张璋 - 华南师范大学 - 华南先进光电子研究院

个人简介

科研经历: 2007年进入德国马克思普朗克微结构物理所UlrichG?sele教授领导的研究小组，从事博士研究生工作。期间有幸参与并完成了欧盟半导体纳米线电子器件项目(NODE），参与设计并搭建了世界上第一套高真空多功能化学气相生长系统（UHV-CVD+CBE）。研究了外延生长硅纳米线阵列的有序化问题，实现了具有锗/硅异质结界面的阵列结构表征，还完成了可控同位素硅纳米线外延和金属辅助刻蚀硅纳米线表征等成果。博士毕业后继续马普协会对外科学合作项目的博士后工作一年。2011年10月，被华南师范大学聘为教授，在华南先进光电子研究院先进材料研究所从事教学科研工作至今。学术成果：已发表SCI论文30余篇，已授权国家发明专利5项。 Scientificachievements:>30SCIarticles,fivenationalinventionpatentshavebeenauthorized 详细信息/DetailedInformation 学习和工作经历/StudyandWorkExperience 2011年-现在：华南师范大学华南先进光电子研究院，教授 2011-now:Professor,SouthChinaNormalUniversity,Guangzhou,China 2010年9月-2011年10月：德国马普微结构物理研究所，博士后； 2010.09-2011.10:postdoc,MPI-Halle,Germany 2009年5月-2009年7月：瑞典伦德大学，青年访问科学家； 2009.05-2009.07:LundUniversity;Sweden;Youngvisitingscientist 2008年5月-2008年7月：IBM瑞士苏黎世研究所，青年访问科学家； 2008.05-2008.07:IBMInstituteinZurich,Switzerland;Youngvisitingscientist 2007年-2010年：德国马普微结构物理研究所，自然科学博士； 2007-2010:Dr.rer.nat.,MPI-Halle,Germany 2004年-2007年：复旦大学信息科学与工程学院信息学院光科学与工程系，理学硕士； 2004-2007:DepartmentofOpticalScienceandEngineering,Schoolofinformationscienceandengineering,FudanUniversity,Shanghai;MasterofScience 2000年-2004年：中山大学理工学院物理系，理学学士； 2000-2004:Departmentofphysics,Collegeofscienceandengineering,SunYat-senUniversity,Guangzhou;BachelorofScience 科研项目/Projects: （1）广东省高等学校人才引进项目“可用于下一代高密度半导体电子器件的超细硅纳米线有序外延阵列的研究”（已结题），2012-2015,50万，负责人。（2）国家自然科学基金青年科学基金项目“10纳米以下直径硅纳米线有序垂直阵列的模板辅助外延生长研究”（51204344）,2013.01-2015.12,25万，负责人。（3）广东省自然科学基金项目“可应用于生物传感的新型硅纳米线阵列无栅化场效应晶体管材料的研究”（2014A030313434），2015.01-2018.01，10万，负责人。（4）广州市珠江科技新星项目“可应用于生物传感的新型硅纳米线阵列无栅化场效应晶体管材料的研究”（201506010019）,2015.04-2018.03，30万，负责人。（5）作为核心骨干成员参与国家重点研发项目：“纳米尺度多场性与输运性质测量及调控”的子课题“极化调控光电转换”，(2016YFA0201002)，2016.07-2021.06，623万，核心骨干人员。（6）作为核心骨干成员参与国家重点研发项目：“电子纸显示关键材料与技术”，(2016YFB0401501)，2016.07-2021.06，665万，核心骨干人员。（7）可用于高效稳定光解水产氢的新型低维复合硅基光电极材料研究，广东省自然科学基金项目，广东省自然科学基金管理委员会，2018/05-2021/04，10万，在研，负责人。专利/Patents： 1.张璋，刘利伟，高兴森,一种Ag-SiO2-Ag纳米球阵列的制备方法,中国发明专利（已授权）,ZL201510053810.8 2.张璋，刘利伟，高兴森，（已授权）一种化学气相沉积制备表面拉曼增强活性基底的方法,中国发明专利,ZL201410321419.7 3.张璋，亢梦洋,（已授权）一种基于离子刻蚀制备表面拉曼增强活性基底的方法,中国发明专利,201510743028.9 4.张璋，苏绍强，曾志强，汤丹,（已授权）一种制备高密度多孔二维二硫化钼纳米片的方法，中国发明专利,201710199969.X 5.张璋，张晓燕，黄康荣，（已授权）一种制备垂直有序多铁性双层纳米管阵列的方法，中国发明专利,201710140154.4 其他奖励/Others： (1)2015年4月，荣获“广州市珠江科技新星” (2)2010年5月，获得国家优秀自费留学生奖学金

研究领域

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1.低维光、电催化材料的制备及其在能源、环境领域的应用 2.低维纳米材料半导体器件的制备和表征 3.多铁性低维材料的制备(磁电耦合效应)