个人简介

金鹏，理学博士，研究员，中国科学院大学岗位教授，博士生导师。 1992年至1996年在南开大学物理系固体物理专业学习，获理学学士学位；1996年至2001年在南开大学物理学院凝聚态物理专业硕博连读，师从潘士宏教授，开展半导体光电子学性质的研究，获理学博士学位；2001年至2003年在中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室进行博士后研究工作，合作导师王占国院士；出站后留所工作。已先后承担国家“973”计划项目、国家重大科研装备研制项目、国家自然科学基金项目等多项。已在国内外学术期刊上发表论文百余篇（包括合著），申请和获得授权国家发明专利多项（包括合作申请）。 目前的研究兴趣包括半导体量子结构材料与器件、半导体金刚石材料与器件和相关科学仪器等。正在承担国家重点研发计划、北京市科技计划、中科院先导专项等项目或课题。实验室拥有法国Riber分子束外延设备、日本Seki微波等离子体化学气相沉积设备、自行研制具有自主知识产权的深紫外光谱仪等国际一流的仪器设备。

研究领域

半导体量子结构材料与器件、半导体金刚石材料与器件和相关科学仪器等

科研项目 （1）半导体金刚石衬底材料研制，主持，市地级，2015-10--2017-09 （2）微波等离子体化学汽相沉积系统，主持，院级级，2015-01--2016-07 （3）量子器件集成控温技术研究，主持，专项级，2014-12--2015-12 （4）100kHz窄线宽激光光源(子课题)，主持，国家级，2014-01--2016-12 （5）微小型碱金属样品池，主持，其他级，2013-10--2014-07 （6）波长和重复频率可调谐外腔锁模量子点激光器，主持，国家级，2013-01--2016-12 （7）全组分可调III族氮化物半导体材料和器件物理（子课题），主持，国家级，2011-09--2016-08 专利成果 （1）宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法，发明，2009，第2作者，专利号：200610064883.8 （2）宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法，发明，2009，第2作者，专利号：200610002667.0 （3）光栅耦合表面发射的超辐射发光二极管结构，发明，2009，第2作者，专利号：200910236703.3 （4）一种提高光栅外腔激光器光学质量的方法，发明，2009，第2作者，专利号：200910236704.8 （5）量子点光调制器有源区结构，发明，2010，第2作者，专利号：200710175972.4 （6）长波长砷化铟/砷化镓量子点材料，发明，2010，第2作者，专利号：200610088947.8 （7）砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管，发明，2011，第3作者，专利号：201110041984.4 （8）深紫外激光光致发光光谱仪，发明，2012，第1作者，专利号：201110087894.9 （9）用于多电流注入区器件的倒装焊结构及其制作方法，发明，2011，第2作者，专利号：201110361688.2 （10）滤波式波长可调谐外腔激光器，发明，2013，第2作者，专利号：201310071764.5 （11）掺杂半导体材料生长设备及方法，发明，2012，第1作者，专利号：201210223493.6 （12）一种锁模外腔半导体激光器，发明，2013，第2作者，专利号：201310121425.3 （13）条纹相机反射式离轴光学耦合装置，发明，2012，第1作者，专利号：ZL201110133353.5 （14）复合构型可调谐光栅外腔双模激光器，发明，2013，第1作者，专利号：201310193627.9

近期论文

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发表论文 （1）Self-assemblyofInAsquantumdotsonGaAs(001)bymolecularbeamepitaxy，Front.Phys，2015，第2作者 （2）EffectsofinterfaceroughnessonphotoluminescencefullwidthathalfmaximuminGaN/AlGaNquantumwells，Chin.Phys.B，2014，第3作者 （3）Effectofhigh-temperatureannealingonAlNthinfilmgrownbymetalorganicchemicalvapordeposition，Chin.Phys.B，2014，通讯作者 （4）Amode-lockedexternal-cavityquantum-dotlaserwithavariablerepetitionrate，Chin.Phys.B，2013，通讯作者 （5）Agrating-coupledexternalcavityInAs/InPquantumdotlaserwith85-nmtuningrange，Chin.Phys.B，2013，通讯作者 （6）BroadbandLightEmissionfromChirpedMultipleInAsQuantumDotStructure，Chin.Phys.Lett.，2013，通讯作者 （7）InAs/GaAssubmonolayerquantum-dotsuperluminescentdiodesbyusingwithactivemultimodeinterferometerconfiguration，Chin.Phys.B，2013，通讯作者 （8）InAs/GaAssubmonolayerquantumdotsuperluminescentdiodeemittingaround970nm，Chin.Phys.B，2012，通讯作者 （9）ExperimentalinvestigationofWavelength-SelectiveOpticalFeedbackforAHigh-powerQuantumDotSuperluminescentDevicewithTwo-SectionStructure，OpticsExpress，2012，通讯作者 （10）BroadbandLight-EmittingfromMultilayer-stackedInAs/GaAsQuantumDots，Chin.Phys.B，2012，通讯作者 （11）ImprovedContinuous-WavePerformanceofTwo-SectionQuantum-DotSuperluminescentDiodesbyUsingEpi-Side-DownMountingProcess，IEEEPhotonicsTechnologyLetters，2012，通讯作者 （12）TheEffectofDouble-PassGainonThePerformancesofAQuantum-DotSuperluminescentDiodeIntegratedwithASemiconductorOpticalAmplifier，JournalofLightwaveTechnology，2012，通讯作者 （13）Opticallossinbent-waveguidesuperluminescentdiodes，Semicond.Sci.Technol.，2012，通讯作者 （14）Short-wavelengthInAlGaAs/AlGaAsquantumdotsuperluminescentdiodes，Chin.Phys.B，2011，通讯作者 （15）Broadbandtunableexternalcavitylaserwithabent-waveguidequantum-dotsuperluminescentdiodegaindevice，Chin.Phys.B，2011，通讯作者 （16）AHigh-PerformanceQuantum-DotSuperluminescentDiodewithTwo-sectionStructure，NanoscaleResearchLetters，2011，通讯作者 （17）Theoreticalinvestigationofasurface-emittingsuperluminescentdiodewithacirculargrating，Semicond.Sci.Technol.，2011，第3作者 （18）Highpowerquantumdotsuperluminescentdiodewithanintegratedopticalamplifiersection，ElectronicsLetters，2011，通讯作者 （19）Broadbandexternalcavitytunablequantumdotlaserswithlowinjectioncurrentdensity，OpticsExpress，2010，第2作者 （20）StructureandpropertiesofInAs/AlAsquantumdotsforbroadbandemission，J.Appl.Phys.，2010，第2作者 （21）ABroadbandexternalcavitytunableInAs/GaAsquantumdotlaseronlybyutilizingthegroundstateemission，Chin.Phys.B，2010，通讯作者 （22）超辐射发光管的应用，ApplicationsofSuperluminescentDiodes，红外技术，2010，第3作者 （23）薄膜和量子点的外延生长，EpitaxialGrowthofaThinFilmandQuantumDots，微纳电子技术，2010，第2作者 （24）BroadlyTunableGrating-coupledExternalCavityLaserwithQuantumDotActiveRegion，IEEEPhotonicsTechnologyLetters，2010，第2作者 发表著作 （1）第五章III-V族化合物半导体材料”，《半导体材料研究进展》第一卷，pp.235-310，Chapter5III-VCompoundSemiconductorMaterials,inResearchProgressofSemiconductorMaterials,Volume1,pp.235-310，高等教育出版社，2012-01，第1作者

学术兼职

2015-09--今中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会，委员 2012-01--今中国电子学会半导体与集成技术分会，高级会员