个人简介

招生信息 1、招生专业：微电子学与固体电子学 2、招生方向：无机材料制备与表征；半导体工艺及其集成；存储器失效分析 招生专业 080903-微电子学与固体电子学 085208-电子与通信工程 教育背景 学历 1.1993.9-1997.7，山东轻工业学院，无机材料系，材料学专业，本科 2.1997.9-1998.7，中国科学技术大学，材料科学与工程系，材料学专业，学习硕士学位基础课程 3.1998.8-2000.7，中国科学院上海光学精密机械研究所，材料学专业，硕士研究生 4.2000.8-2003.5，中国科学院上海光学精密机械研究所，材料学专业，博士研究生 5.2003.6-2005.3，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，微电子学与固体电子学专业，博士后 学位 1.1993.9-1997.7，山东轻工业学院，无机材料系，材料学专业，工学学士（1997.7）-导师滕立冬教授 2.1997.9-2000.7，中国科学院上海光学精密机械研究所，材料学专业，工学硕士（2000.8）-导师王豪副研究员 3.2000.8-2003.5，中国科学院上海光学精密机械研究所，材料学专业，工学博士（2003.8）-导师干福熹院士 工作经历 1.2005.3-至今，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，相变存储器（PCRAM）的材料、单项工艺及其集成、芯片失效分析、8和12英寸平台建设与运行、项目管理与协调。 个人简历 刘波男，汉族，1973年8月出生，山东省临沭县人，博士（后），研究员，博士研究生导师，“九三学社”社员，国家纳米重大科学研究计划（973）项目首席科学家。1997年毕业于山东轻工业学院，1997-1998年期间在中国科学技术大学学习硕士学位基础课程，2000年获中国科学院上海光学精密机械研究所工学硕士学位，2000-2003年间在中国科学院上海光学精密机械研究所师从干福熹院士从事光存储技术研究，并获工学博士学位，2003-2005年期间在中国科学院上海微系统与信息技术研究所从事微电子学与固体电子学专业博士后研究，2005年出站后留所工作。先后荣获中国科学院卢嘉锡青年人才奖、上海市青年科技启明星跟踪、上海市青年科技启明星、中国博士后科学基金资助金、中国科学院王宽诚博士后工作奖励基金、上海-应用材料研究与发展基金研究生奖学金和中国科学院彭荫刚科技奖学金等多项奖励。主要研究方向是无机相变材料和纳米材料、光存储技术、纳电子相变存储器等。作为负责人主持过国家纳米重大科学研究计划（973）项目（作为首席科学家）、国家863计划重点项目子课题、国家863计划目标导向类项目、国家自然科学基金和上海市科委等科研项目12项，作为项目骨干参加过国家集成电路重大专项、国家纳米重大科学研究计划、国家863、国家973、中国科学院、上海市科委、与美国SST公司的国际合作项目等科研项目20项。在国内首次研究了硫系化合物相变薄膜的激光致相变特性，系统研究了高密度可擦重写相变光盘的制备工艺，是我国相变存储器（PCRAM）研究方向的开创者之一，在新型相变材料、电极材料、器件单项工艺开发及其集成方面获得多项国内领先的科研成果，具体负责完成8英寸PCRAM专用平台的搭建工作，正在开展12英寸PCRAM专用平台的搭建工作，研制出具有完整功能的1Kb-8Mb试验芯片。已发表学术论文165篇，期刊论文139篇，论文被引用495次，其中第一作者他引409次，申请发明专利126项，其中授权发明专利37项，参与了《中国材料工程大典》、《光子学技术与应用》、《相变存储器》和《大辞海》等多部著作的编写工作，直接指导研究生5名，协助指导研究生14名。

研究领域

1、无机材料 2、半导体存储器 3、光存储技术

作为负责人承担的科研项目 1.国家纳米重大科学研究计划（973）项目，“相变存储器规模制造技术关键基础问题研究”（2010CB934300），2010.1-2014.8 2.上海市青年科技启明星跟踪项目，“PCRAM相变材料刻蚀与抛光工艺及机理研究”（09QH1402600），2009.7-2011.6 3.国家863重点项目子课题，“相变随机存储器存储材料及关键技术”（2008AA031402），2008.12-2010.12 4.国家863计划，“C-RAM芯片关键技术研究”（2006AA03Z360），2006.12-2008.12 5.国家自然科学基金项目，“CRAM新型存储材料GeTi及其存储机理研究”（60706024），2008.1-2008.12 6.上海市科委“登山行动计划”项目研发基地配套专项项目，“高密度C-RAM纳米加工工艺研究”（06DZ22017），2006.10-2008.9 7.上海市科学技术发展基金基础计划处青年科技启明星计划项目，“C-RAM器件关键纳米加工工艺研究”（06QA14060），2006.7-2008.6 8.上海市科学技术发展基金基础计划处重点项目，“硫系化合物相变材料的P/N型特性研究”（05JC14076），2005.10-2007.9 9.上海市自然科学基金项目，“新型C-RAM相变材料制备工艺及其性能表征”（04ZR14154），2004.11-2006.12 10.上海市科学技术发展基金纳米技术专项，“纳电子器件C-RAM关键材料制备工艺”（0352nm016），2003.10-2005.9 11.中国博士后科学基金会（ChinaPostdoctoralFoundation-2003034308）资助项目，“纳电子器件C-RAM关键材料-硫系化合物薄膜的制备工艺”，2003-2005 12.中国科学院王宽诚博士后工作奖励基金（K.C.WongEducationFoundation,HongKong）资助（20030916104305），2003-2005 作为骨干承担的科研项目 1.上海市科学技术发展基金纳米技术专项，“12英寸PCRAM工程化关键纳米加工技术研究”（1052nm07000），2010.3-2012.6 2.国家集成电路重大专项项目，“65-45-32纳米成套工艺研发与产业化”（2009ZX02023）子课题“45nm相变存储器工程化关键技术与应用”（2009ZX02023-003），2009.1-2011.12 3.上海市“科技创新行动计划”研发基地建设项目，“8英寸相变存储器工艺平台关键技术研究”（08DZ2200700），2008.7-2010.9 4.上海市科委AM基金项目，“新型相变存储器用无Te高速低功耗相变材料及器件的研究”（07SA08），2008.1-2009.6 5.国家纳米重大科学研究计划（973）项目，“基于纳米结构的相变机理及嵌入式PCRAM应用基础研究”（2007CB935400），3276.33万，课题“PCRAM的纳米共性技术研究”（2007CB935404），2007.7-2011.8 6.上海市科学技术发展基金纳米技术专项，“高密度PCRAM存储单元及其集成技术研究”（0752nm013），2007.9-2009.8 7.国家973项目，“纳米尺度硅基集成电路中新材料的基础研究”（2006CB302706），2006.9-2010.12 8.上海市科学技术发展基金纳米技术专项，“C-RAM芯片设计和关键制备技术研究”（0652nm003），2006.10-2008.9 9.中国科学院JGZC项目，“相变存储器(C-RAM)材料与芯片技术研究”（61501050405），2006.1-2008.12 10.中国科学院科研装备研制和改造项目，“多功能磁控等离子体工艺系统”（Y2005027），2005.12-2007.7 11.上海市科学技术发展基金基础计划处优秀学科带头人计划项目，“新型纳米相变材料及其相变机理研究”（06XD14025），2006.10-2008.9 12.上海市科学技术发展基金AM基金项目，“用于相变存储器器件单元制备的电子束纳米光刻工艺研究”（AM0517），2005-2007 13.与SST(SiliconStorageTechnology)的国际合作项目，“C—RAM的研究”，2003-2009 14.上海市科学技术发展基金纳米技术专项，“C-RAM器件单元制备工艺及关键测试、演示系统研究”(0452nm012)，2004.10-2006.7 15.中国科学院科技创新基金项目，“相变型存储器C-RAM关键材料制备与器件工艺探索”（CXJJ-124），2004.10-2005.9 16.国家863计划，“纳米C-RAM集成器件关键技术研究”（2004AA302G20），2004.7-2006.3 17.上海市科学技术发展基金重点实验室专项资金计划，“相变半导体存储器关键技术研究”（04DZ05612），2004.7-2006.6 18.国家863计划，“纳电子器件C-RAM关键技术研究”（2003AA302720），2003.7-2005.11 19.上海市科学技术发展基金纳米技术专项，“纳米半导体薄膜材料加工测试平台”（0359nm204），2003.1-2004.8 20.国家自然科学基金资助项目，“CVD金刚石过程中C60的伴生研究”(59682005)，1997-1999 21.中国科学院九五攻关项目“新型高密度光盘存储材料和技术的基础研究”(KJ951-B1-701) 22.“九五”国家自然科学基金重大项目“蓝绿光高密度光盘存储材料研究”（59832060） 23.上海市科学技术发展基金项目，“超高密度数字信息存储的物理基础和关键技术研究”(99JC14009) 授权发明专利目录： 1.刘波、宋志棠、封松林、张挺、夏吉林、陈邦明。可用于相变存储器多级存储的相变材料，专利号：ZL200410067987.5，申请日期：2004-11-10，授权公告日：2007-7-11 2.刘波、宋志棠、封松林、陈邦明。一种相变微、纳电子存储器器件及制作方法，专利号：ZL200410053752.0，申请日期：2004-8-13，授权公告日：2007-12-19 3.刘波、宋志棠、封松林。采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器器件单元的方法，专利号：ZL200510110783.X，申请日期：2005-11-25，授权公告日：2008-4-23 4.刘波、宋志棠、封松林、陈鲍明。一种纳米相变存储器器件单元的制备方法，专利号：ZL200410053564.8，申请日期：2004-8-6，授权公告日：2008-6-25 5.刘波、宋志棠、封松林、陈宝明。相变材料呈环形的相变存储器器件单元及制备方法，专利号：ZL200710043924.X，申请日期：2007-7-17，授权公告日：2009-8-19 6.刘波、宋志棠、张挺、封松林。掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法，专利号：ZL200910053119.4，申请日期：2009-6-15，授权公告日：2011-2-16 7.宋志棠、刘波、徐成、徐嘉庆、刘卫丽、封松林、陈邦明。可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法，专利号：ZL200510026541.2，申请日期：2005-6-8，授权公告日：2008-12-3 8.宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。相变存储器存储单元及其制备方法，专利号：ZL200610117153.x，申请日期：2006-10-13，授权公告日：2009-2-11 9.宋志棠、刘波、封松林、刘建超。基于硫系化合物相变材料的限流器及制作方法，专利号：ZL200710036527.X，申请日期：2007-1-17，授权公告日：2009-2-11 10.宋志棠、刘波、宝民、丁晟、刘卫丽、封松林。高密度相变存储器的结构与制备的工艺，专利号：ZL200810033926.5，申请日期：2008-2-26，授权公告日：2010-12-8 11.张楷亮、宋志棠、刘波、刘卫丽、封松林、陈邦明。硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用，专利号：ZL200410066674.8，申请日期：2004-9-24，授权公告日：2007-2-14 12.吴良才、宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。一种制备相变存储器纳米加热电极的方法，专利号：ZL200510111118.2，申请日期：2005-12-2，授权公告日：2008-10-1 13.吴良才、宋志棠、刘波、冯高明、封松林。减小相变存储器加热电极面积的方法，专利号：ZL200610028107.2，申请日期：2006-6-23，授权公告日：2009-2-11 14.张挺、宋志棠、刘波、封松林。用于相变存储器的过渡层，专利号：ZL200810032862.7，申请日期：2008-1-22，授权公告日：2009-12-2 15.张挺、宋志棠、刘波、刘卫丽、封松林、陈邦明。一种无碲存储材料、制备方法及应用，专利号：ZL200710040302.1，申请日期：2007-4-29，授权公告日：2010-1-20 16.冯高明、宋志棠、刘波、封松林、万旭东、吴关平。柱状纳米加热电极的制备方法，专利号：ZL200910052406.3，申请日期：2009-6-2，授权公告日：2010-9-8 17.张挺、宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。制造三维立体堆叠的电阻转换存储器的方法，专利号：ZL200910045084.X，申请日期：2009-1-8，授权公告日：2010-10-13 18.张挺、宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。自对准肖特基二极管及相应电阻转换存储器制造方法，专利号：ZL200810207298.8，申请日期：2008-12-18，授权公告日：2010-10-27 19.宋志棠、张挺、刘波、刘卫丽、封松林、陈邦明。纳米复合相变材料及其制备方法，专利号：ZL200810038906.7，申请日期：2008-6-13，授权公告日：2010-11-17 20.吕士龙、宋志棠、刘波、封松林。相变存储器的制备方法，专利号：ZL200910045441.2，申请日期：2009-1-23，授权公告日：2010-12-29 21.冯高明、宋志棠、刘波、封松林、万旭东、吴关平。相变存储器加热电极的制备方法，专利号：ZL200910052407.8，申请日期：2009-6-2，授权公告日：2010-12-29 22.张挺、宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。双浅沟道隔离的双极型晶体管选通的相变存储单元及方法，专利号：ZL200810035939.6，申请日期：2008-4-11，授权公告日：2011-4-20 23.张挺、宋志棠、刘波、刘卫丽、封松林、陈邦明。一种纳米复合相变材料的制备方法，专利号：ZL200810038907.1，申请日期：2008-6-13，授权公告日：2011-5-4 24.张挺、宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。动态相变存储器，专利号：ZL200810040851.3，申请日期：2008-7-22，授权公告日：2011-6-1 25.张挺、宋志棠、刘波、封松林。一种三维堆叠非相变所致电阻转换存储装置及其制造方法，专利号：ZL200810042296.8，申请日期：2008-8-29，授权公告日：2011-6-1 26.宋志棠、夏吉林、刘卫丽、刘波、封松林。一种纳电子相变存储器的制备方法，专利号：ZL200410053565.2，申请日期：2004-8-6，授权公告日：2007-2-14 27.宋志棠、吴良才、刘卫丽、刘波、封松林。一种抗辐照高可靠的相变存储器器件单元及其制作方法，专利号：ZL200710044534.4，申请日期：2007-8-3，授权公告日：2009-7-22 28.张挺、宋志棠、万旭东、刘波、封松林、陈邦明。双浅沟道隔离的双极型晶体管阵列的制造方法，专利号：ZL200810041516.5，申请日期：2008-8-8，授权公告日：2010-4-7 29.宋志棠、凌云、龚岳峰、刘波、封松林。多态相变存储器单元器件及制备方法，专利号：ZL200910047721.7，申请日期：2009-3-17，授权公告日：2010-6-30 30.宋志棠、冯高明、钟旻、刘波、封松林。低压低功耗、高密度相变存储器单元阵列的制备方法，专利号：ZL200910045929.5，申请日期：2009-1-22，授权公告日：2010-8-4 31.张挺、宋志棠、顾怡峰、刘波、封松林、陈邦明。电阻转换存储器及其制造方法，专利号：ZL200810202824.1，申请日期：2008-11-17，授权公告日：2011-1-26 32.张挺、宋志棠、顾怡峰、刘波、张复雄、向阳辉、封松林、陈邦明。集成多种电阻转换存储模块的芯片及其制造方法，专利号：ZL200910053998.0，申请日期：2009-6-26，授权公告日：2011-1-26 33.丁晟、宋志棠、陈邦明、刘波、陈小刚、蔡道林、封松林。一种提高相变存储器编程速度的系统及方法，专利号：ZL200810040952.0，申请日期：2008-7-24，授权公告日：2011-4-20 34.张挺、宋志棠、丁晟、刘波、封松林、陈邦明。提升相变存储器编程速度的方法及实现方法，专利号：ZL200810202405.8，申请日期：2008-11-7，授权公告日：2011-4-20 35.张挺、宋志棠、顾怡峰、刘波、封松林。一种自对准制造基于含锑的肖特基二极管阵列的方法，专利号：ZL200810207453.6，申请日期：2008-12-19，授权公告日：2011-5-11 36.宋志棠、丁晟、陈邦明、刘波、陈小刚、蔡道林、封松林。一种新型存储系统，专利号：ZL200810040948.4，申请日期：2008-7-24，授权公告日：2011-6-1 37.韩晓东、成岩、王珂、张泽、宋志棠、刘波、张挺、封松林。用于相变存储器的Si-Te-Sb系列相变薄膜材料，专利号：ZL200810103803.4，申请日期：2008-4-11，授权公告日：2010-2-17 申请发明专利目录： 1.刘波、宋志棠、封松林、陈邦明。用于相变存储器的加热电极材料及制备方法，申请号：200610023390.X，申请日期：2006-1-18 2.刘波、宋志棠、张挺、封松林。包含夹层的相变存储器及制作方法，申请号：200910045870.X，申请日期：2009-1-23 3.刘波、宋志棠、张挺、李莹、钟旻、封松林。相变存储单元及其制作方法，申请号：201110020727.2，申请日期：2011-1-18 4.宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。纳电子相变存储器器件单元的制备方法，申请号：200510030636.1，申请日期：2005-10-19 5.宋志棠、刘波、梁爽、陈小刚、封松林。相变存储器器件单元测试系统及测试方法，申请号：200610028229.1，申请日期：2006-6-27 6.宋志棠、刘波、梁爽、陈小刚、封松林。相变存储器器件单元阵列演示系统及可视化演示的方法，申请号：200610028740.1，申请日期：2006-7-7 7.宋志棠、刘波、丁晟、刘卫丽、陈宝明、封松林。用于相变存储器的黏附层材料及制备方法，申请号：200810034355.7，申请日期：2008-3-7 8.宋志棠、刘波、沈菊、封松林。相变存储器驱动电路，申请号：200810036618.8，申请日期：2008-4-25 9.宋志棠、吴良才、刘波、封松林、BomyChen。实现探针与相变存储器器件单元纳米电极可靠接触的方法，申请号：200610023827.X，申请日期：2006-2-1010.宋志棠、吕士龙、刘波、封松林。电子束曝光中套刻工艺的实现方法，申请号：200610030768.9，申请日期：2006-9-1 11.宋志棠、沈婕、刘波、封松林、陈邦明。用于相变存储器的锗钛基存储材料及其制备方法，申请号：200610117815.3，申请日期：2006-10-31 12.宋志棠、丁晟、刘波、封松林。相变内存读、写操作可调脉宽的控制电路的设计方法，申请号：20081003351.4，申请日期：2008-2-1 13.宋志棠、徐成、刘波、封松林。用于降低相变存储器单元功耗的氧化物隔热层及实现方法，申请号：200810033519.4，申请日期：2008-2-4 14.宋志棠、丁晟、刘波、宝民、封松林、刘卫丽。多层次相变存储阵列与下层外围电路互连的方法，申请号：200810033917.6，申请日期：2008-2-26 15.宋志棠、丁晟、刘波、宝民、封松林、刘卫丽。三维立体结构相变存储器芯片的电路设计准则及实现方法，申请号：200810033924.6，申请日期：2008-2-2616.宋志棠、沈菊、刘波、封松林。相变存储器1R1T结构和所使用的驱动电路的设计方法，申请号：200810036619.2，申请日期：2008-4-25 17.张挺、宋志棠、刘波、封松林。一种存储介质材料，申请号：200810040850.9，申请日期：2008-7-22 18.张挺、宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。一种可再编程的激光融丝器件和连续调整融丝电阻的方法，申请号：200810041395.4，申请日期：2008-8-5 19.张挺、宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。电可再编程熔丝器件，申请号：200810041871.2，申请日期：2008-8-19 20.宋志棠、丁晟、刘波、凌云、陈小刚、蔡道林、封松林。相变存储单元器件的复合电极结构，申请号：200810042218.8，申请日期：2008-8-29 21.王良咏、宋志棠、刘波、封松林。硫系化合物相变材料氧化铈化学机械抛光液，申请号：200810201175.3，申请日期：2008-10-14 22.张挺、宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。一种电阻转换存储器单元，申请号：200810203356.X，申请日期：2008-11-25 23.宋志棠、张挺、刘波、封松林。基于SiSb复合材料的相变存储器单元，申请号：200810203357.4，申请日期：2008-11-25 24.张挺、宋志棠、刘波、封松林。具有双浅沟道隔离槽的高密度二极管阵列的制造方法，申请号：200810203942.4，申请日期：2008-12-3 25.宋志棠、吕士龙、刘波、封松林。相变存储器的制备方法，申请号：200810204446.0，申请日期：2008-12-11 26.张挺、宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。肖特基二极管及制造方法、电阻转换存储器制造方法，申请号：200810205004.8，申请日期：2008-12-30 27.吕士龙、宋志棠、刘波、封松林。具有新型电极结构的相变存储器的制备方法，申请号：200910045441.2，申请日期：2009-1-23 28.吕士龙、宋志棠、刘波、封松林。一种低功耗相变存储器的制备方法，申请号：200910046056.X，申请日期：2009-2-10 29.张挺、宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。电阻转换存储器，申请号：200910046487.6，申请日期：2009-2-23 30.冯高明、宋志棠、刘波、封松林、万旭东、吴关平。一种纳米级柱状相变存储器单元陈列的制备方法，申请号：200910050396.X，申请日期：2009-4-30 31.冯高明、宋志棠、刘波、封松林、万旭东、吴关平。柱状纳米加热电极的制备方法，申请号：200910052406.3，申请日期：2009-6-2 32.冯高明、宋志棠、刘波、封松林、万旭东、吴关平。柱状相变材料纳米阵列及其制备方法，申请号：200910052408.2，申请日期：2009-6-2 33.张挺、宋志棠、刘波、封松林。一种开发和筛选想变存储材料的方法，申请号：200910053519.5，申请日期：2009-6-19 34.王良咏、宋志棠、刘波、封松林。SiSb基相变材料用化学机械抛光液，申请号：200910054391.4，申请日期：2009-7-3 35.宋三年、宋志棠、刘波、吴良才、封松林。导电氧化物过渡层及含该过渡层的相变存储器单元，申请号：200910055148.4，申请日期：2009-7-21 36.张挺、宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。电阻转换存储器装置及其制造工艺，申请号：201010127295.0，申请日期：2010-3-18 37.张挺、宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。电阻转换存储器装置及其制造工艺，申请号：201010127277.2，申请日期：2010-3-18 38.张挺、宋志棠、刘波、万旭东、吴关平、封松林、陈邦明。二极管及电阻转换存储器的制造方法，申请号：201010130588.4，申请日期：2010-3-22 39.宋志棠、龚岳峰、刘波、李宜瑾、张挺、凌云。共用金属层的肖特基二极管和相变存储器及其制造方法，申请号：201010138167.6，申请日期：2010-4-1 40.张挺、宋志棠、刘波、封松林。纳米级侧壁限制电阻转换存储器单元及制造方法，申请号：201010141273.X，申请日期：2010-4-6 41.徐成、宋志棠、刘波、吴关平。一种相变存储器器件单元及制备方法，申请号：201010152455.7，申请日期：2010-4-20 42.王良咏、宋志棠、刘波、刘卫丽、钟旻、封松林。一种相变材料抛光后清洗液，申请号：201010189161.1，申请日期：2010-6-1 43.王良咏、宋志棠、刘波、刘卫丽、封松林。可控氧化硅去除速率的化学机械抛光液，申请号：201010189145.2，申请日期：2010-6-1 44.张挺、宋志棠、刘波、封松林。肖特基二极管、半导体存储器及其制造工艺，申请号：201010199669.X，申请日期：2010-6-12 45.张挺、宋志棠、刘波、封松林。多层堆叠电阻转换存储器的制造方法，申请号：201010206329.5，申请日期：2010-6-22 46.徐成、宋志棠、刘波、封松林。具有侧壁加热电极相变材料的存储器单元及制备方法，申请号：201010225613.7，申请日期：2010-7-13 47.张挺、宋志棠、刘波、吴关平、成岩、封松林。制备复合材料的可组装靶材、其制造、修复和改装方法，申请号：201010237976.2，申请日期：2010-7-27 48.张挺、宋志棠、刘波、吴关平、张超、封松林、陈邦明。制备纳米晶电阻转换材料的方法，申请号：201010289914.6，申请日期：2010-9-21 49.张挺、宋志棠、刘波。无线操控显示系统，申请号：201010528933.X，申请日期：2010-11-2 50.张挺、宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。硅锑碲复合相变材料，申请号：201010537183.2，申请日期：2010-11-9 51.任万春、宋志棠、刘波。一种相变存储单元及其形成方法，申请号：201110037012.8，申请日期：2011-2-12 52.张挺、宋志棠、冯高明、刘波、封松林、陈邦明。相变薄膜场效应晶体管单元器件及其制作方法，申请号：200610024614.9，申请日期：2006-3-10 53.宋志棠、凌云、龚岳峰、刘波、封松林。相变存储器单元器件的结构的改进，申请号：200810033601.7，申请日期：2008-2-15 54.丁晟、宋志棠、陈邦明、刘波、陈小刚、蔡道林、封松林。非易失顺序模块式存储器、其数据存储及读取方法，申请号：200810040949.9，申请日期：2008-7-24 55.宋志棠、丁晟、陈邦明、刘波、陈小刚、蔡道林、封松林。一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法，申请号：200810040950.1，申请日期：2008-7-24 56.张挺、宋志棠、丁晟、刘波、封松林、陈邦明。一种电阻转换存储单元及其方法，申请号：200810200269.9，申请日期：2008-9-23 57.张挺、宋志棠、顾怡峰、刘波、封松林。含锑材料作为电阻转换存储材料的应用，申请号：200810201407.5，申请日期：2008-10-20 58.张挺、宋志棠、顾怡峰、刘波、封松林。二极管驱动电阻转换存储器单元及其制造方法，申请号：200810201901.1，申请日期：2008-10-29 59.顾怡锋、宋志棠、张挺、刘波、封松林。一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用，申请号：200910050392.1，申请日期：2009-4-30 60.丁晟、宋志棠、陈后鹏、刘波。一种相变存储器快速读取装置及方法，申请号：200910195367.2，申请日期：2009-9-8 61.张超、宋志棠、万旭东、刘波、吴关平、张挺、杨左娅、谢志峰。有效抑制自掺杂效应的外延生长方法，申请号：201010271287.3，申请日期：2010-8-31 62.王良咏、宋志棠、刘卫丽、刘波、钟旻、封松林。硫系化合物相变材料抛光后清洗液，申请号：201010281508.5，申请日期：2010-9-14 63.张超、宋志棠、万旭东、刘波、吴关平、张挺、杨左娅、谢志峰。双浅沟道隔离的外延二极管阵列的制备方法，申请号：201010289920.1，申请日期：2010-9-21 64.张挺、宋志棠、刘旭焱、刘波、封松林。多层堆叠的存储器及其制造方法，申请号：201010512040.6，申请日期：2010-10-19 65.任万春、向阳辉、宋志棠、刘波。相变随机存储器的制造方法，申请号：201010534163.X，申请日期：2010-11-5 66.任万春、向阳辉、宋志棠、刘波。相变存储器的制作方法，申请号：201010568380.0，申请日期：2010-11-30 67.宋志棠、夏梦姣、饶峰、刘波、封松林。一种微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料及制备方法，申请号：201010591390.6，申请日期：2010-12-16 68.任万春、向阳辉、宋志棠、刘波。相变存储器的加热层制备方法，申请号：201010594920.2，申请日期：2010-12-17 69.任万春、向阳辉、宋志棠、刘波。相变存储器的制作方法，申请号：201010601467.3，申请日期：2010-12-22 70.张挺、朱南飞、宋志棠、刘波、吴关平、张超、谢志峰、封松林。一种电阻转换存储器结构及其制造方法，申请号：201110026033.x，申请日期：2011-1-24 71.王良咏、宋志棠、刘卫丽、刘波、钟旻、何敖东。化学机械抛光液，申请号：201110072199.5，申请日期：2011-3-24 72.张挺、陈婉、宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。多层堆叠电阻转换存储器结构，申请号：201110091476.7，申请日期：2011-4-12 73.许建安、饶峰、宋志棠、刘波、吴良才。相变存储材料及其制备方法，申请号：201110103185.5，申请日期：2011-4-22 74.吕业刚、宋三年、宋志棠、刘波、饶峰、吴良才。一种相变存储材料及其制备方法，申请号：201110135885.2，申请日期：2011-5-24 75.刘彦伯、钮晓鸣、宋志棠、闵国全、刘波、周伟民、李小丽、万永中、封松林。一种大面积高密度相变材料阵列的制备方法，申请号：200710044608.4，申请日期：2007-8-6 76.张挺、宋志棠、陈小刚、顾怡峰、刘波、封松林、陈邦明。电阻转换存储器及其制造方法，申请号：200810207813.2，申请日期：2008-12-25 77.张挺、马小波、宋志棠、刘旭焱、刘波、封松林。三维立体堆叠的电阻转换存储器的制造方法，申请号：201010152466.5，申请日期：2010-4-20 78.张挺、马小波、宋志棠、刘旭焱、刘波、封松林。多层堆叠电阻转换存储器的制造方法，申请号：201010186449.3，申请日期：2010-5-27 79.龚岳峰、宋志棠、凌云、张挺、刘波、李宜瑾。稳定阈值电压的低功耗相变存储器及其制造方法，申请号：201010188978.7，申请日期：2010-5-31 80.张挺、张兵、宋志棠、顾怡峰、刘波、封松林。电阻转换存储纳米结构及其自对准制造方法，申请号：201010532660.6，申请日期：2010-11-4 81.宋志棠、许建安、饶峰、吴良才、刘波。用于相变存储器的Sb2Tey-Si3N4复合相变材料及制备方法，申请号：201010590406.1，申请日期：2010-12-15 82.彭程、吴良才、饶峰、宋志棠、刘波、周夕淋、朱敏。用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法，申请号：201010619496.2，申请日期：2010-12-31 83.夏梦姣、饶峰、宋志棠、吴良才、刘波。一种相变材料的干法刻蚀方法申请号：201010619487.3，申请日期：2010-12-31 84.李学来、饶峰、宋志棠、任堃、吴良才、刘波、刘卫丽。一种相变存储材料及其制备方法，申请号：201010619510.9，申请日期：2010-12-31 85.刘彦伯、钮晓鸣、宋志棠、闵国全、周伟民、李小丽、刘波、张静、万永中、封松林。一种纳米结构套刻的模板设计和实现方法，申请号：200710044607.X，申请日期：2007-8-6 86.刘彦伯、钮晓鸣、宋志棠、闵国全、周伟民、李小丽、刘波、万永中、封松林。一种纳米级相变存储单元阵列制备方法，申请号：200710044609.9，申请日期：2007-8-6 87.彭程、吴良才、饶峰、宋志棠、周夕淋、朱敏、刘波。用于高温环境的N-Ge-Te相变存储材料及制备方法，申请号：201110031815.2，申请日期：2011-1-28 88.刘彦伯、钮晓鸣、宋志棠、闵国全、周伟民、张静、万永中、张挺、李小丽、张剑平、施利毅、刘波、封松林。一种纳米结构压印硬模板，申请号：200910044948.6，申请日期：2009-1-6 89.刘彦伯、钮晓鸣、宋志棠、闵国全、周伟民、张静、万永中、张挺、李小丽、张剑平、施利毅、刘波、封松林。一种压印模板，申请号：200910044950.3，申请日期：2009-1-6 90.刘彦伯、钮晓鸣、宋志棠、闵国全、周伟民、张静、万永中、张挺、李小丽、张剑平、施利毅、刘波、封松林。一种去除冷压印残留胶层的方法，申请号：200910044949.0，申请日期：2009-1-6

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编著目录 1．路甬祥院士主编。《中国材料工程大典》，第12卷“信息功能材料工程”（中）（王占国院士、陈立泉院士和屠海令主编），第8篇“存储材料”，第14章“非易失性存储材料”，化学工业出版社，2006.3，北京[全书共7000万字，由40位院士和1200余人参加编写] 2．刘颂豪院士主编。《光子学技术与应用》，第13编“光存储技术”（干福熹院士主编），第二章“光盘存储技术”，第六节“相变可擦重写型光盘”，广东科技出版社、安徽科技出版社，2006.9，广州、合肥[全书共452万字，由9位院士和150余人参加编写] 3．宋志棠著。《相变存储器》，第2章“Ge2Sb2Te5相变材料及其改性”，第1-3节，科学出版社，2010.2，北京 发表期刊论文目录 2011年 1.ChaoZhang,Zhi-TangSong,Guan-PingWu,BoLiu*,Xu-DongWan,LeiWang,Lian-HongWang,Zuo-YaYang,BomyChenandSong-LinFeng.Designandfabricationofdualtrenchepitaxialdiodearrayforhighdensityphasechangememory,IEEEElectronDeviceLetters,2011,32(7):inpress 2.LiangyongWang,BoLiu,ZhitangSong,WeiliLiu,SonglinFeng,DavidHuang,andS.V.Babu.Complexingbetweenadditivesandceriaabrasivesusedforpolishingsilicondioxideandsiliconnitridefilms,ElectrochemicalandSolid-StateLetters,2011,14(3):H128-H131 3.SannianSong,ZhitangSong,LiangcaiWu,BoLiu,andSonglinFeng.StressreductionandperformanceimprovementofphasechangememorycellbyusingGe2Sb2Te5-TaOxcompositefilms,J.Appl.Phys.,2011,109(3):034503 4.YegangLu,SannianSong,ZhitangSong,andBoLiu.Ga14Sb86filmforultralongdataretentionphase-changememory,J.Appl.Phys.,2011,109(6):064503 5.TingZhang,ZhitangSong,YifengGu,YanCheng,BoLiu,andSonglinFeng.MechanismofoxidationonSi2Sb2Te5phasechangematerialanditsapplication,Jpn.J.Appl.Phys.,2011,50(2):020202 6.YegangLu,SannianSong,ZhitangSong,LiangcaiWu,BoLiu,SonglinFengandXiaohuiGuo.StudyonTiO2-dopedGe2Te3filmsforphase-changememoryapplication,J.Phys.D:Appl.Phys.,2011,44(14):145102 7.ZhitangSong,FengRao,YunLing,LiangcaiWu,andBoLiu.Phasechangematerialsandrandomaccessmemory,2010IEEEInternationalConferenceofElectronDevicesandSolid-StateCircuits(EDSSC),15-17Dec.2010,HongKong,2011:1-4 8.XilinZhou,LiangcaiWu,ZhitangSong,FengRao,BoLiu,DongningYao,WeijunYin,SonglinFengandBomyChen.InvestigationofSb-richSi2Sb2+xTe6materialforphasechangerandomaccessmemoryapplication,AppliedPhysicsA:MaterialsScience&Processing,2011,103(4):1077-1081 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学术兼职

1.第九届中国物理学会固体缺陷专业委员会委员 2.中国电子显微学会会员 3.上海市电子光学学会会员 4.上海市传感技术学会会员 5.光学期刊联合编辑部（光学学报、中国激光、ChineseOpticsLetters、激光与光电子学进展）特约审稿人 6.APL、CPL、CPB、APA、JNN等国内外期刊的审稿人