个人简介
张兴旺，男，博士，研究员，博士生导师。
1972年出生于安徽怀宁，分别于1994和1999年从兰州大学物理系获学士和博士学位。1999至2001年在香港中文大学电子工程系进行博士后研究，2001至2004年任德国乌尔姆大学固体物理系博士后及洪堡学者，于2004年7月加入中科院半导体材料重点实验室。现任国际空间研究委员会中国委员会（CNCOSPAR）委员、中国真空学会薄膜专业委员会委员、中国空间科学学会微重力科学与应用研究专业委员会委员。
科研成果：
发展了一种制备大面积、高质量六方氮化硼（h-BN）二维原子晶体的新方法，制备出毫米尺寸h-BN单晶畴，研制出多种基于二维异质结构的高性能光电器件。制备出光电转换效率超过21%的平面异质结钙钛矿电池，被中国太阳能电池的最高纪录表格收录，是当时世界上同类电池结构中的最高效率。首次成功制备出异质外延生长的立方氮化硼（c-BN）薄膜，相关结果在Nat.Mater.上发表后得到国际同行科学家的广泛关注和高度评价，为实现c-BN薄膜作为高温电子材料奠定了基础。
已主持或承担科技部863、973计划、国家重点研发计划、国家自然科学基金等科研课题20余项，在Nat.Mater.,Nat.Energy,Nat.Commun.Adv.Mater.等国内外杂志发表SCI论文150余篇，论文被他引3000余次，获授权发明专利20项；曾获北京市科学技术进步二等奖、中科院优秀研究生指导教师奖、中科院优秀导师奖等奖励，指导的研究生4人获中科院院长奖，5人获中科院优秀毕业生，多人次获国家奖学金。
招收具有物理、材料、微电子等相关专业的硕士、博士及硕博连读研究生；长期招聘博士后。
目前承担的科研项目：
1、国家自然科学基金：基于二维h-BN中间层的HfS2远程外延生长及器件应用研究（2019-2022）
2、国家重点研发计划：氮化硼薄膜外延生长与光电性质研究（2018-2021）
3、国家自然科学基金：化合物半导体材料空间微重力生长与性质研究（2018-2020）
4、北京市科技计划项目：2英寸氮化硼薄膜材料研制（2018-2020）
5、国家自然科学基金：石墨烯/h-BN/石墨烯三明治结构日盲紫外探测器研究（2017-2020）
6、国家重点研发计划：第三代半导体固态紫外光源材料及器件关键技术（2016-2020）
近期论文
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