王阳 - 中国科学院大学

个人简介

1972年12月出生于湖南长沙，2001年8月毕业于中国科学院上海光学精密机械研究所，获博士学位并留所工作至今，期间曾在日本Nihon University从事合作研究。2003年入选上海市青年科技启明星，2009年9月晋升为研究员，2010年9月被遴选为博士生导师。承担完成863、973、国家自然科学基金、上海市科委课题等近20项，出版英文著作1部，发表SCI、EI论文80余篇，申请发明专利20余项，指导硕士、博士研究生10余名。招生方向光信息功能材料及应用；激光-材料相互作用的原位实时光谱检测光信息存储技术；时间分辨光谱技术激光诱导相变与相变动力学教育背景学历 -- 研究生学位 -- 博士（2001.8，中国科学院上海光学精密机械研究所，材料学） -- 硕士（1998.7，湖南大学，理论物理） -- 学士（1995.6，湖南师范大学，物理学）工作经历 2009年9月至今，中国科学院上海光学精密机械研究所，研究员（2010年9月起任博士生导师） 2006年8月-2007年8月，日本Nihon University 电子与计算机科学系，Research Fellow 2002年1月-2009年8月，中国科学院上海光学精密机械研究所，副研究员 2001年8月-2001年12月，中国科学院上海光学精密机械研究所，助理研究员专利成果（1）锑铋相变合金掩膜只读式超分辨光盘，发明，2010，第3作者，专利号：200810202974.2 （2）相变薄膜微区光谱测量装置和测量方法，发明，2010，第3作者，专利号：200810040993.X （3）探针诱导光刻薄膜及其制备方法，发明，2010，第4作者，专利号：200810035321 （4）纳米颗粒复合相变材料及其制备方法，发明，2011，第2作者，专利号：201110102736.6 （5）镍离子掺杂锗锑碲荧光相变信息存储材料及其制备方法，发明，2011，第3作者，专利号： 201110202663.8 （6）铋掺杂锑基掩膜只读式超分辨光盘，发明，2011，第3作者，专利号：201110148478.5 （7）铝铜锑相变薄膜及其制备方法，发明，2011，第2作者，专利号：201110204069.2 （8）锑基二元相变薄膜，发明，2011，第2作者，专利号：201110229226.5 （9）提高激光热刻蚀图形分辨率的薄膜结构及其制备方法，发明，2012，第5作者，专利号：201210104380.4 （10）具有表面等离子体增强效应的一次记录光盘，发明，2013，第2作者，专利号：201310115973.5 （11）荧光读出的可擦重写相变光盘，发明，2014，第1作者，专利号：2014103365002 （12）激光等离子体谱测量装置，发明，2014，第2作者，专利号：2014106473333 发表著作（1）纳米尺度的数据存储：进展及应用，Data Storage at the Nanoscale: Advances and Applications,，Pan Stanford，2015-03，第2作者科研项目（1）结构敏感的荧光相变材料与长寿命多维光存储，主持，国家级，2015-01--2018-12 （2）新型相变材料纳米尺度相变与快速导电机理研究，参与，国家级，2013-08--2015-07 （3）相变信息存储材料的相变加速机制及策略研究，主持，国家级，2012-01--2015-12 （4）突破光学衍射极限的高密度信息存储基础研究，主持，省级，2012-01--2014-12 （5）超分辨纳米光信息存储及器件的基础研究，参与，国家级，2012-01--2016-12 （6）超分辨掩膜中微纳结构可控形成的动力学研究，主持，国家级，2009-01--2011-12 （7）超快相变动力学过程研究，参与，国家级，2006-09--2011-08

研究领域

长期从事信息存储材料与技术、光谱检测系统与技术、光电功能薄膜结构与器件研究

近期论文

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（1） Controllable crystallization of Ge2Sb2Te5 phase-change memory thin films driven by multiple femtosecond laser pulses，Mater.Sci.Eng.B，2015，通讯作者（2） Description and reconstruction of one-dimensional photonic crystal by digital signal processing，Chin. Phys. B，2014，通讯作者（3） Enhanced temperature sensing based on sub-threshold nonlinear spectra of one-dimensional photonic crystal with a Kerr defect layer，J.Appl.Phys.，2014，通讯作者（4） Time resolved spectra of optical and electrical transient response induced by nanosecond laser pulses in amorphous AgInSbTe films，Optik，2014，通讯作者（5） Manipulation of heat-diffusion channel in laser thermal lithography，Optics Express，2014，第2作者（6） Polarization readout analysis for multilevel phase change recording by crystallization degree modulation，Chinese Physics B，2013，通讯作者（7） Polarity-dependent reversible resistance switching in as-deposited AgInSbTe phase change film，Physica B: Physics of Condensed Matter，2013，通讯作者（8） Tunable Twin Airy beams induced by Binary phase Patterns，Optics Letters，2013，第4作者（9） Comparison of optical transients during the picosecond laser pulse-induced crystallization of GeSbTe and AgInSbTe phase-change thin films: nucleation-driven versus growth-driven processes，Physica B: Physics of Condensed Matter，2013，通讯作者（10） Design of cylindrical vector beams based on the rotating Glan polarizing prism，Optics Express，2013，第5作者（11） Locally formation of Ag nanoparticles in chalcogenide phase change thin films induced by nanosecond laser pulses，Mater.Chem.Phys.，2012，通讯作者（12） Different crystallization processes of as-deposited amorphous Ge2Sb2Te5 flms on nano- and picosecond single laser pulse irradiation，Physica B: Physics of Condensed Matter，2012，通讯作者（13） Femtosecond laser-induced crystallization of amorphous Sb(2)Te(3) film and coherent phonon spectroscopy characterization and optical injection of electron spins，J.Appl.Phys.，2011，通讯作者（14） Changes of optical, dielectric, and structural properties of Si15Sb85 phase change memory thin films under different initializing laser power，J.Alloy Comp.，2011，通讯作者（15） Picosecond laser pulse-driven crystallization behavior of SiSb phase change memory thin films，Mater.Chem.Phys.，2011，通讯作者（16） Comparison of Optical and electrical transient response during nanosecond laser pulse-induced phase transition of Ge2Sb2Te5 thin films，Chem.Phys.Lett.，2011，通讯作者（17） Optical-Electrical Hybrid Operation with Amorphous Ge1Sb4Te7 Phase Change Thin Films，Appl. Phys. A，2010，通讯作者（18） SiSb相变薄膜的初始化研究，光学学报，2010，通讯作者（19） Optical Switch Formation in Antimony Super-Resolution Mask Layers Induced by Picosecond Laser Pulses ，Chin. Phys. Lett.，2010，通讯作者（20） Optical-electrical Properties of AgInSbTe Phase Change Thin Films under Single Picosecond Laser Pulse Irradiation，Journal of Non-Crystalline Solids，2010，通讯作者（21） BiSb的薄膜皮秒激光脉冲诱导瞬态光学响应，中国激光，2010，通讯作者（22） Crystallization dynamics of as-deposited amorphous AgInSbTe thin film induced by picosecond laser pulses，J. Phys. D: Applied Physics，2010，通讯作者（23） Sb80Bi20相变薄膜的非线性光学响应，中国激光，2010，通讯作者