燕少安 - 湘潭大学 - 机械工程学院

个人简介

燕少安，男，1989年12月出生于陕西西安，工学博士、中共党员，湘潭大学机械工程学院讲师。学习工作经历 2016/08–今，湘潭大学，机械工程学院，讲师主持： 1、国家自然科学基金青年项目，61804130，2019/01-2021/12，25万元，在研； 2、湖南省自然科学基金青年项目，2018JJ3513，2018/01-2020/12，5万元，在研； 3、湘潭大学博士科研启动基金项目，2017/01-2020/01，5万元，在研。参与： 1、国家国防科技工业局XXX项目，XXXXXX，XXXXXX存储器研制，2019/01-2020/12，50万元，在研，排名第二； 2、国家自然科学基金面上项目，51775471，基于微纳结构设计与探针技术类石墨烯二维材料储能机理研究，2018/01-2021/12，60万元，在研； 3、湖南省重点研发计划，2015GK2003，高性能压力传感器的研制及产业化，2015/01-2017/12，200万元，已结题； 4、科技部973计划前期研究专项，2012CB326404，FeCMOS基本门电路的辐照效应及机理研究，2012/08-2014/08，60万元，已结题。

研究领域

1、等离子体辅助微纳加工工艺； 2、二维材料半导体存储器； 3、新型半导体存储器多场耦合调控与失效机制。

近期论文

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[1]W.L.Zhang,Y.H.Mao,S.A.Yan*,M.H.Tang*,Y.G.Xiao,S.H.Dang,W.X.Zhao,G.ZWang,EffectoforientationonpolarizationswitchingandfatigueofBi3.15Nd0.85Ti2.99Mn0.01O12thinfilmsatbothlowandelevatedtemperatures,NanoscaleResearchLetters2019,14:121.(通讯作者) [2]W.L.Zhang,Y.H.Mao,S.A.Yan*,Y.G.Xiao,M.H.Tang,G.Li,Q.X.Peng,Z.Li,Temperature-dependentdomaindynamicsandelectricalpropertiesofNd-dopedBi4Ti2.99Mn0.01O12thinfilmsinfatigueprocess,Materials2018,11:2418.(通讯作者) [3]X.Y.Yan,J.F.Peng,S.A.Yan,X.J.Zheng,ElectromechanicalcharacterizationofsingleGaNnanobeltprobedwithconductiveatomicforcemicroscope,JournalofElectronicMaterials,2018,47(7):3869-3875. [4]S.A.Yan,G.Li.H.X.Guo,W.Zhao,Y.Xiong,M.H.Tang,Z.Li,Y.G.Xiao,W.L.Zhang,Z.F.Lei,Modelingandsimulationofionizingradiationeffectonferroelectricfield-effecttransistor,JapaneseJournalofAppliedPhysics,2016.03.01,55:048001. [5]S.A.Yan,W.Zhao,H.X.Guo,Y.Xiong,M.H.Tang,Z.Li,Y.G.Xiao,W.L.Zhang,H.Ding,J.W.Chen,Y.C.Zhou,ImpactoftotalionizingdoseirradiationonPt/SrBi2Ta2O9/HfTaO/Simemorycapacitor,AppliedPhysicsLetters,2016.01.05,106:012901. [6]S.A.Yan,G.Li,W.Zhao,H.X.Guo,Y.Xiong,M.H.Tang,Z.Li,Y.G.Xiao,W.L.Zhang,Z.F.Lei,Y.C.Zhou,Ionizingradiationeffectonmetal-ferroelectric-insulator-semiconductormemorycapacitors,SemiconductorScienceandTechnology,2015.07.28,30:085020. [7]S.A.Yan,Y.Xiong,M.H.Tang,Z.Li,Y.G.Xiao,W.L.Zhang,W.Zhao,H.X.Guo,H.Ding,J.W.Chen,Y.C.Zhou,Impactoftotalionizingdoseirradiationonelectricalpropertyofferroelectric-gatefield-effecttransistor,JournalofAppliedPhysics,2014.05.23,115:204504. [8]S.A.Yan,M.H.Tang,W.Zhao,H.X.Guo,W.L.Zhang,X.Y.Xu,X.D.Wang,H.Ding,J.WChen,Z.Li,Y.CZhou,Singleeventeffectinaferroelectric-gatefield-effecttransistorunderheavy-ionirradiation,ChinesePhysicsB,2014.02.10,23(4):046104.