王军喜 - 中国科学院半导体研究所 -

个人简介

王军喜，男，博士，研究员，博士生导师。 1998年获得西北大学物理学学士学位，2003年获得中国科学院半导体研究所工学博士学位，自2003年至今在中国科学院半导体研究所工作。从事氮化物材料生长和器件研制工作八年，熟悉MOCVD、MBE和HVPE生长设备和相关材料分析表征方法。使用国产NH3-MBE生长设备，获得了具有当时国际水平的高迁移率GaN外延片；做为骨干科研人员，所在小组研制成功了压电极化效应诱导的高质量AlGaN/GaN二维电子气结构材料，并用所研制的材料与信息产业部第十三研究所合作研制出了我国第一只氮化物高温HEMT器件；负责自主设计并制备了一台HVPE厚膜GaN材料生长设备，获得了厚膜GaN材料生长速率超过了每小时200μm，晶体质量位于国内领先水平；在“十一五”期间，负责氮化物MOCVD材料生长研究，主要方向为GaN基LED材料生长研究和紫外LED材料生长研究。目前负责的课题进展顺利。多次参加国内外学术会议，在国内外高质量学术期刊上发表研究论文四十余篇。完成/在研主要项目： 1、国家“863”项目：“Si基GaN材料研究”（2004-2005） 2、国家自然科学基金项目：“GaN基气敏传感器材料和器件研究”（2006-2008） 3、国家“863”项目：“紫外LED用AlGaN材料生长研究”（2006-2008）参与其它科研项目6项。

研究领域

氮化物材料的MOCVD生长研究、深紫外LED用氮化物材料生长研究及LED器件制备。

近期论文

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1.J.X.Wang,D.Z.Sun,X.L.Wang,J.M.Li,Y.P.Zeng,X.Hou,L.Y.Lin,“High-qualityGaNgrownbygas-sourceMBE”,JournalofCrystalGrowth227-228,386-389(2001) 2.JunxiWang,XiaoliangWang,DianzhaoSun,JinminLi,YipingZeng,GuoxinHu,HongxinLiu,LanyingLin,“High-mobilityGa-polarityGaNachievedbyNH3-MBE”,MRSSymposiumProceedingsVol743,85-90(2003) 3.JunxiWang,JianchangYan,NaixinLiu,PingMa,ZheLiu,YipingZeng,GuohongWang,JinminLi,“AlGaNGrownbyMOCVDwithHighTemperatureAlNLayer”,The2ndInternationalConferenceonDisplaysandSolidStateLighting,oralpresentation,Jan30-Feb.1,2008,Seoul,Korea 4.JunxiWang,XiaoliangWang,DianzhaoSun,JinminLi,YipingZeng,HongxinLiu,FengyiHuang,LanyingLin,“GaNgrowthonSi(111),Si(100)andSOIsubstrates”,FirstAsia-PacificWorkshoponWidegapSemiconductors,March9-12,2003,Hyogo,Japan. 5.Wei,TB,Wang,JX,Li,JM,Liu,Z,Duan,RF,“StudyonmechanicalpropertiesofGaNepitaxyfilmsgrownonsapphirebyMOCVD”,RAREMETALMATERIALSANDENGINEERING,36(3)(2007)416-419 6.HonglingXiao,XiaoliangWang,JunxiWang,NanhongZhang,HongxinLiu,YipingZeng,JinminLi,ZhanguoWang,“GrowthandcharacterizationofInNonsapphiresubstratebyRF-MBE”,JournalofCrystalGrowthVol276,401–406(2005) 7.Wei,TB,Ma,P,Duan,RF,Wang,JX,Li,JM,Liu,Z,Zeng,YP,“CathodoluminescenceandRamanresearchofV-shapeinvertedpyramidinHVPEgrownGaNfilm”,MATERIALSLETTERS,61(18)(2007)3882-3885 8.Wei,TB,Duan,RF,Wang,JX,Li,JM,Huo,ZQ,Ma,P,Liu,Z,Zeng,YP,“Characterizationoffree-standingGaNsubstrategrownthroughhydridevaporphaseepitaxywithaTiNinterlayer”,AppliedSurfaceScience,Vol253(18),7423-7428(2007)