研究领域

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长期从事人工晶体生长和理论研究。参加了人工彩色水晶研制及工业化生产，对人工水晶缺陷、生长工艺条件和材料性能的关系进行了系统研究，提出双掺杂及相应的色心模型。在韩国进行博士后工作期间，开展了水热法制备钙钛矿型铁电薄膜研究。回国后开展了热液条件与晶粒结构、粒度、生长形态、物相、缺陷等之间关系的研究，首次提出水热生长体系中存在着两类聚集生长的概念。从生长基元模型出发，通过数学建模，系统阐述了晶体结构－生长物理化学条件－晶体生长形态内在关系，为晶体生长和性能优化提供理论支持，并提出了计算晶体学的思想。近年来，主要从事宽禁带半导体晶体材料和新型压电晶体材料生长，在国内率先开展了碳化硅和氧化锌气相生长研究。