杨国文 - 中国科学院大学

个人简介

招生方向半导体激光芯片半导体激光器光电子器件教育背景 1998-09--2000-02 美国犹他大学博士后 1994-09--1997-07 中国科学院半导体研究所博士 1988-09--1991-07 中国科学院半导体研究所硕士 1984-09--1988-07 南开大学学士工作简历 2013-08~现在, 中国科学院西安光学精密机械研究所, 研究员 2006-08~2013-08,美国捷迪讯JDSU公司, 高级资深工程师 2003-10~2006-08,美国奥谱拓公司, 高级资深工程师 2002-02~2003-10,美国康宁Corning公司, 高级资深工程师 1997-08~1998-08,中国科学院半导体研究所, 副研究员 1994-08~1997-07,中国科学院半导体研究所, 助理研究员 1991-08~1994-07,中国科学院半导体研究所, 实习研究员奖励信息（1）全国优秀博士学位论文奖, 国家级, 1994 （2）院长奖学金特别奖, 研究所（学校）, 1994 专利成果（ 1 ） Semiconductor Laser With Narrow Beam Divergence, 发明, 2008, 第 1 作者, 专利号: US 7709280 B2 （ 2 ）一种半导体激光器腔镜制备方法, 发明, 2015, 第 3 作者, 专利号: 201410643677.7 （ 3 ）半导体芯片的表面处理系统, 发明, 2015, 第 3 作者, 专利号: 201510622932.4 （ 4 ）一种样品测试/处理装置, 发明, 2015, 第 3 作者, 专利号: 201510624126.0 （ 5 ）用于半导体激光器腔面失效分析的综合测试系统, 发明, 2015, 第 3 作者, 专利号: 201510622931.X （ 6 ）用于半导体激光器腔面失效分析的综合测试系统, 发明, 2015, 第 3 作者, 专利号: 201510622931.X （ 7 ）半导体芯片的表面处理系统, 实用新型, 2016, 第 3 作者, 专利号: 201520754954.1 （ 8 ）一种样品架翻转装置, 实用新型, 2016, 第 3 作者, 专利号: 201520754894.3 （ 9 ）一种样品测试/处理装置, 实用新型, 2016, 第 3 作者, 专利号: 201520753808.7 （ 10 ）用于半导体激光器腔面失效分析的综合测试系统, 实用新型, 2016, 第 3 作者, 专利号: 201520754206.3 （ 11 ）消除被测物体表面盲点的显微镜辅助装置, 实用新型, 2017, 第 3 作者, 专利号: 201620634238.4 （ 12 ）一种半导体锥形激光器, 实用新型, 2017, 第 3 作者, 专利号: 201620638396.7 （ 13 ）一种半导体激光器bar条, 实用新型, 2016, 第 3 作者, 专利号: 201620639307.0 （ 14 ）一种半导体激光器芯片测试固定装置, 实用新型, 2016, 第 3 作者, 专利号: 201521132674.3 科研项目（ 1 ）高峰值功率半导体激光芯片研究, 主持, 市地级, 2015-07--2015-12 （ 2 ）高效率高功率半导体激光芯片研究, 主持, 部委级, 2013-07--2016-10

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（1） High power, high efficiency continuous-wave 808 nm laser diode arrays, Optics and Laser Technology, 2017, 第 3 作者（2） 808nm准连续600W高功率半导体激光芯片研究, 中国激光, 2017, 第 3 作者（3） 808 nm半导体激光芯片电光转换效率的温度特性机理研究, 物理学报, 2017, 第 4 作者（4） 808nm/976nm高效率、高功率半导体激光芯片, 中国激光, 2016, 第 2 作者（5）高功率、高效率808nm 半导体激光器阵列, High-Power, high-efficiency 808nm Laser Diode Array, 物理学报, 2016, 第 2 作者（6） Grating stabilized high power 980nm pump modules,, Optical Fiber Communication and the National Fiber Optic Engineers Conference, 2007, 第 1 作者（7） High-performance 980nm ridge waveguide lasers with a nearly circular beam, IEEE Photonics Technology Letters, 2004, 第 1 作者（8） Impact of near-end residual reflectivity on the spectral performance of high-power pump lasers, IEEE Journal of Quantum Electronics, 2004, 第 1 作者（9） Highly reliable high-power 980-nm pump laser, IEEE Photonics Technology Letters, 2004, 第 1 作者（10） Design consideration and performance of high power and high brightness InGaAs-InGaAsP-AlGaAs quantum well lasers, IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics, 2000, 第 1 作者（11） Design consideration and performance of high power and high brightness InGaAs-InGaAsP-AlGaAs quantum well lasers, IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics, 2000, 第 1 作者（12） High performance 980nm quantum well Lasers using a hybrid material system of an Al-free InGaAs/InGaAsP active region and AlGaAs cladding layers grown by metal-organic chemical vapor deposition, IEEE Journal of Quantum Electronics, 1999, 第 1 作者（13） High performance InGaAs/InGaAsP/AlGaAs diode lasers grown by MOCVD, Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting, 1999, 第 1 作者（14） 980nm InGaAs/InGaAsP quantum well lasers with AlGaAs cladding grown by metal organic chemical vapor deposition, Electronics Letter, 1998, 第 1 作者（15） Theoretical investigation on quantum well lasers with extremely low vertical beam divergence and low threshold current, Journal of Applied Physics, 1998, 第 1 作者（16） Growth and fabrication of high performance 980nm strained InGaAs quantum well lasers using novel hybrid material system of InGaAsP and AlGaAs, Proc. of SPIE, 1998, 第 1 作者（17） Design and fabrication of 980nm InGaAs/AlGaAs quantum well lasers with low beam divergence, Proc. of SPIE, 1996, 第 1 作者