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个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学 081203-计算机应用技术 085208-电子与通信工程 招生方向 大数据与人工智能 集成电路先导工艺技术 教育背景 1999-07--2002-05 美国北卡罗纳州立大学 博士 1995-09--1998-07 中国科学院固体物理研究所 硕士 工作简历 2009-08~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员 2007-01~2008-08,美国SanDisk公司, 主管器件工程师 2002-02~2006-09,美国AMD公司, 资深器件工程师 奖励信息 (1) 中国科学院杰出成就奖, 一等奖, 部委级, 2014 专利成果 ( 1 ) 一种SOI衬底和具有SOI衬底的半导体器件及其形成方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010291541.6 ( 2 ) 一种衬底结构、半导体器件及其制造方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010520798.4 ( 3 ) 半导体器件及其形成方法、封装结构, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110112565.5 ( 4 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010104991.X ( 5 ) Method for modulating flatband voltage of devices having high-k gate, 发明, 2006, 第 1 作者, 专利号: 7033894 ( 6 ) 一种接触孔、半导体器件和二者的形成方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010175815.5 ( 7 ) 层间介质层、具有该介质层的半导体器件及制造方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010215116.9 ( 8 ) 半导体器件结构及其制造方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010230771.1 ( 9 ) 半导体结构及其形成方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010033874.9 ( 10 ) 半导体器件及其制作方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010034166.7 ( 11 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010111079.7 ( 12 ) Semiconductor devices and methods for forming the same including contacting, 发明, 2007, 第 1 作者, 专利号: 7169676 ( 13 ) 栅极堆叠的制造方法和半导体器件, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010197080.6 ( 14 ) 嵌入式源/漏MOS晶体管及其形成方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110112309.6 ( 15 ) CMOS gates formed by integrating metals having different work functions, 发明, 2007, 第 2 作者, 专利号: 7176531 ( 16 ) 半导体器件的接触的制造方法及具有该接触的半导体器件, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010215145.5 科研项目 ( 1 ) 集成电路先导工艺研究的器件测试, 主持, 国家级, 2009-12--2012-12 ( 2 ) 面向远程医疗和社区医疗信息化的无线物联网技术总体研究, 参与, 国家级, 2011-12--2013-06 ( 3 ) 汽车移动物联网总体技术研究, 参与, 国家级, 2012-01--2013-06 ( 4 ) 半导体器件测试、分析和参数提取, 主持, 部委级, 2010-08--2012-12 ( 5 ) 场发射枪扫描电子显微镜开发和应用, 主持, 国家级, 2014-01--2018-01 ( 6 ) 高可靠非挥发存储技术与芯片, 主持, 院级, 2015-01--2019-01

近期论文

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(1) 缩小尺寸场效应管器件的载流子迁移率增强技术总体评估与现状, Mobility Enhancement Technology for Scaling of CMOS Devices: Overview and Status, Journal of ELECTRONIC MATERIALS,, 2011, 通讯作者 (2) 在体硅上利用与CMOSFET工艺兼容工艺制备的高性能N型环栅硅纳米管场效应器件, High-Performance Silicon Nanowire Gate-All-Around nMOSFETs Fabricated on Bulk Substrate Using CMOS-Compatible Process, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,, 2011, 通讯作者 (3) 利用反向Halo离子注入来控制场效应管的短沟道效应, On the Control of Short Channel Effect for MOSFETs with Reverse Halo Implantation, IEEE Electronic Device Letters, 2007, 第 2 作者 (4) RuO2作为双金属极硅场效应管电极的电学特性, Electrical properties of RuO2 gate electrodes for dual metal gate Si-CMOS, IEEE Electronic Device Letters, 2001, 第 1 作者

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