金智 - 中国科学院大学

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学招生方向射频、微波器件与电路集成技术集成电路工程石墨烯器件与电路教育背景 1996-09--吉林大学博士 1993-09--吉林大学硕士 1989-09--河北师范大学学士工作简历 2004-05~2006-10,日本东京电气通信大学, 研究员 2002-05~2004-05,德国Duisburg-Essen University, 研究员 1999-05~2002-05,日本北海道大学, 博士后研究员奖励信息（1）国务院政府特殊津贴, 国家级, 2016 科研项目（ 1 ）太赫兹三端电子器件, 主持, 国家级, 2010-01--2014-12 （ 2 ） graphene场效应晶体管及其集成技术研究, 主持, 国家级, 2012-01--2016-12 （ 3 ）太赫兹HEMT基础问题研究, 主持, 国家级, 2015-01--2019-12 （ 4 ）石墨烯电子器件与集成技术研究, 主持, 国家级, 2011-01--2016-04 （ 5 ）石墨烯的CVD制备及其在光电器件中的前瞻性研究, 主持, 部委级, 2012-01--2016-12 （ 6 ） 5G基站宽带高频段功率放大器试验样片研究, 主持, 国家级, 2016-01--2017-12

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（1） Carrier-Number-Fluctuation induced ultralow 1/f noise level in top-gated graphene field effect transistors, ACS Applied Materials & Interfaces, 2017, 通讯作者（2） The two timescales in the charge trapping mechanism for the hysteresiss behavior in graphene field effect transistors, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2016, 通讯作者（3） Intrisic carrier mobility extraction based on a new quasi-analytical model for graphene field-effect transistors, Journal of Physics D: Applied Physics, 2016, 通讯作者（4） Hydroxyl-free buffered dielectric for graphene field-effect transistors, Carbon, 2015, 第 1 作者（5） The sheet resistance of graphene under contact and its effect on the derived specific contact resistivity, Carbon, 2015, 通讯作者（6） The electrochemical transfer of CVD-graphene using agarose gel as solid electrolyte and mechanical support layer, Chemical communication, 2015, 通讯作者（7） Effect of source-gate spacing on direct current and radio frequency characteristic of graphene field effect transistor, Applied Physics Letters, 2015, 通讯作者（8） The anisotropy of field effect mobility of CVD graphene grown on copper foil, Small, 2014, 通讯作者（9） Study of AlN dielectric film on graphene by Raman microscopy, Appl. Phys. Lett, 2009, 第 1 作者（10） On the design of base-collector junction of InGaAs/InP DHBT, Science in China Series E: Technological Sciences, 2009, 第 1 作者（11） Common-base multi-finger submicron InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with fmax of 305 GHz, Solid-State Electronics, 2008, 第 1 作者（12） High-Breakdown-Voltage Submicron InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor with ft of 170 GHz and fmax of 253 GHz, Chin. Phys. Lett., 2008, 第 1 作者（13） Surface-recombination-free InGaAs/InP HBTs and the base contact recombination, Solid-State Electronics, 2008, 第 1 作者