唐明华 - 湘潭大学 - 材料科学与工程学院

当前位置： X-MOL首页 › 全球导师 › 国内导师 › 唐明华

唐明华教授收藏完善纠错
湘潭大学材料科学与工程学院
登录后才能查看导师的联系方式，马上登录...

个人简介

唐明华，男，党员，工学博士/教授，博士生导师，湖南省普通高校学科带头人(微电子学与固体电子学)，韶峰学者。1988年7月毕业于湘潭大学物理系无线电物理专业。2003年9月至2004年9月在清华大学微电子研究所学习微电子专业课程，熟悉集成电路设计、制造和测试的基本原理及工艺方法。2007年获湘潭大学材料物理与化学专业微电子材料与器件方向博士学位。2008年8月至2009年8月日本东京工业大学(ResearchLab.ofAdvancedIntegratedElectronicsoftheDepartmentofElectronicsandAppliedPhysics,TIT)高级访问学者，参与由TIT、Fujitsu公司和Toshima公司联合资助的铁电存储器(65nm半导体技术工艺)的研发工作。2011年6月至2011年9月受国家留学基金资助到新加坡南洋理工大学(NanyangTechnologyUniversity&A*STAR)做高级访问学者。湘潭大学“材料与器件”首批国家级教学团队(教高函[2007]23号)、“低维材料与器件力学”湖南省首批自然科学创新研究群体(2009年)和“薄膜材料及其器件力学”教育部创新团队(2011年)核心成员，湘潭市专业技术骨干人才(第五批)(潭市发[2012]24号)。主持国家自然科学基金项目、湖南省自然科学基金重点项目、留学回国人员科研启动基金项目、高等学校博士学科点专项科研基金(博导类)项目、湖南省教育厅重点项目等17项；作为主要成员或实际完成人，参与高等学校科技创新工程重大项目培育资金项目、国家自然科学基金项目重点项目、国家自然科学基金项目、973预研项目、国防科工局XXX项目、总装备部XXX探索项目等15项。近年来，在AdvancedMaterilas、AppliedPhysicsLetters、Nanotechnology、IEEEJournalofSolid-StateCircuits、TheIEEETransactionsonVeryLargeScaleIntegration(VLSI)Systems、IEEETransactionsonElectronDevices、IEEETransactionsonNuclearScience、MicroelectronicsReliability、MicroelectronicEngineering等国内外著名刊物上发表SCI收录学术论文141余篇，研究成果得到国内外同行的高度关注，分别被Science、NatureMaterials等国际著名期刊引用[如：Science,327(2010),1106-1110)；NatureMaterials,7(2008),425-426；NatureCommunictions,5(2014),4693等]，至2015年12月，论文被引用1075次(其中他引1021次，单篇论文他引最高为98次)。多次参加在美国、英国、法国、澳大利亚、日本、韩国、香港、北京等地举行的国际学术交流活动，并做学术报告30余次。科研项目主持的科研项目： 1.2015.01-2018.12，基于自旋极化多铁隧道结的多值存储研究，国家自然科学基金面上项目(51472210)。 2.2013.01-2016.12，铁电栅场效应晶体管存储器的单粒子效应研究，国家自然科学基金面上项目(61274107)。 3.2011.01-2013.12，LCMO/BNT磁电超晶格复合薄膜与磁电耦合效应调制，国家自然科学基金面上项目(51072171)。 4.2009.01-2011.12，无铅铁电薄膜场效应晶体管的保持性能，国家自然科学基金面上项目(60876054)。 5.2011.01-2011.12，2011年中日铁电材料及其应用会议，国家自然科学基金项目(5111030506)。 6.2013.01-2015.12，八逻辑态高密度铁电存储器的机理及实验研究，湖南省自然科学基金重点项目(13JJ2023)。 7.2012.09-2015.12，铁电栅场效应晶体管存储器的单粒子效应研究，湖南省教育厅重点项目(12A129)。 8.2011.01-2013.12，“湖南省普通高校学科带头人培养对象”专项，湖南省教育厅(湘教通[2011]388号)。 9.2011.01-2013.12，铁电场效应晶体管的保持性能与界面调控的关联性研究，高等学校博士学科点专项科研基金(博导类)(20104301110001)。 10.2010.01-2012.12，大面积高品质磁电超晶格复合薄膜的PLD法制备及磁电效应研究，第38批“留学回国人员科研启动基金”项目(教外司留[2010]609号)。 11.2011.01-2013.12，铁电薄膜场效应晶体管的保持性能与界面调控，湖南省科技厅科研项目(2010FJ3029)。 12.2008.01-2010.12，非破坏性读出无铅铁电薄膜场效应晶体管的制备及电学性能，湖南省自然科学基金重点项目(08JJ3122)。 13.2012.10-2014.10，基于铁电栅场效应晶体管的FeCMOS逻辑电路的SET效应研究，强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室开放课题。 14.2013.09-2015.09，铁电栅场效应晶体管存储器的单粒子效应研究，电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室开放课题(ZHD201304)。 15.2016.06-2018.06，铁电栅石墨烯场效应晶体管的制备及总剂量辐射效应研究，强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室开放课题。作为主要成员或实际完成人参与的科研项目： 1.2014.10-2017.09，面向太赫兹XXX的新型硅基信号预处理器件，总装备部XXX探索研究项目，排名第2。 2.2012.08-2014.08，FeCMOS基本门电路的辐照效应及机理研究，科技部973计划前期研究专项(2012CB326404)，排名第2。 3.2012.09-2015.06，XXX用高性能无铅铁电薄膜，国防科工局XXX项目(XXXX-XXX)，排名第2。 4.2009.01-2011.12，低维材料及其器件力学湖南省创新群体(09JJ7004)，核心成员。 5.2011.01-2013.12，薄膜材料及其器件力学教育部创新团队(IRT1080)，核心成员。 6.2005.01-2007.12，铋层状钙钛矿铁电薄膜的制备及其热冲击下断裂失效行为，国家自然科学基金项目(10472099)，排名第4。 7.2005.01-2007.12，无铅铁电薄膜及其纳米薄膜微器件，湖南省科技厅重点项目(05FJ2005)，排名第3。 8.2006.01-2008.12，基于晶体缺陷的铁电材料介观理论及实验表征：电畴结构和界面效应，国家自然科学基金项目(10572124)，排名第4。 9.2007.01-2009.12，无铅铁电薄膜及存储器的制备和失效行为，高等学校科技创新工程重大项目培育资金项目(076044)，排名第7。 10.2008.01-2011.12，微纳电子材料及器件的力、电、热耦合破坏理论和实验研究，国家自然科学基金重点项目(10732100)，排名第6。

研究领域

1.铁电薄膜存储器(FeRAM/FeFET)、阻变存储器(RRAM)、多铁隧道结及器件 2.磁电超晶格薄膜及相关器件 3.集成电路设计

近期论文

查看导师新发文章（温馨提示：请注意重名现象，建议点开原文通过作者单位确认）

[45]W.L.Zhang,M.H.Tang*,Y.Xiong,K.Wang,Z.P.Wang,Y.G.Xiao,S.A.Yan,Z.LiandJ.He.ImprovementofthenucleationandelectricalpropertiesofBi3.15Nd0.85Ti2.99Mn0.01O12thinfilmswithvarioustemperatureannealedBi4Ti3O12seedinglayer.RSCAdvances,6(2016)88668-88673. [44]Y.G.Xiao,D.B.Ma,J.Wang,G.Li,S.A.Yan,W.L.Zhang,Z.LiandM.H.Tang.Animprovedmodelforthesurfacepotentialanddraincurrentinnegativecapacitancefieldeffecttransistors.RSCAdvances,6(2016)103210-103214. [43]FengYang,YichenGuo,LuyanLiandMinghuaTang.AnisotropicpolarizationfatigueinBi3.15Nd0.85Ti3O12thinfilms.JournalofPhysicsD:AppliedPhysics,49(19)(2016)195305(7pp). [42]S.A.Yan,G.Li,W.Zhao,H.X.Guo,Y.Xiong,M.H.Tang*,Z.Li,Y.G.Xiao,W.L.Zhang,andZ.F.Lei.Ionizingradiationeffectonferroelectricfield-effecttransistor.JapaneseJournalofAppliedPhysics,55(2016)048001. [41]S.A.Yan,W.Zhao,H.X.Guo,Y.Xiong,M.H.Tang*,ZhengLi,Y.G.Xiao,W.L.Zhang,H.Ding,J.W.Chen,andY.C.Zhou.ImpactoftotalionizingdoseirradiationonPt/SrBi2Ta2O9/HfTaO/Simemorycapacitors.AppliedPhysicsLetters,106(1)(2015)012901. [40]FengYang,FuweiZhang,GuangdaHu,ZhihaoZongandMinghuaTang.Thickness-dependentferroelectricbehaviorofpredominantly(117)-orientedBi3.15Nd0.85Ti3O12thin-filmcapacitors.AppliedPhysicsLetters,106(17)(2015)172903. [39]SongtingLi,JianchengLi,XiaochenGu,HongyiWang,CongLi,JianfeiWu,andMinghuaTang.Reconfigurableall-bandRFCMOStransceiverforGPS/GLONASS/Galileo/Beidouwithdigitally-assistedcalibration.TheIEEETransactionsonVeryLargeScaleIntegration(VLSI)Systems,23(9)(2015)1814-1827. [38]X.Y.Xu,Y.Xiong,M.H.Tang*,Y.G.Xiao,S.A.Yan,W.L.Zhang,W.Zhao,H.X.Guo,Z.Li.Effectsofdrain-wallinmitigatingN-hitsingleeventtransientvia45-nmCMOSprocess.SemiconductorScienceandTechnology,30(1)(2015)015023. [37]S.A.Yan,G.Li,W.Zhao,H.X.Guo,Y.Xiong,M.H.Tang*,Z.Li,Y.G.Xiao,W.L.Zhang,Z.F.Lei,andY.C.Zhou.Ionizingradiationeffectonmetal-ferroelectric-insulator-semiconductormemorycapacitors.SemiconductorScienceandTechnology,30(8)(2015)085020. [36]XudongWang,JianluWang,PengWang,WeidaHu,XiaohaoZhou,NanGuo,ShuoSun,HongShen,TieLin,MinghuaTang,LeiLiao,AnquanJiang,JinglanSun,XiangjianMeng,XiaoshuangChen,WeiLu,JunhaoChu.UltrasensitiveandbroadbandMoS2photodetectordrivenbyferroelectrics.AdvancedMaterials,27(42)(2015)6575-6581. [35]D.L.Xu,Y.Xiong,M.H.Tang*,B.W.Zeng,andY.G.Xiao.BipolarandunipolarresistiveswitchingmodeinPt/Zn0.99Zr0.01O/Ptstructureformulti-bitresistancerandomaccessmemory.AppliedPhysicsLetters,104(18)(2014)183501. [34]Z.H.Tang,B.M.Wang,H.L.Yang,X.Y.Xu,Y.W.Liu,D.D.Sun,L.X.Xia,Q.F.Zhan,B.Chen,M.H.Tang*,Y.C.Zhou,J.L.Wang,andR.W.Li.Magneto-mechanicalcouplingeffectinamorphousCo40Fe40B20filmsgrownonflexiblesubstrates.AppliedPhysicsLetters,105(10)(2014)103504. [33]D.L.Xu,Y.Xiong,M.H.Tang*,B.W.Zeng.CoexistenceofthebipolarandunipolarresistiveswitchingbehaviorsinvanadiumdopedZnOfilms.JournalofAlloysandCompounds,584(2014)269-272. [32]S.A.Yan,Y.Xiong,M.H.Tang*,Z.Li,Y.G.Xiao,W.L.Zhang,W.Zhao,H.X.Guo,H.Ding,J.W.Chen,andY.C.Zhou.Impactoftotalionizingdoseirradiationonelectricalpropertyofferroelectric-gatefield-effecttransistor.JournalofAppliedPhysics,115(20)(2014)204504. [31]F.Liu,X.P.Ouyang,M.H.Tang*,Y.G.Xiao,B.Liu,X.BZhang,Y.Feng,J.P.Zhang,andJ.L.Liu.Scaling-inducedenhancementofX-raysluminescenceinCsI(Na)crystals.AppliedPhysicsLetters,102(18)(2013)181107. [30]X.D.Wang,Y.Xiong,M.H.Tang*,L.Peng,Y.G.Xiao,X.Y.Xu,S.E.Liang,X.H.Zhong,andJ.He.ASitunnelfield-effecttransistormodelwithhighswitchingcurrentratioandsteepsub-thresholdswing.SemiconductorScienceandTechnology,29(2014)095016. [29]Z.H.Tang,M.H.Tang*,X.S.Lv,H.Q.Cai,Y.G.Xiao,C.P.Cheng,Y.C.Zhou,andJ.He.EnhancedmagnetoelectriceffectinLa0.67Sr0.33MnO3/PbZr0.52Ti0.48O3multiferroicnanocompositefilmswithaSrRuO3bufferlayer,JournalofAppliedPhysics,113(16)(2013)164106. [28]Z.H.Tang,M.H.Tang*,J.Ouyang.TemperaturedependenceofmagnetoelectriceffectinBi3.15Nd0.85Ti3O12-La0.7Ca0.3MnO3multiferroiccomposite?lmsbufferedbyaLaNiO3layer.JournalofMaterialsChemistryC,2(8)(2014)1427-1435. [27]J.Q.Li,Y.Xiong,M.H.Tang*,H.X.Guo,W.Zhao,Y.G.Xiao,Z.H.Tang,S.A,Yan,W.L.Zhang,Y.C.Zhou,F.Yang,andJ.He.Simulationofmulti-levelpolarizationinferroelectrictunneljunctions.PhysicaStatusSolidiB,251(2)(2014)469-473. [26]S.T.Li,J.C.Li,X.C.Gu,H.Y.Wang,M.H.Tang,andZ.W.Zhuang.Awidely-tunable5dB-NF90dB-Gain85dB-DRCMOSTVreceiverwithdigital-assistedcalibrationformulti-standardDBSapplication.IEEEJournalofSolid-StateCircuits,48(11)(2013)2762-2774. [25]Y.G.Xiao,M.H.Tang*,J.C.Li,C.P.Cheng,B.Jiang,H.Q.Cai,Z.H.Tang,X.S.Lv,andX.C.Gu.Temperatureeffectonelectricalcharacteristicsofnegativecapacitanceferroelectricfield-effecttransistors.AppliedPhysicsLetters,100(8)(2012)083508. [24]Y.G.Xiao,Y.Xiong,M.H.Tang*,J.C.Li,C.P.Cheng,B.Jiang,Z.H.Tang,X.S.Lv,H.Q.Cai,X.C.Gu,andY.C.Zhou.Effectofdopingconcentrationofsubstratesilicononretentioncharacteristicsinmetal-ferroelectric-insulator-semiconductorcapacitors.AppliedPhysicsLetters,100(17)(2012)173504. [23]Y.G.Xiao,Z.J.Chen,M.H.Tang*,Z.H.Tang,S.A.Yan,J.C.Li,X.C.Gu,Y.C.Zhou,andX.P.Ouyang.Simulationofelectricalcharacteristicsinnegativecapacitancesurrounding-gateferroelectricfield-effecttransistors.AppliedPhysicsLetters,101(25)(2012)253511. [22]C.P.Cheng,M.H.Tang*,X.S.Lv,Z.H.Tang,Y.G.Xiao.MagnetoelectriccoupllinginLa0.6Ca0.4MnO3-Bi3.4Nd0.6Ti3O12compositethinfilmsderivedbyachemicalsolutiondepositionmethod.AppliedPhysicsLetters,101(21)(2012)212902. [21]Z.J.Chen,Y.G.Xiao,M.H.Tang*,Y.Xiong,J.Q.Huang,J.C.Li,X.C.Gu,andY.C.Zhou.Surface-potential-baseddraincurrentmodelforlong-channeljunctionlessdouble-gateMOSFETs.IEEETransactionsonElectronDevices,59(12)(2012)3292-3298. [20]G.F.Xie,Y.Xiong,B.H.Li,Y.Zhu,J.C.Li,X.C.Gu,Y.G.Xiao,M.H.Tang*.RadiationdamageeffectsbymoleculardynamicssimulationinBaTiO3ferroelectriccrystal.IEEETransactionsonNuclearScience,59(4)(2012)1731-1737. [19]Y.G.Xiao,M.H.Tang*,J.C.Li,B.JiangandJ.He.Theinfluenceofferroelectric-electrodeinterfacelayerontheelectricalcharacteristicsofnegative-capacitanceferroelectricdouble-gatefield-effecttransistors.MicroelectronicsReliability,52(4)(2012)757-760. [18]M.H.Tang*,B.Jiang,Y.G.Xiao,Z.Q.Zeng,Z.P.Wang,J.C.Li,andJ.He.Topelectrode-dependentresistanceswitchingbehaviorofZnOthinfilmsdepositedonPt/Ti/SiO2/Sisubstrate.MicroelectronicEngineering,93(2012)35-38. [17]L.B.Zhang,M.H.Tang*,J.C.Li,Y.GXiao.Effectsofappliedbiasvoltageintunneljunctionswithferroelectricbarrier.SolidStateElectronics,68(2012)8-12. [16]MinghuaTang*,XiaoleiXu,ZhiYe,YoshihiroSugiyama,andHiroshiIshiwara.ImpactofHfTaObufferlayerondataretentioncharacteristicsofferroelectric-gateFETfornonvolatilememoryapplications.IEEETransactionsonElectronDevices,58(2)(2011)370-375. [15]J.Zhang,M.H.Tang*andJ.He.Dopingconcentrationandthicknesseffectsinferroelectricthinfilms.AppliedPhysicsLetters,96(2010)122905. [14]L.B.Zhang,M.H.Tang*,J.C.Li,Y.G.Xiao,Z.Q.Zeng,Z.P.Wang,G.Y.Wang,S.B.Yang,X.L.Xu,B.JiangandJ.He.Magnetoelectriceffectinferromagnetic-ferroelectrictunnelingjunctions.TheEuropeanPhysicalJournal-AppliedPhysics,55(2011),30601(p1-p5). [13]J.Sun,X.J.Zheng,W.Yin,M.H.Tang,andW.Li.Space-charge-limitedleakagecurrentinhighdielectricconstantandferroelectricthinfilmsconsideringthefield-dependentpermittivity.AppliedPhysicsLetters,97(2010)242905. [12]L.B.Zhang,M.H.Tang*,andF.Yang.Sixteenresistivestatesofatunneljunctionwithacompositebarrier.TheEuropeanPhysicalJournal-AppliedPhysics,,51(2010)10604(p1-p5). [11]M.H.Tang*,Z.H.Sun,Y.C.Zhou,Y.Sugiyama,H.Ishiwara.Capacitance-voltageandretentioncharacteristicsofPt/SrBi2Ta2O9/HfO2/Sistructureswithvariousbufferlayerthickness.AppliedPhysicsLetters,94(2009)212907. [10]M.H.Tang*,W.Shu,F.Yang,J.Zhang,G.J.Dong,J.W.Hou.FabricationofLa-substitutedbismuthtitanatenanofibersbyelectrospinning.Nanotechnology,20(38)(2009)385602. [9]F.Yang,Y.C.Zhou,M.H.Tang*,F.Liu,Y.Ma,X.J.Zheng,W.F.Zhao,H.Y.XuandZ.H.Sun.Eight-logicmemorycellbasedonmultiferroicjunctions.JournalofPhysicsD:AppliedPhysics,42(2009)072004(1-6). [8]F.Yang,M.H.Tang*,Y.C.Zhou,F.Liu,Y.Ma,X.J.Zheng,J.X.Tang,H.Y.Xu,W.F.Zhao,Z.H.Sun,J.He.Fatiguemechanismoftheferroelectricperovskitethinfilms.AppliedPhysicsLetters,92(2008)022908. [7]X.J.Zheng,J.Sun,J.J.Zhang,MH.Tang,W.Li.Evaluationofcapacitance-voltagecharacteristicandmemorywindowofmetal-ferroelectric-insulator-siliconcapacitors.AppliedPhysicsLetters,93(2008)213501. [6]Z.Ye,M.H.Tang*,Y.C.Zhou,X.J.Zheng,C.P.Cheng,Z.S.Hu,H.P.Hu.Modelingofimprintinhysteresisloopofferroelectricthinfilmswithtopandbottominterfacelayers.AppliedPhysicsLetters,90(2007)042902. [5]Z.Ye,M.H.Tang*,Y.C.Zhou,X.J.Zheng,C.P.Cheng,Z.S.Hu,H.P.Hu.ElectricalpropertiesofV-dopedBi3.15Nd0.85Ti3O12thinfilmswithdifferentcontents.AppliedPhysicsLetters,90(2007)082905. [4]F.Yang,M.H.Tang*,Y.C.Zhou,X.J.Zheng,F.Liu,J.X.Tang,J.J.Zhang,J.Zhang,andChangQ.Sun.Amodelforthepolarizationhysteresisloopsoftheperovskite-typeferroelectricthinfilms.AppliedPhysicsLetters,91(2007)142902. [3]J.Zhang,M.H.Tang*,J.X.Tang,F.Yang,H.Y.Xu,W.F.Zhao,X.J.Zheng,Y.C.Zhou,andJ.He.Bilayermodelofpolarizationoffsetofcompositionallygradedferroelectricthinfilms.AppliedPhysicsLetters,91(2007)162908. [2]F.Yang,M.H.Tang*,Z.Ye,Y.C.Zhou,X.J.Zheng,J.X.Tang,J.J.ZhangandJ.He.Eightlogicstatesoftunnelingmagneto-electroresistanceinmultiferroictunneljunctions.JournalofAppliedPhysics,102(2007)044504. [1]X.J.Zheng,L.He,Y.C.ZhouandM.H.Tang.EffectsofeuropiumcontentonthemicrostructuralandferroelectricpropertiesofBi4-xEuxTi3O12thinfilms.AppliedPhysicsLetters,89(2006)252908.

学术兼职

IEEE会员，中国材料学会高级会员，湖南省核学会副理事长。NanoLetters、AppliedPhysicsLetters、IEEEElectronDevicesLetters、IEEETransactionsonElectronDevices、TheIEEETransactionsonVeryLargeScaleIntegration(VLSI)Systems、RSCAdvances、MaterialsResearchBulletin、MicroelectronicsReliability等19余种国际期刊审稿人。

我收藏的导师 >

便捷的期刊搜索 >

免费课题组网站 >

推荐链接