王文洪 - 中国科学院物理研究所 -

个人简介

简介: 王文洪，男，2002年中国科学院物理研究所获博士学位。2002至2009年分别在德国马普微结构物理研究所（洪堡学者）、日本产业技术综合研究所（JSPSFellow）和日本物质材料研究所（JSTFellow）从事博士后研究。2009年回国，加入中科院物理所磁学国家重点实验室。2017年获国家自然科学二等奖（排名2），2018年入选科技部中青年创新领军人才，2019年入选中组部科技创新领军人才。课题组长，磁学国家重点实验室副主任。过去的主要工作及获得的成果: 利用第一性原理计算、原子占位和等结构合金化等设计方法，成功开发出了具有共振隧穿特性的高自旋极化率Heusler合金（PRB81,1040402(R)(2010)，PRB82,092402(2010))，六角结构新型磁相变体系（NatureCommunications3,1868(2012)，APL102,122405(2013))，低磁矩补偿型半金属Heusler合金（APL101,102402(2012)，APL102,062407(2012))，以及自旋无能隙的四元Heusler合金型磁性半导体（EPL102,17007(2013))等，并首次在半Heusler合金型拓扑绝缘体材料中观测到大的线性磁电阻和反弱局域等量子输运现象（ScientificReports3,2181(2013);4,5709(2014))，在中心对称六角磁体开发出新型磁相变宽温区双斯格明子材料(Adv.Mater.28,6887(2016))，这些研究成果不仅丰富了当前的磁性功能材料的种类，而且加深了对Heusler合金这种具有多种应用功能的金属间化合物的了解。2009年回国至今，已在NatureCommunications(1)，Adv.Mater.(2),PRL(1),ScientificReports(4),PRB(13)和APL(20)等SCI收录期刊发表文章100多篇。论文被引用累计2000多篇次。目前的研究课题及展望: 目前正在进行的研究课题有国家自然科学基金面上项目3项、科技部973项目子课题1项、北京市科委重点项目1项等。继续开展新型金属磁性功能材料的设计、开发和物性研究。培养研究生情况: 已协助培养5名博士生，拟每年招收1~2名硕博连读生。欢迎具有物理、化学和材料等专业背景的考生报考！

研究领域

主要研究方向: 不同于合金固溶体，金属间化合物中p-d杂化形成的各向异性轨道序使原子具有了有序占位的倾向。我们通过第一性原理等计算方法，努力掌握共价作用这一特性，原子择优占位、能带裁剪、磁性调控等材料设计成为可能。主要研究兴趣包括：新型磁性智能材料的开发及物性研究；新型磁性拓扑量子材料的探索及奇异物性表征；以及磁性合金晶格和磁格稳定性和相互作用问题等。

近期论文

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代表性论文及专利: 1.W.H.Wangetal.,"ACentrosymmeticHexagonalMagnetwithSperstableBiskyrmionMagneticNanodomainsinaWideTemperatureRangeof100-340K"Adv.Mater.28,6887(2016). 2.Z.P.Hou,W.H.Wang（通讯作者）etal.,“Highelectronmobilityandlargemagnetoresistanceinthehalf-HeuslersemimetalLuPtBi”,PhysicalReviewB92,235134(2015). 3.E.K.Liu,W.H.Wang（通讯作者）etal.,“Stablemagnetostructuralcouplingwithtunablemagnetoresponsiveeffectsinhexagonalphase-transitionferromagnets”,NatureCommunications3,1868(2012). 4.W.H.Wang（通讯作者）,EnkeLiu,H.Sukegawa,M.Kodzuka,G.H.Wu,S.Mitani,K.InomataandK.Hono,“CoherenttunnelingandgianttunnelingmagnetoresistanceinCo2FeAl/MgO/CoFemagnetictunnelingjunctions“,PhysicalReviewB81,1040402(R)(2010). 5.R.Shan,H.Sukegawa,W.H.Wang,M.Kodzuka,T.Furubayashi,T.Ohkubo,S.Mitani,K.InomataandK.Hono,“Demonstrationofhalf-metallicityinFermi-level-tunedheusleralloyCo2FeAl0.5Si0.5atroomtemperature“,PhysicalReviewLetters,102,246601(2009).