郑中山 - 中国科学院大学

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学招生方向高可靠性器件与集成技术半导体材料与器件的辐射效应教育背景 2002-09--2005-06 中国科学院半导体研究所研究生/博士 1986-09--1989-06 山东大学物理系研究生/硕士 1982-09--1986-06 山东大学物理系本科/学士工作简历 2010-10~现在, 中国科学院微电子研究所, 科研人员 2005-07~2010-09,济南大学物理科学与技术学院, 教师 2002-09~2005-06,中国科学院半导体研究所, 研究生/博士 1989-07~2002-08,济南大学物理科学与技术学院, 教师 1986-09~1989-06,山东大学物理系, 研究生/硕士 1982-09~1986-06,山东大学物理系, 本科/学士教授课程半导体器件物理科研项目（ 1 ）栅材料的辐射效应研究, 主持, 部委级, 2016-01--2019-10 （ 2 ） SOI器件的单粒子辐射效应3D模拟研究, 主持, 研究所（学校）, 2015-01--2016-12 （ 3 ）基于特种SOI材料的电路辐射效应研究, 参与, 部委级, 2014-01--2016-12 （ 4 ）纳米器件辐射效应研究, 参与, 研究所（学校）, 2020-01--2022-12

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（1） Correlations between Static Noise Margin and Single-Event-Upset Hardness for SRAM Cells, ICSICT, 2020, 第 1 作者（2） Fundamental Mechanism Analyses of NBTI-Induced Effects on Single-Event Upset Hardness for SRAM Cells, IPFA, 2020, 第 1 作者（3） Studies of radiation effects in Al2O3-based metal-oxide-semiconductor structures induced by Si heavy ions, J. Appl. Phys., 2019, 第 4 作者（4） Influences of the Source and Drain Resistance of the MOSFETs on the Single Event Upset Hardness of SRAM cells, ASICON 2019, 2019, 第 1 作者（5） Combined Effects of Tantalum Ion and Gamma Ray Irradiations on MOS Devices with Atomic Layer Deposited Al2O3 Gate Dielectrics, RADECS 2019, 2019, 第 1 作者（6） Comparison of the Total Dose Responses of Fully Depleted SOI nMOSFETs With Different Geometries for the Worst Case Bias Conditions, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2019, 第 1 作者（7） Investigation of the relationship between the total dose effect and thickness of Al2O3 gate dielectric under gamma-ray irradiation, IEEE 14th ICSICT, 2018, 第 3 作者（8） Total dose effect of Al2O3-based metal– oxide–semiconductor structures and its mechanism under gamma-ray irradiation, Semicond. Sci. Technol., 2018, 第 2 作者（9） Total Ionizing Dose Response and Annealing Behavior of Bulk nFinFETs with On-state Bias Irradiation, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 第 4 作者（10） Correlation between the Decoupling Capacitor Layouts and Single-Event-Upset Resistances of SRAM cells, IEEE 14th ICSICT, 2018, 第 1 作者（11） Roles of the Gate Length and Width of the Transistors in Increasing the Single Event Upset Resistance of SRAM cells, IEEE 12th International Conference on ASIC, 2017, 第 1 作者（12） Anomalous Total Dose Response and Room-Temperature Annealing Behavior in Bulk nFinFETs, Radiation and its Effects on Components and Systems (RADECS), 2017, 第 3 作者（13） Complexity of the Total Dose Radiation Response of Fully Depleted Silicon-On-Insulator NMOSFETs, IEEE 13th ICSICT, 2016, 第 1 作者（14） The radiation hardness of the nitrogen-fluorine implanted buried oxide layer in silicon-on-insulator materials against higher total dose irradiation, SCIENCE CHINA Materials, 2016, 第 1 作者（15） Total dose radiation and annealing responses of the back transistor of Silicon-On-Insulator pMOSFETs, Chinese Physics C, 2015, 第 2 作者（16） Comparison of Decoupling Resistors and Capacitors for Increasing the Single Event Upset Resistance of SRAM Cells, IEEE 11th International Conference on ASIC, 2015, 第 1 作者（17） Reducing Single Event Upset by Lowering the Threshold Voltage of Transistors, IEEE 12th ICSICT, 2014, 第 1 作者（18）氮氟复合注入对注氧隔离SOI材料埋氧层内固定正电荷密度的影响, 物理学报, 2013, 第 2 作者（19） Total dose radiation response of modified commercial silicon-on-insulator materials with nitrogen implanted buried oxide, Chinese Physics B, 2012, 第 1 作者（20）高剂量注氮对注氧隔离硅材料埋氧层中正电荷密度的影响, 物理学报, 2011, 第 2 作者（21） Influence of nitrogen dose on the charge density of nitrogen-implanted buried oxide in SOI wafers, 半导体学报, 2010, 第 1 作者（22） Influence of nitrogen implantation into the buried oxide on the radiation hardness of silicon-on-insulator wafers, Chinese Physics B, 2010, 第 2 作者