个人简介
倪海桥，男，博士，研究员，博士生导师。
在新加坡国立大学获得博士学位。主要从事半导体低维结构材料的生长研究和物理分析工作。先后承担和参加多项国家重大项目和重点项目课题。用激光溅射方法成功地获得了室温荧光谱线明显蓝移的GaN纳米点。用激光溅射方法研究了ZnO薄膜的生长及其物理特性。成功地用等离子体溅射方法获得了具有铁电性能的掺LiZnO薄膜。用多体物理中的GW近似、局域浓度近似（LDA）及微扰等方法计算了GaN和ZnO材料的能带结构及直接跃迁吸收边的性能，并定量地研究了成份偏离对其的影响。在其后的工作期间，主要从事稀释磁性半导体材料（ZnO,GaN,TiO2）的原子层MOCVD生长。获得了居里温度在室温的掺CoZnO材料。研制成功室温1.0－1.6微米GaInNAsSb/GaAs量子阱材料，首次在国际上报道了1.55微米GaInNAs/GaAs多量子阱谐振腔增强探测器RCE－PD、1.59微米GaInNAsSb量子阱激光器。创新设计GaAsSb/InGaAs复合量子阱结构，波长覆盖1.2-2.0微米波段。首次在国内报道了1.33微米InAs量子点激光器；目前最新的进展包括以下几个方面：完成了InAs量子点单光子源的生长；完成了用于THz波产生和探测的低温GaAs材料；完成了单芯片集成的超短脉冲半导体量子点激光器。
承担的主要科研项目：
l.北京市自然科学基金：室温半导体基纠缠对单光子源（2011-2013），主持，11万
2.国家自然科学基金：基于半导体单量子点谐振腔耦合结构的超低功耗发光器件（2013-2016），主持；85万
3.973重大计划课题：锑化物纳米结构中红外激光与探测器（2013-2017），主持，730万
研究领域
近红外波段半导体激光器和探测器；量子点单光子源；半导体超短脉冲激光器；THz波产生和探测器件；硅衬底外延生长IIIV族光电子器件；超低功耗发光器件。
近期论文
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1.H.Q.Ni,Z.C.Niu,X.H.Xu,Y.Q.Xu,W.Zhang,X.Wei,L.F.Bian,Z.H.He,Q.Han,andR.H.Wu,“HighIndiumcontentInxGa1-xAs/GaAsquantumwellswithemissionwavelengthsabove1.25μmatroomtemperature”,Appl.Phys.Lett.,84,5100(2004).
2.H.Q.Ni,X.H.Xu,W.Zhang,Y.Q.Xu,Z.C.Niu,andR.H.Wu,“TheeffectsofSb,N,andperiodontheelectronicpropertiesofGaAs/GaInNAsSbsuperlattices”,ActaPhysicasinica(inChinese),53,1474(2004).[倪海桥,徐晓华,张纬,徐应强,牛智川,吴荣汉,物理学报]。
3.Z.C.Niu,H.Q.Ni,X.H.Xu,W.Zhang,Y.Q.Xu,andR.H.Wu,“ElectronicpropertiesofGaAs/GaInNAsSbsuperlattices”,Phys.Rev.B68,235326(2003).
4.倪海桥，牛智川，张石勇，徐应强，韩勤，吴荣汉，“1300nmP型GaAs/AlGaAs分布式布拉格反射镜的优化”，第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议，2004，8大连，P140。
5.H.Q.Ni,Y.F.Lu,andZ.M.Ren,“InvestigationofLi-dopedferroelectricandpiezoelectricZnOthinfilmsbyelectricforcemicroscopyandRamanspectroscopy”,APPLPHYSLETT79:(6)812-814AUG62001.
6.H.Q.Ni,Y.F.LuandZ.M.Ren,“Quasiparticlebandstructuresofwurtziteandrock-saltZnO”,J.Appl.Phys.91,1339(2002).
7.H.Q.Ni,Y.F.Lu,andZ.M.Ren,“Abinitiopseudopotentialcalculationsofelectronicstructureofoff-stoichiometricalZnOofwurtziteandrock-saltZnO”,JPNJAPPLPHYS140:(6A)4103-4108JUN2001.
8.H.Q.Ni,Y.F.Lu,J.H.Teng,Y.X.Jie,Z.H.MaiandZ.M.Ren,“SurfaceandopticalpropertiesofnanocrystallineGaNthinfilmsonsapphire(0001)bypulsedlaserdeposition”,SPIEConference3898:PhotonicSystemsandApplicationsinDefenseandManufacturing,1-3Dec1999,Singapore(ProceedingsofSPIEVol.3898).
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10.X.H.Yang,X.L.Xu,X.P.Wang,H.Q.Ni,Q.Han,Z.C.Niu,D.A.Williams,“Opticallycontrolledquantumdotgatedtransistorswithhighon/offratio”,Appl.Phys.Lett.96(8),083503(2010)
11.X.Huang,X.H.Zhang,Y.G.Zhu,T.Li,L.F.Han,X.J.Shang,H.Q.NiandZ.C.Niu，TheeffectofanelectricfieldonthenonlinearresponseofInAs/GaAsquantumdots，J.Opt.12,055203(2010).
12.MingGong,GengChen,LixinHe,Chuan-FengLi,Jian-ShunTang,Fang-WenSun,Zhi-ChuanNiu,She-SongHuang,Yong-HuaXiong,Hai-QiaoNiandGuang-CanGuo,"DirectobservationofexcitonicpolaroninInAs/GaAsquantumdots",Europhys.Lett.90,37004(2010).
13.Electronspindynamicsstudyofbulkp-GaAs:Thescreeningeffect，Appl.Phys.Lett.102,012406(2013).
14.SingleInAsQuantumDotGrownattheJunctionofBranchedGold-FreeGaAsNanowire,NanoLetters,13(4),1399(2013)
15.Field-FieldandPhoton-PhotonCorrelationsofLightScatteredbyTwoRemoteTwo-LevelInAsQuantumDotsontheSameSubstratePhysicalReviewLetters,109,267402(2012)
16.High-performancemetamorphicInGaAsresonantcavityenhancedphotodetectorgrownonGaAssubstrateAppl.Phys.Lett.98(20),201104(2011)
17.Opticallycontrolledquantumdotgatedtransistorswithhighon/offratioAppl.Phys.Lett.96(8),083503(2010)
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