个人简介

褚君浩，著名半导体物理和器件专家，中国科学院院士，中科院上海技术物理研究所研究员，上海太阳能电池研发中心主任。 学术成就：提出了HgCdTe的禁带宽度等关系式，被国际上称为CXT公式。广泛引用并认为与实验结果最符合建立了研究窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理论模型发现HgCdTe的基本光电跃迁特性，确定了材料器件的光电判别依据开展铁电薄膜材料物理和非制冷红外探测器研究，研制成功PZT和BST铁电薄膜非制冷红外探测器并实现了热成像。