王翠梅 - 中国科学院大学

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学招生方向宽禁带半导体材料与器件教育背景 2003-09--2006-05中国科学院半导体研究所博士工作简历 2006-06~2016-08,中国科学院半导体研究所,助研，副研 2003-09~2006-05,中国科学院半导体研究所,博士教授课程氮化镓微波器件与5G通信半导体微纳加工技术半导体异质结构电学特性的建模分金属有机物化合物气相外延基础及奖励信息（1）北京市科技进步二等奖,二等奖,部委级,2012

研究领域

科研项目（1）W波段GaN材料,主持,国家级,2012-01--2016-12 （2）09年专项,参与,国家级,2009-01--2013-12 （3）11年专项,参与,国家级,2011-01--2013-12 （4）4英寸材料工程化应用技术,主持,国家级,2016-01--2018-12 （5）高线性器件研究,主持,国家级,2016-12--2018-12 参与会议（1）ResearchonInAlN-basedHEMTWangCuimei,WangXiaoliang,XiaoHongling,FengChun,JiangLijuan,ChenHong,YinHaibo,WangZhanguoandHouXun2013-05-13 （2）基于InAlN的HEMT材料和器件研究第十七届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议王翠梅2012-11-0 专利成果（1）一种具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法,2013,第1作者,专利号:201310054863.2 （2）双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法,2012,第2作者,专利号:201210348006.9 （3）铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法,2012,第3作者,专利号:201210467084.0 （4）氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法,2011,第3作者,专利号:201110401468.8 （5）具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法,2015,第3作者,专利号:201310048977.6 （6）双异质氮化镓基场效应晶体管结构及制作方法,2016,第1作者,专利号:201610594320.3

近期论文

查看导师新发文章（温馨提示：请注意重名现象，建议点开原文通过作者单位确认）

（1）HighlySensitiveDetectionofDeoxyribonucleicAcidHybridizationUsingAu-GatedAlInN/GaNHighElectronMobilityTransistor-BasedSensors,ChinesePhysicsLetters,2017,第8作者（2）Fastelectricaldetectionofcarcinoembryonicantigen(CEA)basedonAlGaN/GaNhighelectronmobilitytransistoraptasensor,ChinesePhysicsLetters,2017,第8作者（3）OptimizationofgrowthandfabricationtechniquestoenhancetheInGaN/GaNmultiplequantumwellsolarcellsperformance,SuperlatticesandMicrostructures,2017,第5作者（4）AnalysisofGaNcaplayereffectingoncriticalvoltageforelectricaldegradationofAlGaN/GaNHEMT,TheEuropeanPhysicalJournalAppliedPhysics,2015,第4作者（5）BipolarcharacteristicsofAlGaN/AlN/GaN/AlGaNdoubleheterojunctionstructurewithAlGaNasbufferlayer,JournalofAlloysandCompounds,2013,第4作者（6）GrowthandcharacterizationofAlGaN/AlN/GaN/AlGaNdoubleheterojunctionstructureswithAlGaNasbufferlayers,JournalofCrystalGrowth,2013,第4作者（7）Tunabledensityoftwo-dimensionalelectrongasinGaN-basedheterostructures:Theeffectsofbufferacceptorandchannelwidth,JournalofAppliedPhysics,2013,第4作者（8）2nm低温GaN空间层对AlGaN/InAlN/AlN/GaN异质结构2DEG的影响研究,A2nmlowtemperatureGaNspacertoimprovethetransportpropertiesoftwo-dimensionalelectrongasinAlGaN/InAlN/AlN/GaNheterostructures,AppliedPhysicsLetters,2012,第4作者（9）(AlyGa1-yN/AlN)SLs/GaN/(InxGa1-xN/GaN)MQW/GaN异质结构载流子限阈特性的自洽模拟,Self-consistentsimulationofcarrierconfinementcharacteristicsin(AlyGa1-yN/AlN)SLs/GaN/(InxGa1-xN/GaN)MQW/GaNheterostructures,JournalofAlloysandCompounds,2012,第4作者（10）(AlxGa1-xN/AlN)SLs/GaN异质结构载流子限制优化研究,Numericaloptimizationofcarrierconfinementcharacteristicsin(AlxGa1-xN/AlN)SLs/GaNheterostructures,PhysicaB:PhysicasofCondensedMatter,2012,第4作者（11）InAlN/AlN/GaN异质结构压力影响研究,TheinfluenceofpressureonthegrowthofInAlN/AlN/GaNheterostructure,Eur.Phys.J.Appl.Phys,2012,第3作者（12）n-GaN中电场影响持续光电导效应研究,Influenceofelectricfieldonpersistentphotoconductivityinunintentionallydopedn-GaN,Appl.Phys.Lett.,2011,第4作者（13）MOCVD方法在Si衬底上生长2μm无裂纹GaN材料,Growthof2μmCrack-FreeGaNonSi(111)SubstratesbyMetalOrganicChemicalVaporDeposition,ChinesePhysicsLetter,2011,第4作者（14）ComputationalInvestigationofInxGa1-xN/InNQuantum-DotIntermediate-BandSolarCell,ChinesePhysicsLetters,2011,第11作者（15）ComparisonofasgrownandannealedGaN/InGaN:MgSamples,JournalofPhysicsD:AppliedPhysics,2011,第4作者（16）Theinfluenceofthe1stAlNandthe2ndGaNlayersonpropertiesofAlGaN/2ndAlN/2ndGaN/1stAlN/1stGaNstructure,AppliedphysicsA,2011,第11作者（17）GrowthofGaNfilmonSi(111)substratebyusingAlNsandwichstructureasbuffer,JCrystGrowth,2011,第11作者（18）CharacteristicsofhighAlcontentAlGaNgrownbypulsedatomiclayerepitaxy,AppliedSurfaceScience,2011,第4作者（19）SurfacecharacterizationofAlGaNgrownonSi(111)substrates.,JCrystGrowth,2011,第4作者（20）BehavioralinvestigationofInNnanodotsbysurfacetopographiesandphaseimages,JournalofPhysicsD-AppliedPhysics,2011,第4作者