魏珂 - 中国科学院大学

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学 085208-电子与通信工程招生方向射频、微波器件与电路集成技术微细加工教育背景 1992-09--1996-07 南开大学学士工作简历 1996-10--今中国科学院微电子研究所学士奖励信息（1）北京市科技进步一等奖，一等奖，省级，2004 专利成果（1）一种提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法，发明，2010，第2作者，专利号：201010227180.90 （2）一种利用尺寸效应监控栅槽刻蚀的方法，发明，2010，第1作者，专利号：201010574009.5 （3）控制背孔剖面形状的方法，发明，2010，第1作者，专利号： 201010520274.50 （4）控制背孔剖面形状的方法，发明，2010，第1作者，专利号：201010520271.10 （5）一种提高AlGaN/GaN HEMT频率特性的方法，发明，2011，第2作者，专利号：201010217196.10 科研项目（1）新型高频、大功率化合物半导体电子器件研究，参与，国家级，2010-01--2014-12 （2） GaN基毫米波功率器件与材料基础与关键技术研究，参与，国家级，2009-01--2013-12 （3） GaN 宽禁带微电子材料和器件重大基础问题研究”，主持，部委级，2008-01--2012-12

研究领域

长期从事微波器件与电路研究，从事微细加工技术研究！

近期论文

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（1） InGaN背势垒的fmax 达到200GHz GaN HEMT 器件，AlGaN/GaN HEMT with 200GHz fmax on sapphire substrate with InGaN back-barrier，微波与红外学报，2011，第2作者（2） Ka 波段 GaN HEMT器件设计，Design and implementation of Ka-band AlGaN/GaN HEMTs”，微波与红外学报，2011，第3作者（3）源漏间距2.4um 高性能GaN HEMT，“High performance AlGaN/GaN HEMTs with 2.4um source–drain spacing”，，半导体学报，2010，第2作者（4） GaN 栅结构的优化，Gate-structure optimization for high frequency power AlGaN/GaN HEMTs，半导体学报，2010，第3作者