张杨 - 中国科学院半导体研究所 -

个人简介

张杨，男，博士，研究员，硕士生导师。北京市科技新星（2010），中国科学院青年创新促进会会员（2015），长期从事砷化镓、磷化铟、锑化物基微电子及光电子材料及器件的研究工作。取得的成果有：（1）2008年在国内率先研制了基于0.25微米工艺的高性能InP基共振隧穿二极管（RTD）、高电子迁移率（HEMT）晶体管单片集成电路；（2）2013年在国内首次采用分子束外延技术制备出具有一流电学特性的锑化物基高电子迁移率晶体管，室温下电子迁移率超过30,000cm2/V.s；（3）2015年起开展了基于新型生物传感器检测研究。研制的肿瘤标志物AFP生物传感器检测极限达到20pg/ml量级，针对环境中重金属离子的检测方面，对Pb2+离子检测极限达到0.1pMol/L量级；（4）2017年在国内首次研制出用于3D传感、激光雷达的4英寸940nm垂直腔面发射激光器（VCSEL）外延片。先后发表SCI论文50余篇，申请国家发明专利42项。作为负责人和科研骨干先后承担和参与多项国家“863”计划、“973”计划、中科院战略性先导科技专项、国家自然科学基金、北京市自然科学基金等项目。在研/完成的主要项目： 1、国家自然科学基金项目：新型窄带隙锑化物二维电子气材料及输运特性研究，负责人，2013-2015； 2.北京市自然科学基金项目：锑化物二维电子气材料的自旋轨道耦合研究，负责人，2014-2016 3.北京市自然科学基金项目：新一代锑化物基高电子迁移率晶体管的分子束外延材料生长研究，负责人，2011-2012 4.北京市“科技新星”计划项目：锑化物基微电子材料生长研究，负责人，2010-2014 5.北京市“科技新星”计划交叉项目：基于微电子器件的超高灵敏度生物传感器研究，负责人，2015-2016 6.中国科学院人才专项：中国科学院“青年创新促进会”项目，负责人，2015-2018

研究领域

1.III-V族、II-VI族半导体材料外延生长技术及器件工艺研究； 2.超低功耗锑化物基微电子材料及器件工艺研究； 3.新型超高灵敏度生物传感器研究

近期论文

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1. K.Ding,C.Wang,B.Zhang,YangZhang*,M.Guan,L.Cui,Y.Zhang,Y.Zeng,Z.Lin,andF.Huang,“SpecificdetectionofAlpha-FetoproteinusingAlGaAs/GaAshighelectronmobilitytransistors”,IEEEElectronDeviceLetters,35(3),333-335(2014) 2. Y.Zhang,YangZhang*,M.Guan,L.Cui,Y.Li,B.Wang,Z.Zhu,andY.Zeng,“MolecularbeamepitaxialgrowthofAlSb/InAsSbheterostructures”,AppliedSurfaceScience,313,479-483(2014) 3. Y.Zhang,YangZhang*,M.Guan,L.Cui,C.Wang,andY.Zeng,“Self-consistentanalysisofInAsSbquantum-wellheterostructures”,PhysicaStatusSolidiB-BasicSolidStatePhysics,251(11),2287-2293(2014) 4. X.Chu,M.Guan*,L.Niu,Y.Zeng,Y.Li,YangZhang*,Z.Zhu,andB.Wang,“FastresponsiveandhighlyefficientopticalupconverterbasedonphosphorescentOLED”,ACSAppliedmaterials&interfaces,6(21),19011-19016(2014) 5. X.Chu,M.Guan*,L.Niu,YangZhang*,Y.Li,X.Liu,andY.Zeng,“Theutilizationoflow-temperatureevaporableCsN3-dopedNBphenasanalternativeandefficientelectron-injectionlayerinOLED”,PhysicaStatusSolidia-ApplicationsandMaterialsScience,211(7),1605-1609(2014) 6. Y.Zhang,YangZhang*,C.Wang,andY.Zeng,“TransportpropertiesinAlInSb/InAsSbheterostructures”,JournalofAppliedPhysics,114(24),243710(2013) 7.Y.Zhang,YangZhang*,M.Guan,L.Cui,C.Wang,andY.Zeng,“TheoreticalstudyoftransportpropertyinInAsSbquantumwellheterostructures”,JournalofAppliedPhysics,114(15),153707(2013) 8.YangZhang*,Y.Zhang,C.Wang,M.Guan,L.Cui,Y.Li,B.Wang,Z.Zhu,Y.Zeng,“HighsensitivityHalldeviceswithAlSb/InAsquantumwellstructures”,ChinesePhysicsB,22(5),057106(2013) 9.X.Chu,M.Guan,YangZhang,Y.Li,X.LiuandY.Zeng,“ITO-freeandairstableorganiclight-emittingdiodesusingMoO3:PTCDAmodifiedAlassemitransparentanode”,RSCAdvances,3(24),9509-9513(2013) 10.Y.Li,YangZhang*,B.Wang,Z.Zhu,andY.Zeng,“MolecularbeamepitaxialgrowthandcharacterizationofGaSblayersonGaAs(001)substrates”,AppliedSurfaceScience,258(17),6571-6575(2012) 11.X.Chu,M.Guan*,LLi,YangZhang,F.Zhang,Y.Li,Z.Zhu,B.Wang,andY.Zeng,“Improvedefficiencyoforganicinorganichybridnear-infraredlightupconverterbydeviceoptimization”,ACSAppliedmaterials&interfaces,4,4976(2012) 12.YangZhang*,M.Guan,X.Liu,andY.Zeng,“DependenceoftheelectricalandopticalpropertiesongrowthinterruptioninAlAs/In0.53Ga0.47As/InAsresonanttunnelingdiodes”,NanoscaleResearchLetters,6,603(2011) 13.Y.Li,YangZhang*,andY.Zeng,“Electronmobilityinmodulation-dopedAlSb/InAsquantumwells”,JournalofAppliedPhysics,109,073703(2011) 14.Y.Li,YangZhang*,andY.Zeng,“Self-consistentanalysisofAlSb/InAshighelectronmobilitytransistorstructures”,JournalofAppliedPhysics,108,044504(2010)