个人简介
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程
招生方向
计算机技术
物联网工程与技术
射频、微波器件与电路集成技术
教育背景
2005-06--2008-06中国科学院微电子研究所博士
2003-10--2004-09中国电子科技集团公司第十三研究所联合培养
2002-07--2005-05河北工业大学硕士
1998-09--2002-06河北工业大学学士
工作简历
2010-09~现在,中国科学院微电子研究所,副研究员
2010-03~2015-11,中国科学院物联网研究发展中心、江苏物联网研究发展中心,外派参与筹建物联网中心
2008-07~2010-09,中国科学院微电子研究所,助理研究员
2005-06~2008-06,中国科学院微电子研究所,博士
2003-10~2004-09,中国电子科技集团公司第十三研究所,联合培养
2002-07~2005-05,河北工业大学,硕士
1998-09~2002-06,河北工业大学,学士
教授课程
知识产权法
研究领域
科研项目
（1）基于纳米操控技术的ZnO纳米线传感器制备技术研究,主持,国家级,2009-08--2010-08
（2）氧化锌一维纳米线场效应晶体管的研究,主持,市地级,2008-07--2009-07
（3）W波段MHEMT功率器件,主持,市地级,2006-10--2008-09
（4）新一代化合物半导体电子器件与电路研究——新结构InP基HEMT和增强/耗尽（E/D）型HEMT,参与,国家级,2002-10--2008-10
（5）支持压力感知的低功耗三维触控屏研发,参与,省级,2011-03--2013-03
（6）物联网核心芯片及应用技术,参与,部委级,2015-07--2017-06
专利成果
（1）高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料结构,2007,第1作者,专利号:ZL200710063375.2
（2）或非门逻辑单元及其形成方法,2008,第1作者,专利号:ZL200810227463.6
（3）单片集成增强耗尽型GaAsMHEMT环形振荡器的制作方法,2008,第3作者,专利号:ZL200810102205.5
（4）单片集成GaAs基EDMHEMT的制作方法,2008,第4作者,专利号:ZL200810103226.9
（5）实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法,2008,第3作者,专利号:ZL200810102206.X
（6）适用于增强型InGaPAlGaAsInGaAsPHEMT器件的栅退火方法,2007,第2作者,专利号:ZL200710303895.6
（7）制作单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管的方法,2007,第1作者,专利号:ZL200710178310.2
（8）增强型背栅氧化锌米线场效应晶体管及其制备方法,2008,第1作者,专利号:ZL200810227461.7
（9）单片集成GaAs基EDMHEMT的制作方法,2008,第3作者,专利号:ZL200810103226.9
（10）单片集成的环形振荡器与分频器电路及其处理方法,2007,第1作者,专利号:ZL200710177793.4
（11）单片集成砷化镓基MHEMT和PIN二极管材料结构,2007,第1作者,专利号:ZL200710178311.7
（12）单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构,2007,第1作者,专利号:ZL200710178321.0
（13）制作单片集成GaAs基MHEMT和PIN二极管的方法,2007,第1作者,专利号:ZL200710178320.6
（14）非门逻辑电路及其形成方法,2008,第1作者,专利号:ZL200810227459.X
（15）一种ZnO背栅纳米线场效应管的制备方法,2008,第3作者,专利号:ZL200810223353.2
（16）实现ZnO纳米线到场效应管衬底的定位方法,2008,第4作者,专利号:ZL200810103255.5
（17）实现ZnO纳米线到场效应管衬底淀积和定位的方法,2008,第4作者,专利号:ZL200810103254.0
（18）在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线固定的方法,2008,第4作者,专利号:ZL200810103256.X
（19）在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线固定的方法,2008,第3作者,专利号:ZL200810103227.3
（20）声表面波传感器,2016,第1作者,专利号:201610727889.2
（21）基于自组织神经网络的心电信号分类方法,2016,第2作者,专利号:201610256973.0
（22）基于埃尔米特函数的心电特征提取方法,2016,第2作者,专利号:201610258219.0
近期论文
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（1）基于自组织神经网络的QRS波聚类方法,传感器与微系统,2017,第3作者
（2）基于改进K均值聚类生成匹配模板的心搏分类方法传感器与微系统,ECGbeatClassificationmethodbasedonMatchTemplateGeneratedbyDevelopedk-meansClustering,传感器与微系统,2017,第2作者
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（4）长期日常血压监测及日常行为干预对高血压控制的影响,心血管病防治知识,2016,第1作者
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（6）DeviceresearchonGaAs-basedInAlAsInGaAsmetamorphichighelectronmobilitytransistorsgrownbymetalorganicchemicalvapourdeposition,Chin.Phys.B,2010,第1作者
（7）ZnO纳米线场效应管的制备及光电特性,半导体学报,2009,第4作者
（8）TheresearchonsuspendedZnOnanowirefield-effecttransistor,Chin.Phys.B,2009,第4作者
（9）利用电子束光刻技术实现200nm栅长GaAs基MHEMT器件,200nmgate-lengthGaAs-basedMHEMTdevicesbyelectronbeamlithography,ChineseScienceBulletin,2008,第1作者
（10）1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件及SPDT开关MMIC,半导体学报,2008,第1作者
（11）Left-HandedMetamaterialsforRLandMicrowaveFilterMiniaturization,2008IEEEMTT-SInternationalMicrowaveWorkshopSeriesonArtofMiniaturizingRFandMicrowavePassiveComponents,2008,第3作者
（12）PowerCharacteristicsofMetamorphicIn0.52Al0.48As／In0.6Ga0.4AsHEMTsonGaAsSubstrateswithT-ShapedGate,半导体学报,2008,第3作者
（13）GaAs基EDPHEMT技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路,半导体学报,2008,第3作者
（14）200nmGateLengthMetamorphicIn0.52Al0.48AsIn0.6Ga0.4AsHEMTsonGaAsSubstrateswith110GHzft,半导体学报,2008,第3作者
（15）GateAnnealingofanEnhancement-modeInGaPAlGaAsInGaAsPHEMT,半导体学报,2008,第3作者
（16）单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP／AlGaAs／InGaAs增强／耗尽型赝配高电子迁移率晶体管,Monolithicintegrationof0.8μmgate-lengthGaAs-basedInGaPAlGaAsInGaAsenhancement-anddepletion-modePHEMTs,半导体学报,2007,第1作者
（17）AbstractionofSmallSignalEquivalentCircuitParametersofEnhancement-ModeInGaPAlGaAsInGaAsPHEMT,半导体学报,2007,第1作者
（18）一种InGaAsInP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法,半导体学报,2007,第11作者
（19）Ultrahigh-SpeedLattice-MatchedIn0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48AsHEMTswith218GHzCutoffFrequency,半导体学报,2007,第11作者
（20）磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管击穿特性研究,物理学报,2007,第11作者
（21）MBE生长高2-DEG面密度InP基PHEMT外延材料,半导体技术,2005,第1作者
京公网安备 11010802027423号