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个人简介

马晓宇,男,研究员,博士生导师。 现任光电子器件国家工程研究中心主任。1963年出生,1984年和1987年在吉林大学电子工程系获理学学士和理学硕士学位。1987年至今就职于中国科学院半导体研究所,历任助理研究员、副研究员、研究员。 取得的主要学术成绩及所获奖励: 在III-V族的光电子器件的MOCVD外延生长研究和器件工程化中取得了突出的成绩和贡献,在国内率先研制成功实用化1.3mm半导体量子阱激光器,DVD用650nm半导体激光器。在808nm、941nm、980nm、1450nm等波长大功率半导体激光器(列阵)及其组件方面的研究方面达到了从设计、工艺到检验的全部国产化,具有独立自主的知识产权,发展了一系列自主技术及申请了相关专利。课题组实验室具有大功率半导体激光器(列阵)及其组件的从材料外延生长、工艺加工、封装耦合到特性检验完整的一条生产线,实现了大功率半导体激光器(列阵)及组件的研制生产一体化,所研制的系列产品性能指标属国内领先水平,其中准连续器件将近目前国际产品水平,适应了我国固体激光器对泵浦光源的需求,在嫦娥一号探月工程等国家重点应用工程和项目中获得了广泛应用,具有较高的市场占用率;其研究成果获国家科技进步二等奖、三等奖,中国科学院科技进步一等奖,二等奖等多项奖励。 完成/在研主要项目: 1.探月工程项目:“CE-1月球探测器有效载荷激光高度计用激光二极管叠层列阵”2003.12~2005.12 2.863重点项目"全固体激光器及其应用技术---5KW全固态激光器的子课题:"高功率、高效率、长寿命半导体激光泵浦模块研究"(2006-2009); 3.国家特殊应用项目等多项。

研究领域

大功率半导体激光器(列阵)及其组件、光纤激光器、固体激光器、存储用激光器等。

近期论文

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1.GuotongDU,XiaoyuMa,ZhengZou,XiaoboZHANG,andDingsanGAO(1989)"Terracedsubstrateinnerstripesemiconductorlasersbyone-stepliquid-phaseepitaxy"J.Appl.Phys.Vol.66,No.5,P.2225-2227,1September 2.PENGHuaide,MAXiaoyu,MAChaohua,ZHANGShenglian,WANGXiaojieandPANGGuisheng(1992)"1.3mmand1.5mmInGaAsP/InPp-typeInPsubstrateburiedcrescent(PBC)laserdiodeswithlowthresholdcurrentandhighefficiency"InternationalJ.ofOptoelectronics,Vol.7,No.1,P.79-84 3.马骁宇,王树堂,熊飞克,郭良,王仲明,曾靖,王丽明,陈良惠(1996)"低压MOCVD外延生长InGaAsP/InP应变量子阱材料与器件应用"半导体学报第17卷第5期第398页(1996) 4.MAXiaoyu,WANGShutang,XIONGFeike,GUOLiang,WANGZhongming,ZENGJing,WANGLiming,CHENLianghui(1996)"InGaAsP/InPstained-layersquantummaterialsandtheirapplicationsbyLP-MOCVD"PanTaoTiHsuehPao/ChineseJournalofSemiconductorsv17n5May1996p398InChinese 5.MAXiaoyu,WANGShutang,XIONGFeike,GUOLiang,WANGZhongming,WANGLiming,ZHANGXiaoyan,SUNGuoxi,XIACaihong,ZHUTian,YANGYali,ZHANGHongqin,HEGuangping,YAOShuqin,BIKekui,CHENLianghui(1996)"High-performance1.3-and1.55-mmInGaAP/InPstrained-layerquantumwelllasersgrownbyLP-MOCVD(InvitedPaper)"PROCEEDINGSSPIEIntegratedOptoelectronicsVol.2891,p.2891-34,1996,Beijing 6.Ma,Xiaoyu;Cao,Qing;Wang,Shutang;Guo,Liang;Wang,Liming;Yang,Yali;Zhang,Hongqin;Zhang,Xiaoyan;Chen,Lianghui(1998)Studyofsinglemode650nmAlGaInPquantumwelllaserdiodesforDVD(InvitedPaper)ProceedingsofSPIE-TheInternationalSocietyforOpticalEngineeringv3547Sep16-1819981998Sponsoredby:SPIESPIEp127-1290277-786X 7.Yang,G.W.;Hwu,R.Jennifer;Xu,Z.T.;Ma,X.Y.(1999)High-performance980-nmquantum-welllasersusingahybridmaterialsystemofanAl-freeInGaAs-InGaAsPactiveregionandAlGaAscladdinglayersgrownbymetal-organicchemicalvapordepositionIEEEJournalofQuantumElectronics35101999IEEEp1535-15410018-9197 8.Fang,Gaozhan;Xiao,Jianwei;Ma,Xiaoyu;Feng,Xiaoming;Wang,Xiaowei;Liu,Yuanyuan;Liu,Bin;Tan,Manqing;Lan,Yongsheng(2002)Highpower808nmAlGaAs/GaAsquantumwelllaserdiodeswithbroadwaveguideChineseJournalofSemiconductorsv23n8August2002SciencePressp809-8120253-4177 9.Wang,Xiaowei;Xiao,Jianwei;Ma,Xiaoyu;Wang,Zhongming;Fang,Gaozhan(2002)FiberopticcouplingofCWlinearlaserdiodearrayChineseJournalofLasersB(EnglishEdition)v11n3June2002SciencePressp205-2071004-2822 10.Wei,Xin;Ma,Xiaoyu;Wang,Guohong;Zhang,Guangze;Zhu,Xiaopeng;Chen,Lianghui(2002)MetalorganicchemicalvapordepositionofGaNAsalloyusingdimethylhydrazineasnitrogenprecursorPanTaoTiHsuehPao/ChineseJournalofSemiconductorsv23n6June2002SciencePressp565-5700253-4177 11.Wei,X.;Wang,G.H.;Zhang,G.Z.;Zhu,X.P.;Ma,X.Y.;Chen,L.H.(2002)MetalorganicchemicalvapordepositionofGaNAsalloysusingdifferentGaprecursorsJournalofCrystalGrowthv236n4March2002ElsevierScienceB.V.p516-5220022-0248 12.马骁宇等,大功率半导体激光器的发展与应用,化学工业出版社《中国材料工程大典》第12卷第11篇。 13.AdvancesinHighPowerSemiconductorDiodeLasers(Invitedpaper),SPIEPhotonicsAsia2007(SPIE-6824-1)2007.11,Beijing,China

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