肖永光 - 湘潭大学 - 材料科学与工程学院

个人简介

肖永光，男，中共党员，博士/副教授，博士研究生导师，2008年6月毕业于湘潭大学材料与光电物理学院微电子学本科专业。2008年9月被推荐免试攻读湘潭大学材料与光电物理学院微电子学与固体电子学硕士专业，2010年9月转为材料科学与工程专业硕博连读博士研究生，于2013年6月获得博士学位。主要从事铁电场效应晶体管存储器的微观结构设计和性能优化研究。主持国家自然科学基金面上项目1项，国家自然科学基金青年项目1项，湘潭大学科研启动项目1项，同时作为骨干成员参与了多项国家自然科学基金研究。近年来，在JournalofMaterialsChemistryC、AppliedPhysicsLetters、IEEETransactionsonElectronDevices、JournalofAppliedPhysics等国内外著名刊物上发表学术论文30余篇，研究成果得到国内外同行的高度评价，欢迎有志之士报考我的研究生，与我一起做研究。科研项目主持的科研项目 1.2019.01-2022.12，氧化铪基铁电薄膜负电容效应及其超低功耗应用研究，国家自然科学基金面上项目(51872250) 2.2015.01-2017.12，铁电场效应晶体管的负电容效应研究，国家自然科学基金青年项目(61404113) 3.2019.09-2021.12，氧化铪基铁电栅场效应晶体管负电容的总剂量效应，湖南省教育厅重点项目(19A473) 4.2013.09-2015.09，铁电场效应晶体管的低功耗研究，湘潭大学科研启动资金 5.2011.04-2013.04，负电容场效应晶体管的电学性能研究，湖南省研究生创新项目(CX2011B248)

研究领域

1.集成电路设计2.铁电场效应晶体管存储器(FeFET)、多铁隧道结及器件3.铁电薄膜的负电容效应

近期论文

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[1]L.Yan,P.-F.Liu,T.Bo,J.R.Zhang,M.H.Tang,Y.G.Xiao,*andB.-T.Wang,EmergenceofsuperconductivityinaDiracnodal-lineCu2Simonolayer:abinitiocalculations.JournalofMaterialsChemistryC,7,10926-10932,2019. [2]L.Yan,T.Bo,W.X.Zhang,P.-F.Liu,Z.S.Lu,Y.G.Xiao,*M.H.Tang,andB.-T.Wang,Novelstructuresoftwo-dimensionaltungstenborideandtheirsuperconductivity.PhysicalChemistryChemicalPhysics,21,15327-15338,2019. [3]H.C.Dong,J.Z.Li,M.G.Chen,H.W.Wang,X.C.Jiang,Y.G.Xiao*,B.Tian,andX.X.Zhang,High-throughputproductionofZnO-MoS2-grapheneheterostructuresforhighlyefficientphotocatalytichydrogenevolution.Materials,12(2233),1-12,2019. [4]L.Yan,T.Bo,P.-F.Liu,B.-T.Wang,Y.G.Xiao*andM.-H.Tang,Predictionofphonon-mediatedsuperconductivityintwo-dimensionalMo2B2.JournalofMaterialsChemistryC,7(2019),2589-2595. [5]Y.G.Xiao,D.B.Ma,J.Wang,G.Li,S.A.Yan,W.L.Zhang,Z.Li,andM.H.Tang,Animprovedmodelforthesurfacepotentialanddraincurrentinnegativecapacitancefieldeffecttransistors.RSCAdvances,6,103210-103214,2016. [6]Y.G.Xiao,J.Wang,D.B.Ma,Z.Li,andM.H.Tang,EffectofzirconiumortitaniumcomponentonelectricalpropertiesofPbZr1-xTixO3gatednegativecapacitanceferroelectricfield-effecttransistors.MaterialsResearchExpress,3,105902(1-6),2016. [7]Y.G.Xiao,J.Wang,D.B.Ma,M.H.Tang,Z.Li,Aninterfacechargemodelforferroelectricfieldeffecttransistor.IntegratedFerroelectrics,17(1),54-62,2016. [8]Y.G.Xiao,M.H.Tang,J.C.Li,C.P.Cheng,B.Jiang,H.Q.Cai,Z.H.Tang,X.S.Lv,andX.C.Gu,Temperatureeffectonelectricalcharacteristicsofnegativecapacitanceferroelectricfield-effecttransistors.AppliedPhysicsLetters,100(8),083508,2012. [9]Y.G.Xiao,Y.Xiong,M.H.Tang,J.C.Li,C.P.Cheng,B.Jiang,Z.H.Tang,X.S.Lv,H.Q.Cai,X.C.Gu,andY.C.Zhou,Effectofdopingconcentrationofsubstratesilicononretentioncharacteristicsinmetal-ferroelectric-insulator-semiconductorcapacitors.AppliedPhysicsLetters,100(17),173504,2012. [10]Y.G.Xiao,Z.J.Chen,M.H.Tang,Z.H.Tang,S.A.Yan,J.C.Li,X.C.Gu,Y.C.Zhou,andX.P.Ouyang,Simulationofelectricalcharacteristicsinnegativecapacitancesurrounding-gateferroelectricfield-effecttransistors.AppliedPhysicsLetters,101(25),253511,2012. [11]Y.G.Xiao,M.H.Tang,Y.Xiong,J.C.Li,C.P.Cheng,B.Jiang,H.Q.Cai,Z.H.Tang,X.S.Lv,X.C.Gu,andY.C.Zhou,Useofnegativecapacitancetosimulatetheelectricalcharacteristicsindouble-gateferroelectricfield-effecttransistors.CurrentAppliedPhysics,12,1591-1595,2012. [12]Y.G.Xiao,Y.Xiong,M.H.Tang,J.C.Li,X.C.Gu,C.P.Cheng,B.Jiang,Z.H.Tang,X.S.Lv,H.Q.Cai,andJ.He,Factorsforthepolarizationlifetimeinmetal-ferroelectric-insulator-semiconductorcapacitors.SolidStateElectronics,73,84-88,2012. [13]Y.G.Xiao,M.H.Tang,J.C.Li,B.JiangandJ.He,Theinfluenceofferroelectric-electrodeinterfacelayerontheelectricalcharacteristicsofnegative-capacitanceferroelectricdouble-gatefield-effecttransistors.MicroelectronicsReliability,52(4),757-760,2012. [14]Y.G.Xiao,M.H.Tang,H.Y.Xu,J.He,Ferroelectricpropertiesandleakagebehaviorinpoly(vinylidenefluoride-trifluoroethylene)ferroelectricthinfilmswithadditivediethylphthalate.IntegratedFerroelectrics,125(1),89-97,2011.