刘洪刚 - 中国科学院大学

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学 085208-电子与通信工程 080904-电磁场与微波技术招生方向射频、微波器件与电路集成技术高可靠性器件与集成技术纳米电子器件教育背景 2003-09--2006-02 Simon Fraser University 博士后 2000-09--2003-07 中科院微电子所博士学位工作简历 2009-09~现在, 中科院微电子所, 研究员 2006-02~现在, 瑞士联邦理工学院, 副研究员专利成果（ 1 ）高迁移率III-V族半导体MOS界面结构, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010118896.5 （ 2 ）一种高迁移率CMOS集成单元, 发明, 2010, 第 2 作者, 专利号: 201010578514.7 （ 3 ）一种高迁移率衬底结构及其制备方法, 发明, 2011, 第 2 作者, 专利号: 201010578522.1 （ 4 ）一种硅基张应变衬底结构及其制备方法, 发明, 2011, 第 2 作者, 专利号: 201110124329.5 （ 5 ）一种硅基III-V族半导体材料的集成方法, 发明, 2009, 第 1 作者, 专利号: 200910312160.9 （ 6 ）一种III-V族半导体MOS界面结构, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110138043.2 （ 7 ） InP基MOSHEMT结构及其制备方法, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106711211 （ 8 ）一种双栅InGaAs PMOS场效应晶体管, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106298947 发表著作（1） Passivation and Characterization in High-k/III-V Interfaces, Springer Publisher, New York, USA, 2017-02, 第 2 作者科研项目（ 1 ）高迁移率CMOS新结构器件与工艺集成研究, 主持, 国家级, 2011-01--2016-12 （ 2 ）半导体二维原子材料的器件构建、集成与性能研究, 主持, 国家级, 2017-01--2021-12 （ 3 ）毫米波雷达关键芯片与演示系统, 参与, 国家级, 2017-01--2021-12 参与会议（1）Growth of Epitaxial Beryllium Oxide on Ge (111) by Molecular Beam EpitaxyGrowth of Epitaxial Beryllium Oxide on Ge (111) by Molecular Beam Epitaxy S. K. Wang, HG Liu 2012-09-25 （2）A Multi-band THz Regime Metameterial Design Using a Paired Metallic Circular-strip Structure Xudong Cui, Honggang Liu 2010-05-09 （3）600 GHz InP-GaAsSb DHBTs grown by MOCVD with a GaAsSb graded-base and fTXBVCEO higher than 2.5 THz-V at room temperature HG Liu 2007-12-21 （4）The InP/GaAsSb type II heterostructure system and its application to high-speed DHBTs and photodetectors: physics, surprises, and opportunities HG Liu 2005-12-22

研究领域

先进半导体器件；射频毫米波电路；

近期论文

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（1） Modification of Al2O3/InP interfaces using sulfur and nitrogen passivations, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017, 通讯作者（2） High Performance InGaAs MOSFETs with an InGaP Interface Control Layer and ALD-Al2O3 Gate Oxide for RF Switch Applications, Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS MANTECH 2017), 2017, 通讯作者（3） Positive Bias Temperature Instability Degradation of Buried InGaAs Channel nMOSFETs with InGaP Barrier Layer and Al2O3 Dielectric, Chinese Physics Letters, 2017, 通讯作者（4） Kinetic Study of GeO Disproportionation into GeO2/Ge System Using X-ray Photoelectron Spectroscopy, Applied Physics Letters, 2012, 通讯作者（5） Extrinsic Base Surface Passivation in Terahertz GaAsSb/InP DHBTs Using InGaAsP Ledge Structures, IEEE Transaction on Electron Devices, 2011, 第 1 作者（6） Extrinsic Base Surface Passivation in High Speed Type-II GaAsSb/InP DHBTs Using an InGaAsP Ledge Structure, Chinese Physics Letters, 2010, 第 1 作者（7） Emitter Size Effects and Ultimate Scalability of InP: GaInP/GaAsSb/InP DHBTs, IEEE Electron Device Letters, 2008, 第 1 作者（8） High-current-gain InP/GaInP/GaAsSb/InP DHBTs with fT = 436 GHz, IEEE Electron Device Letters, 2007, 第 1 作者（9） Extraction of the Average Collector Velocity in High Speed “Type-II” InP-GaAsSb-InP DHBTs, IEEE Electron Device Letters, 2004, 第 1 作者