZL201110149721.5 ( 10 ) 后栅工艺移除多晶硅假栅制程的监控方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: ZL201110149722.X 科研项目 ( 1 ) 非制冷红外探测器关键技术研究, 参与, 省级, 2018-12--2020-12 ( 2 ) 先进动态随机存储器核心专利布局与关键技术开发, 主持, 部委级, 2020-04--2022-12 参与会议 (1)ALD W metal gate CMP 2014-05-14 (2)ALD W CMP characteristic for HKMG integration 2013-10-29 (3)Dummy Poly Silicon Gate Removal by Wet Chemical Etching 2011-03-11

近期论文

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(1) pMOSFETs Featuring ALD W Filling Metal Using SiH4 and B2H6 Precursors in 22 nm Node CMOS Technology, Nanoscale Research Letters, 2017, 第 4 作者 (2) Application of Atomic Layer Deposition Tungsten (ALD W) as Gate Filling Metal for 22 nm and Beyond Nodes CMOS Technology, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2014, 第 3 作者 (3) ALD W CMP for HKMG, ECS Trans., 2013, 第 1 作者 (4) HfSiON High-k Layer Compatibility Study with TetraMethyl Ammonium Hydroxide (TMAH) Solution, Electrochemical and Solid-State Letters, 2012, 第 1 作者

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