蔡道林 - 中国科学院大学 - 电子电气与通信工程学院

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招生专业 080903-微电子学与固体电子学 085400-电子信息招生方向微电子技术奖励信息（1）八面体基元理论指导发现新型相变材料与其在128Mb存储芯片中应用, 一等奖, 其他, 2019 专利成果（ 1 ）一种提高相变存储器数据保持力的相变材料层结构, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN201610140946.7 （ 2 ）相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: cn2016101785963 （ 3 ）一种相变存储器和提高其疲劳寿命的操作方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN201610118179X （ 4 ）一种具有保持力测试功能的相变存储器, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201610349687.9 （ 5 ）电压电流测试自动切换电路、相变单元测试系统及方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN201710749389.3 （ 6 ）一种存储单元负载电压的测试方法及测试电路, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN107886993A （ 7 ）一种用于相变存储单元电流测试的SET退火优化电路及方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN107068198 （ 8 ）一种阶梯脉冲的确认方法、装置、电子设备和存储介质, 2019, 第 2 作者, 专利号: cn201910699840.4 （ 9 ）一种数据的多级存储方法、系统、电子设备及存储介质, 2019, 第 2 作者, 专利号: cn201911178667.X （ 10 ）相变储存器控制装置、相变储存器控制方法、电子装置及存储介质, 2019, 第 1 作者, 专利号: cn201910196702.4 （ 11 ）一种阶梯脉冲确定方法、系统及存储介质, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN201910743318.1 科研项目（ 1 ）复合载荷下相变存储器保持力特性及其机理研究, 主持, 国家级, 2019-01--2022-12

近期论文

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（1） Endurance Improvement of Phase Change Memory Based on High and Narrow RESET, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2020, 第 2 作者（2） Reliability Modelling and Prediction Method for Phase Change Memory Using Optimal Pulse Conditions, Journal of Shanghai Jiao Tong University (Science), 2020, 第 2 作者（3） An Optimized Fast Stair-case Set Pulse with Variable Width for Phase Change Random Access Memory, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2020, 第 3 作者（4） Microscopic mechanism of carbon-dopant manipulating device performance in CGeSbTe-based phase change random access memory, ACS Applied Materials & Interfaces, 2020, 第 2 作者（5） RESET current optimization for phase change memory based on the sub-threshold slope, Materials Science in Semiconductor Processing, 2019, 第 3 作者（6） The impact of the electrode performance on the endurance properties of the phase change memory, IEEE Transactions on device and materials reliability, 2019, 第 2 作者（7） Three-dimensional simulations of RESET operation in phase-change random access memory with blade-type like phase change layer by finite element modeling, Materials Science in Semiconductor Processing, 2019, 第 3 作者（8） High performance of multilevel-cell phase change memory device with good endurance reliability, Semiconductor Science and Technology, 2019, 第 3 作者（9） Investigation on the Scaling Performances of Carbon Doped Ge2Sb2Te5 Thin Films for Phase Change Random Access Memory in a 40 nm Process, Physica States Solidi A-Application and Materials Science, 2019, 第 2 作者（10） Analysis and optimization of read/write reliability for 12F2 cross-point ultra-fast phase change memory, Semiconductor Science and Technology, 2019, 第 3 作者（11） First Set Pulse Impacts on Set Resistance Distribution of Phase Change Random Access Memory, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2019, 第 2 作者（12） Subsequent Set Pulse Impacts on Set Resistance Distribution of Phase Change Memory, Semiconductor Science and Technology, 2019, 第 2 作者（13） A candidate for high-speed and high-density phase change memory application, Materials Science in Semiconductor Processing, 2019, 第 2 作者（14） The Influence of the Bitline Length on the Resistance Consistency in Phase Change Memory Array, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018, 第 2 作者（15） Relaxation Oscillations in Ge2Sb2Te5-Based Phase Change Memory Devices Memory, Chinese Physics Letters, 2016, 第 2 作者（16） Reduction of Reset Current in Phase Change Memory by Pre-Programming, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2016, 第 2 作者（17） Endurance characteristics of phase change memory cells, Journal of Semiconductors, 2016, 第 2 作者