个人简介
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080501-材料物理与化学
085208-电子与通信工程
招生方向
集成电路先导工艺技术
CMOS器件与工艺
自旋电子学
教育背景
1994-12--1999-12 比利时天主教鲁汶大学 博士研究生
1985-08--1988-07 哈尔滨工业大学/山东工业大学（联合培养） 硕士研究生
1978-10--1982-07 南京大学 大学本科
工作简历
2017-07~现在, 中国科学院微电子研究所, 副总工程师
2011-07~2017-07,中国科学院微电子研究所, 先导中心（10室）主任
2010-03~2011-07,中国科学院微电子研究所, 研究员
2000-01~2010-03,欧洲微电子研发中心（IMEC）, 研究员
1988-08~1994-12,山东轻工业学院, 讲师
1982-08~1985-07,山东轻工业学院, 助教
教授课程
半导体工艺与制造技术
半导体制造技术
专利与奖励
发明人 所有发明人 专利名称 申请号 申请日 法律状态 相应日期 专利号
1 罗军 罗军，邓坚，赵超，李俊峰，陈大鹏 半导体器件制造方法 201210147554.5 2012/5/11 授权 2017/9/5 ZL201210147554.5
2 钟汇才 钟汇才，赵超，梁擎擎 半导体器件及其制造方法 201210304241.6 2012/8/23 授权 2017/1/25 ZL201210304241.6
3 包琦龙 包琦龙，邓坚，罗军，赵超 高电子迁移率晶体管及其制造方法 201210343035.6 2012/9/14 授权 2017/2/8 ZL201210343035.6
4 钟汇才 钟汇才，梁擎擎，赵超 半导体器件及其制造方法 201210333073.3 2012/9/10 授权 2017/6/13 ZL201210333073.3
5 崔虎山 崔虎山，钟汇才，项金娟，赵超 半导体器件制造方法 201210475097.2 2012/11/21 授权 2017/11/21 ZL201210475097.2
6 王桂磊 王桂磊 徐强 杨涛 闫江 李俊峰 赵超 半导体器件及其制造方法 201210473032.4 2012/11/20 同意授权 2017/12/14 ZL201210473032.4
7 秦长亮 秦长亮 尹海洲 殷华湘 洪培真 王桂磊 赵超 半导体器件制造方法 201210495187.8 2012/11/28 授权 2017/11/21 ZL201210495187.8
8 朱慧珑 朱慧珑，罗军，李春龙，邓坚，赵超 平坦化处理方法 201210505359.5 2012/11/30 授权 2017/3/1 ZL201210505359.5
9 李春龙 李春龙，李俊峰，闫江，赵超 一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅 201210509428.X 2012/12/3 授权 2017/3/1 ZL201210509428.X
10 李春龙 李春龙，李俊峰，闫江，赵超 一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅 201210510352.2 2012/12/3 授权 2017/3/1 ZL201210510352.2
11 秦长亮 秦长亮 殷华湘 洪培真 马小龙 赵超 堆叠纳米线制造方法 2013101100746.0 2013/3/29 同意授权 2017/10/11 ZL2013101100746
12 钟汇才 钟汇才；罗军 制造半导体器件的方法 201410017352.8 2014/1/15 授权 2017/9/22 ZL201410017352.8
13 黄成军 黄成军、罗军、赵超 颗粒筛选装置 201410350710.7 2014/7/22 授权 2017/10/20 ZL201410350710.7
14 黄成军 黄成军；罗军；赵超 微流体通道、侧向流监测器件和微流体阀 201410350680.X 2014/7/22 授权 2017/9/22 ZL201410350680.X
15 朱慧珑 朱慧珑，许淼，罗军，李春龙，王桂磊 METHOD FOR MANUFACTURING FIN STRUCTURE 14/442,890 2015/5/14 授权 2017/6/27 9,691,624
16 徐强 徐强、赵超、罗军、王桂磊、杨涛、李俊峰 METHOD oF depositing tungsten layer with improved adhesion and filling behavior 14/744,835 2015/6/19 授权 2017/3/7 9,589,809
奖励：
2014年度中国科学院杰出科技成就奖；
2015年朱李月华优秀教师奖；
2016年北京市科技一等奖；
2017年度院优秀博士生指导教师；
奖励信息
（1） 2117年中科院优秀博士生导师, 院级, 2017
（2） 北京市科技一等奖, 一等奖, 省级, 2016
（3） 朱李月华优秀教师奖, 一等奖, 院级, 2015
（4） 中科院杰出科技成就奖, 特等奖, 院级, 2014
专利成果
（ 1 ） 一种半导体器件及其形成方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010512128.8
（ 2 ） 堆叠的半导体器件及其制造方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010540727.0
（ 3 ） 半导体器件及其制造方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010553050.4
（ 4 ） 一种半导体器件及其形成方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010257006.9
（ 5 ） 金属互连结构及金属层间通孔和互连金属线的形成方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201010501703.4
（ 6 ） 一种用于后栅工艺的平坦化方法及其器件结构, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010274285.X
（ 7 ） 一种半导体器件结构及形成方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010250728.1
（ 8 ） 一种半导体器件及制备方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010501703.4
（ 9 ） 自对准金属硅化物的形成方法, 发明, 2010, 第 2 作者, 专利号: 201010599252.2
（ 10 ） 半导体器件制造方法, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: ZL201210147554.5
（ 11 ） 半导体器件及其制造方法, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: ZL201210304241.6
（ 12 ） 高电子迁移率晶体管及其制造方法, 发明, 2017, 第 4 作者, 专利号: ZL201210343035.6
（ 13 ） 半导体器件及其制造方法, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: ZL201210333073.3
（ 14 ） 半导体器件制造方法, 发明, 2017, 第 4 作者, 专利号: ZL201210475097.2
（ 15 ） 平坦化处理方法, 发明, 2017, 第 5 作者, 专利号: ZL201210505359.5
（ 16 ） 一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅, 发明, 2017, 第 4 作者, 专利号: ZL201210509428.X
（ 17 ） 一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅, 发明, 2017, 第 4 作者, 专利号: ZL201210510352.2
（ 18 ） 堆叠纳米线制造方法, 发明, 2017, 第 5 作者, 专利号: ZL2013101100746
（ 19 ） 微流体通道、侧向流监测器件和微流体阀, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: ZL201410350710.7
（ 20 ） METHOD oF depositing tungsten layer with improved adhesion and filling behavior, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: 9589809
发表著作
（1） CMOS Past, Present and Future, ELSEVIER, 2018-04, 第 4 作者
科研项目
（ 1 ） 16/14nm基础技术研究, 主持, 国家级, 2015-01--2018-01
（ 2 ） 先导集成电路器件, 主持, 部委级, 2015-01--2018-01
（ 3 ） 专利专项资金奖励, 主持, 研究所（学校）, 2016-01--2017-01
参与会议
（1）Gap Filling for High AR features zhao chao 2010-03-12
研究领域
CMOS集成电路工艺技术，MEMS，自旋电子器件和工艺
近期论文
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（1） Switching of Exchange-Coupled Perpendicularly Magnetized Layers Under Spin-Orbit Torque, IEEE Transactions on Magnetics, 2018, 第 4 作者
（2） Improved Ti germanosilicidation by Ge pre-amorphization implantation (PAI) for advanced contact technologies, Microelectronic Engineering, 2018, 第 10 作者
（3） Deterministic switching of perpendicularly magnetic layers by spin orbital torque through stray field engineering, IEEE Magnetics Letters, 2017, 第 3 作者
（4） : pMOSFETs Featuring ALD W Filling Metal Using SiH4 and B2H6 Precursors in 22 nm Node CMOS Technology., Nanoscale Research Letters, 2017, 第 10 作者
（5） Charge pumping test technique using CMOS ring oscillator on leakage issue, Microelectronics Journal, 2017, 第 6 作者
（6） Fabricating metal structures with taper angles and smooth sidewalls., Journal of Micromechanics and Microengineering, 2017, 第 9 作者
（7） Angle-resolved x-ray photoelectron spectroscopy study of GeO x growth by plasma post-oxidation., Chinese Physics B, 2017, 第 5 作者
（8） Stress-induced leakage current characteristics of PMOS fabricated by a new multi-deposition multi-annealing technique with full gate last process, Chinese Physics B, 2017, 第 10 作者
（9） Negative-Capacitance Characteristics in a Steady-State Ferroelectric Capacitor Made of Parallel Domains., IEEE Electron Device Letters, 2017, 第 7 作者
（10） Hole Mobility Degradation by Remote Coulomb Scattering and Charge Distribution in Al2O3/GeOx Gate Stacks in Bulk Ge pMOSFET with GeOx Grown by Ozone Oxidation, Journal of Physics D Applied Physics, 2017, 第 6 作者
（11） Physically Based Evaluation of Effect of Buried Oxide on Surface Roughness Scattering Limited Hole Mobility in Ultrathin GeOI MOSFETs., IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 第 6 作者
（12） Understanding the microwave annealing of silicon, AIP Advances, 2017, 第 9 作者
（13） Optimization of Selective Growth of SiGe for Source/Drain in 14nm and Beyond Nodes FinFETs, International Journal of High Speed Electronics and Systems, 2017, 第 6 作者
（14） Crystallization behaviors of ultrathin Al-doped HfO 2 amorphous films grown by atomic layer deposition, Chinese Physics B, 2017, 第 7 作者
（15） Hot Implantations of P into Ge: Impact on the Diffusion Profile., Journal of Applied Physics, 2017, 第 7 作者
（16） Investigation of Thermal Atomic Layer Deposited TaAlC with Low Effective Work-Function on HfO 2 Dielectric Using TaCl 5 and TEA as Precursors, ECS Journal of Solid State Science and Technology,, 2017, 第 9 作者
（17） High-Mobility P-Type MOSFETs with Integrated Strained-Si 0.73 Ge 0.27 Channels and High-κ/Metal Gates, Chinese Physics Letters, 2016, 第 6 作者
（18） HfSiON high-k layer compatibility study with Tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH) solution, HfSiON high-k layer compatibility study with Tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH) solution, 2012, 第 2 作者
（19） Performance Breakthrough in Gate-All-Around Nanowire n- and p-Type MOSFETs Fabricated on Bulk Silicon Substrate, IEEE Trans. Electron Devices, 2012, 通讯作者
（20） Texture Characterization of Cu Interconnects with Different Ta-based Sidewall Diffusion Barriers, Microelectronics Engineering, 2011, 第 2 作者
（21） Barrier and Seed Repair Performance of Thin RuTa Films for Cu Interconnects, Microelectronic Engineering, 2011, 第 4 作者
（22） High performance N- and P-type gate-all-around nanowire MOSFETs fabricated on bulk Si by COMS-compatible process, IEEE Device Research Conference (DRC), 2011, 第 4 作者
（23） Thermal stability and dopant segregation for Schottky diodes with ultrathin epitaxial NiSi2-y, IEEE Electron Device Lett., 2011, 通讯作者
（24） Gap Filling for High AR features, CSTIC 2010, Invited Speech, 2010, 第 1 作者
（25） High-performance silicon nanowire gate-all-around nMOSFETs fabricated on bulk substrate using CMOS-compatible process, IEEE Electron Devices Lett., 2010, 通讯作者
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