朱会丽 - 集美大学

个人简介

朱会丽，女，1978年11月生，河南省商丘县人，理学博士。 2007年11月毕业于厦门大学凝聚态物理专业博士学位。主要从事宽禁带半导体光电器件制备及性能研究，发表SCI论文10余篇。主持省级自然科学基金1项，省教育厅项目1项，校级科学基金1项，参与国家级项目3项，省级自然科学基金2项。教育及工作背景： 1997.9-2001.6河南大学物理系,获学士学位 2001.9-2004.6河南大学物理系,获硕士学位 2004.9-2007.11厦门大学物理系，获博士学位 2007.11-至今集美大学理学院物理系工作主讲课程: 本科生：《大学物理》，《半导体物理与器件》，《光电检测和测试技术》，《光电检测和测试技术实验》，《光电技术专题实验》。近五年主持的科研项目： 1.分离吸收、电荷和倍增层4H-SiC雪崩光电探测器的研制（福建省自然科学基金负责人） 2.4H-SiCp型欧姆接触的研究（集美大学科研启动基金负责人） 3.高性能4H-SiC紫外雪崩光电探测器的研制（福建省教育厅基金负责人）已授权发明专利： 1.吴正云;张峰;朱会丽;用于紫外光探测器的双层减反射膜及其制备方法,公开号:CN100447583C,2008/12/31授权. 2.吴正云;朱会丽;陈厦平;张峰;一种δ掺杂4H－SiC雪崩紫外光电探测器及其制备方法,公开号:CN100514680C,2009/07/15授权. 3.吴正云;陈厦平;朱会丽;卢嵩岳;李凌;δ掺杂4H－SiCPIN结构紫外光电探测器及其制备方法,公开号:CN101000936A,2008/11/26授权. 4.卢嵩岳;吴正云;李凌;陈厦平;朱会丽;一种PIN结构4H－SiC紫外光电探测器,公开号:CN201032635Y,2014/04/30授权

研究领域

宽禁带半导体（SiC、GaN）光电器件制备及性能研究二维半导体材料的外延生长及光电性质的第一性原理研究基于二维半导体材料的光电器件的研究

近期论文

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1.Zhu,HL;Zhou,CJ;Wang,XL;Chen,XW;Yang,WH;Wu,YP;Lin,W;PHYSICASTATUSSOLIDIB-BASICSOLIDSTATEPHYSICS,253(2016)1156-1166,“Dopingbehaviorsofadatomsadsorbedonphosphorene”(IDSNumber:DP6TJ) 2.Zhu,HL;Zhou,CJ;Huang,XJ;Wang,XL;Xu,HZ;Lin,Y;Yang,WH;Wu,YP;Lin,W;Guo,F;JOURNALOFPHYSICSD-APPLIEDPHYSICS,49(2016)065304,“EvolutionofbandstructuresinMoS2-basedhomo-andheterobilayers”(IDSNumber:DA9AV) 3.Zhou,CJ;Zhu,HL*;Yang,WH;Wu,YP;Lin,W;PHYSICASTATUSSOLIDIB-BASICSOLIDSTATEPHYSICS,252(2015)1783-1791,“Metal-atom-inducedchargeredistributionsandtheireffectsontheelectricalcontactstoWS2monolayers”(IDSNumber:CO3UI) 4.Zhou,CJ;Yang,WH;Wu,YP;Lin,W;Zhu,HL*;JOURNALOFPHYSICSD-APPLIEDPHYSICS,48(2015)285303,“TheoreticalstudyoftheinteractionofelectrondonorandacceptormoleculeswithmonolayerWS2”(IDSNumber:CL0IV) 5.Zhu,HL;Yang,WH;Wu,YP;Lin,W;Kang,JY;Zhou,CJ;CHINESEPHYSICSB,24(2015)077301,“AuandTiinducedchargeredistributionsonmonolayerWS2”(IDSNumber:CP1UU) 6.Zhou,CJ;Wu,YP;Chen,XH;Lin,W;Zhou,YH;Kang,JY;Zhu,HL;NANO-MICROLETTERS,7(2015)194-202,“NovelEvolutionProcessofZn-InducedNanoclustersonSi(111)-(7x7)Surface”(IDSNumber:CF1HR) 7.Zhou,CJ;Yang,WH;Zhu,HL*;JOURNALOFCHEMICALPHYSICS,142(2015)214704,“MechanismofchargetransferanditsimpactsonFermi-levelpinningforgasmoleculesadsorbedonmonolayerWS2”(IDSNumber:CK0YM) 8.Huang,XJ;You,RY;Wang,XL;Fu,XM;ZhuHL；OPTOELECTRONICSLETTERS,6(2010)0473-0476,“Polarizabilityandabnormalinfraredspectraofmoleculesadsorbedonmetalnanostructuredsurfaces” 9.Zhu,HL;Chen,XP;Cai,JF;Wu,ZY；SOLID-STATEELECTRONICS,53(2009)7-10,“4H-SiCultravioletavalanchephotodetectorswithlowbreakdownvoltageandhighgain”(IDSNumber:395VS) 10.Zhang,F;Zhu,HL;Yang,WF;Wu,ZY;Qi,HJ;He,HB;Fan,ZX;Shao,JD；APPLIEDSURFACESCIENCE,254(2008)3045-3048,“Al2O3/SiO2filmspreparedbyelectron-beamevaporationasUVantireflectioncoatingson4H-SiC”(IDSNumber:277VV) 11.Zhang,F;Yang,WF;Huang,HL;Chen,XP;Wu,ZG;Zhu,HL;Qi,HG;Yao,JK;Fan,ZX;Shao,JD；APPLIEDPHYSICSLETTERS,92(2008)251102,“High-performance4H-SiCbasedmetal-semiconductor-metalultravioletphotodetectorswithAl(2)O(3)/SiO(2)films”(IDSNumber:320KC) 12.Cheng,PH;Zhu,HL;Bai,Y;Zhang,YK;He,TC;Mo,YJ；OPTICSCOMMUNICATIONS,270(2007)391-395,“Third-ordernonlinearopticalresponseofsiliconnanostructuresdispersedinorganicsolventunder1064nmand532nmlaserexcitations”(IDSNumber:135MM) 13.Chen,XP;Zhu,HL;Cai,JF;Wu,ZY；JOURNALOFAPPLIEDPHYSICS,102(2007)024505,“High-performance4H-SiC-basedultravioletp-i-nphotodetector”(IDSNumber:196MD) 14.周昌杰；吴雅苹；陈晓航；周颖慧；朱会丽；康俊勇；厦门大学学报（自然科学版），54(2015)80-86，“纤锌矿结构ZnO（0001）-Zn和（000-1）-O极性表面稳定几何及电子结构性质” 15.朱会丽；陈厦平；吴正云；半导体学报，28(2007)284-288，“吸收层与倍增层分离的4H-SiC雪崩光电探测器” 16.朱会丽；陈厦平；吴正云；量子电子学报，24(2007)743-747，“用于4H-SiC雪崩光电探测器P型欧姆接触的研究” 17.吕英;庞爱锁;杨伟锋;陈厦平;朱会丽;吴正云；福州大学学报（自然科学版），35(2007)8-10，“不同工作压强下ICP刻蚀对SiC表面损伤的研究” 18.朱会丽；尹延锋；兰燕娜；莫育俊；河南大学学报（自然科学版），36(2006)47-49，“电化学脉冲腐蚀制备均匀发光多孔硅” 19.孔令民；蔡加法；陈厦平；朱会丽；吴正云；牛智川；半导体光电，26(2005)519-522，“多层InAs量子点的光致发光研究” 20.白莹；兰燕娜；朱会丽；莫育俊；光学学报，25(2005)1712-1716，“多孔硅拉曼光谱随激发功率变化的研究” 21.兰燕娜；杜银霄；朱会丽；董华；高影；莫育俊；光子学报，33(2004)1461-1464，“多孔硅在30～180℃温区光致发光谱的研究”