司晨 - 北京航空航天大学 - 材料科学与工程学院

个人简介

司晨，女，副教授，博士生导师，1987年生于山西晋城市，2009年本科毕业于北京交通大学，2014年博士毕业于清华大学，曾于2012年和2017年分别在美国犹他大学和伦斯勒理工学院进行访问研究。研究领域为计算材料学，主要致力于利用第一原理计算、分子动力学等材料计算方法结合机器学习方法研究信息功能材料的结构和物性。截至2022年，已在Physical Review Letters、Advanced Functional Materials、Nano Letters等材料、物理领域著名期刊上发表SCI论文50余篇，被包括Science杂志在内的期刊总引用3000余次，4篇论文入选ESI高被引论文，入选2021年度英国皇家化学学会高被引作者。主持国家自然科学基金面上项目、青年项目、北京航空航天大学青年拔尖人才支持计划等多项科研项目。

研究领域

低维纳米电子信息材料（超导材料、结构相变材料和磁性材料等）的物性调控面向计算材料信息学的数据驱动的人工智能辅助的材料设计能源材料的计算模拟与设计

近期论文

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Wang, Wei; Zhao. Bingbing; Ming, Xing; Si, Chen*; Advanced Functional Materials, 2023, 33: 2214583 Zhang, Kang; Zou, Nianlong; Ren, Yanru; Wu, Jizheng; Si, Chen*; Duan, Wenhui; Realization of Coexisting Charge Density Wave and Quantum Spin/Anomalous Hall State in Monolayer NbTe2, Advanced Functional Materials, 2022, 32: 2111675 Xu, Shengnan; Si, Chen*; Li, Yang; Gu, Bing-Lin; Duan, Wenhui*; Valley Depolarization Dynamics in Monolayer Transition-Metal Dichalcogenides: Role of the Satellite Valley, Nano Letters, 2021, 21: 1785-1791 Si, Chen; Choe, Dukhyun; Xie, Weiyu; Wang, Han; Sun, Zhimei; Bang, Junhyeok; Zhang, Shengbai; Photoinduced Vacancy Ordering and Phase Transition in MoTe2, Nano Letters, 2019, 19: 3612-3617 Si, Chen; Choe, Dukhyun; Xie, Weiyu; Wang, Han; Sun, Zhimei; Bang, Junhyeok*; Zhang, Shengbai*; Nano Letters, 2019, 19: 361 Lian, Chao-Sheng; Si, Chen*; Duan, Wenhui*; Unveiling Charge-Density Wave, Superconductivity, and Their Competitive Nature in Two-Dimensional NbSe2, Nano Letters, 2018, 18: 2924-2929 Si, Chen; Jin, Kyung-Hwan; Zhou, Jian; Sun, Zhimei; Liu, Feng ; Large-Gap Quantum Spin Hall State in MXenes: d-Band Topological Order in a Triangular Lattice, Nano Letters, 2016, 16:6584-6591 Si, Chen; Liu, Zheng; Duan, Wenhui; Liu, Feng ; First-principles calculations on the effect of doping and biaxial tensile strain on electron-phonon coupling in graphene, Physical Review Letters, 2013, 111: 196802 Si, Chen; Duan, Wenhui; Liu, Zheng; Liu, Feng ; Electronic strengthening of graphene by charge doping, Physical Review Letters, 2012, 109: 226802