个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学 招生方向 宽禁带半导体器件物理 半导体功率器件 原子层沉积薄膜生长 工作简历 2015-03~现在,中国科学院半导体研究所,研究员 2011-03~2015-03,中国科学院半导体研究所,副研究员 2009-01~2011-01,美国加州大学洛杉矶分校,博士后

研究领域

宽禁带半导体器件物理 复杂氧化物原子层沉积

科研项目 （1）原子层沉积铁酸铋薄膜的生长和铁电性能研究,主持,国家级,2012-01--2014-12 （2）中国科学院青年创新促进会,主持,国家级,2012-01--2015-12 （3）4英寸碳化硅外延生长技术研究,主持,省级,2013-01--2014-12 （4）原子层沉积Al2O3薄膜在SiC基MOS器件中的应用研究,主持,省级,2013-01--2015-12 （5）超厚碳化硅材料外延关键技术研究,主持,研究所（学校）,2014-01--2015-12 （6）大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究,参与,国家级,2014-01--2016-12 （7）高压大容量碳化硅IGBT电力电子器件若干基础问题研究,主持,国家级,2015-01--2019-06 （8）Al基栅介质在SiC基MOS器件中界面与电学特性研究,主持,国家级,2015-01--2018-12 （9）科技新星,主持,省级,2016-01--2018-12 （10）SiC单晶液相生长技术研究,参与,省级,2016-12--2018-12 （11）中国科学院青年创新促进会优秀会员,主持,部委级,2017-01--2019-12 （12）原子层沉积氮氧化铝在碳化硅沟槽型MOSFET功率器件中的应用研究,主持,省级,2018-01--2019-12 （13）碳化硅异质结界面散射与反型层电子迁移率研究,主持,省级,2016-01--2017-12 参与会议 （1）第三代半导体碳化硅发展及应用概况中国电子学会第二十三届青年学术年会2017-11-25 （2）OpportunitiesandChallengesforSiliconCarbideMOSFETsandDiodes国际宽禁带功率电子应用研讨会2017-05-21 （3）Studyofmorphologydefectsin4H-SiCthickepitaxiallayersgrownon4°off-axisSi-facesubstratesYan,Guoguo;Zhang,Feng;Liu,Xingfang;Wang,Lei;Zhao,Wanshun;Sun,Guosheng;Key,YipingZeng2016-11-15 （4）OptimizedP-emitterdopingforswitching-offlossofsuperjunction4H-SiCIGBTsShen,Zhanwei;Zhang,Feng;Tian,Lixin;Yan,Guoguo;Wen,Zhengxin;Zhao,Wanshun;Wang,Lei;Liu,Xingfang;Sun,Guosheng;Zeng,Yiping2016-11-15 （5）InterfacialandElectricalStudyofAnnealedAl2O3andAlNThinFilmson4H-SiCFengZhang;ZhanweiShen;ZhengxinWen;LixinTian;GuoguoYan;XingfangLiu;LeiWang;WanshunZhao;GuoshengSun;YipingZeng2016-10-16 （6）AtomicLayerDepositionofBiFeO3ThinFilms2.FengZhang,GuoshengSun,WanshunZhao,LeiWang,LiuZheng,ShengbeiLiu,BinLiu,LinDong,XingfangLiu,GuoguoYan,LixinTian2014-10-16 （7）InterfacialandElectricalStudyofAnnealedAl2O3andAlNThinFilmson4H-SiC1.FengZhang,GuoshengSun,LixinTian,ZhanweiShen,YipingZeng2014-09-24 （8）AtomicLayerDepositionofBiFeO3byβ-DiketonatesandH2OFengZhang,GuoshengSun,LiuZheng,ShengbeiLiu,BinLiu,LinDong,LeiWang,WanshunZhao,XingfangLiu,GuoguoYan,LixinTian,andYipingZeng2013-04-01 （9）原子层沉积Al2O3薄膜与4H-SiC衬底界面的退火研究第十七届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议(2)张峰*，孙国胜，郑柳，刘胜北，刘斌，董林，赵万顺，王雷，闫果果，刘兴昉，曾一平2012-11-07 （10）XPSanalysisandEnergy-bandAlignmentofAnnealedAl2O3FilmsPreparedbyAtomicLayerDepositionon4H-SiC(1)FengZhang*,GuoshengSun,ShengbeiLiu,LiuZheng,LinDong,BinLiu,WanshunZhao,LeiWang,GuoguoYan,YipingZeng2012-10-15 （11）AtomiclayerdepositedPb(Zr,Ti)OxfilmscompositedasferroelectricandmultiferroicmaterialswithCFO(4)F.Zhang*,T.E.Quickel,Y.Perng,S.Tolbert,andJ.P.Chang2010-10-17 （12）AtomiclayerdepositionofPb(Zr,Ti)Ox/Al2O3ultrathinfilmson4H-SiC(3)F.Zhang*,Y.Perng,T.Wu,T.Chung,G.P.Carman,S.E.Saddow,andJ.P.Chang2010-04-05 专利成果 （1）BiFeO3薄膜的原子层沉积方法,发明,2012,第1作者,专利号:CN201210278738.5 （2）用于紫外探测器的双层减反射膜及其制备方法,发明,2008,第2作者,专利号:CN100447583C （3）在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法,发明,2012,第4作者,专利号:CN201210057866.7 （4）沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法,发明,2012,第2作者,专利号:CN201210110576.4 （5）一种δ掺杂4H-SiC雪崩紫外光电探测器及其制备方法,发明,2009,第4作者,专利号:CN100514680C （6）集成傅里叶变换红外原位监测系统的原子层沉积装置,发明,2011,第1作者,专利号:CN201110449876.0 （7）ALD设备及应用于ALD设备的反应源扩散分布检测与控制方法,发明,2014,第2作者,专利号:CN103882410A （8）低偏角碳化硅同质外延材料的制作方法,发明,2015,第3作者,专利号:CN201510180960.5 （9）用于SiC基MOS器件栅介质薄膜的制备方法,发明,2014,第1作者,专利号:CN201410132967.5 （10）在SiC材料中获取二维电子气的方法,发明,2015,第2作者,专利号:CN201510366654.0 （11）SiC基HEMT器件的制备方法,发明,2015,第2作者,专利号:CN201510416658.5 （12）一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法,发明,2017,第3作者,专利号:CN201610150734.7 （13）碳化硅半导体器件及其制备方法,发明,2017,第2作者,专利号:CN201710076020.0

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（1）Tunableplasmon-inducedtransparencywithgraphene-basedT-shapedarraymetasurfaces,OpticsCommunications,2018,通讯作者 （2）Low-TemperatureOne-StepGrowthofAIONThinFilmswithHomogenousNitrogen-DopingProfilebyPlasma-EnhancedAtomicLayerDeposition,ACSAppliedMaterials&Interfaces,2017,第4作者 （3）Comparativestudyofelectricalcharacteristicsforn-type4H-SiCplanarandtrenchMOScapacitorsannealedinambientNO,ChinesePhysicsB,2017,通讯作者 （4）Peakmodulationinmulticavity-coupledgraphene-basedwaveguidesystem,NanoscaleResearchLetters,2017,通讯作者 （5）ANovelSiliconCarbideAccumulationChannelInjectionEnhancedGateTransistorWithBuriedBarrierUnderShieldingRegion,IEEEElectronDeviceLetters,2017,通讯作者 （6）InfluencesofannealingonstructuralandcompositionalpropertiesofAl2O3thinfilmsgrownon4H-SiCbyatomiclayerdeposition,ChinesePhysicsB,2016,通讯作者 （7）氯基条件下4H-SiC衬底的同质外延生长研究,半导体光电,2016,通讯作者 （8）Chloride-basedfasthomoepitaxialgrowthof4H-SiCfilmsinaverticalhot-wallCVD,半导体学报,2016,通讯作者 （9）Tunableplasmonicallyinducedtransparencywithunsymmetricalgraphene-ringresonators,JournalofAppliedPhysics,2015,第4作者 （10）Effectofhydrogenflowongrowthof3C-SiCheteroepitaxiallayersonSi(111)substrates,AppliedSurfaceScience,2015,通讯作者 （11）Multi-modePlasmonicallyInducedTransparencyinDualCoupledGraphene-IntegratedRingResonators,Plasmonics,2015,第3作者 （12）Multi-modePlasmonicallyInducedTransparencyinDualCoupledGraphene-IntegratedRingResonators,Plasmonics,2015,第3作者 （13）Thethermalstabilitystudyandimprovementof4H-SiCohmiccontact,AppliedPhysicsLetters,2014,通讯作者 （14）GrowthandfabricationofsputteredTiO2basedultravioletdetectors,AppliedSurfaceScience,2014,第4作者 （15）AtomicLayerDepositionofBiFeO3ThinFilmsUsingβ-DiketonatesandH2O,JournalofphysicalchemistryC,2013,第1作者 （16）Abinitiotheoreticalandphotoemissionstudiesonformationof4H-SiC(0001)/SiO2interface,AppliedSurfaceScience,2013,第3作者 （17）High-performance4H-SiCjunctionbarrierSchottkydiodeswithdoubleresistiveterminationextensions,ChinesePhysicsB,2013,第2作者 （18）FastHomoepitaxialGrowthof4H-SiCFilmson4°Off-AxisSubstratesinaSiH4+C2H4+H2System,ChinesePhysicsLetters,2013,第4作者 （19）Analysisandmodelingoflocalizedfacetingon4H-SiCepilayersurfaces,PhysicaStatusSolidiA,2013,通讯作者 （20）Interfacialstudyandenergy-bandalignmentofannealedAl2O3filmspreparedbyatomiclayerdepositionon4H-SiC,JournalofAppliedPhysics,2013,第1作者 （21）Tailoringthecompositionofleadzirconatetitanatebyatomiclayerdeposition,JournalofVacuumScienceandTechnologyB,2013,第2作者 （22）Characterizationof4H-SiCsubstratesandepilayersbyFouriertransforminfraredreflectancespectroscopy,ChinesePhysicsB,2012,通讯作者 （23）Infraredreflectancestudyof3C-SiCepilayersgrownonsiliconsubstrates,JournalofPhysicsD:AppliedPhysics,2012,通讯作者 （24）ImprovedEfficiencyofOrganic/InorganicHybridNear-InfraredLightUpconverterbyDeviceOptimization,ACSAppliedMaterialsInterfaces,2012,通讯作者 （25）High-performance4H-SiCbasedmetal-insulator-semiconductorultravioletphotodetectorswithSiO2andAl2O3/SiO2films,IEEEElectronDeviceLetters,2011,第1作者 （26）AtomiclayerdepositionofPb(Zr,Ti)Oxon4H-SiCformetal-ferroelectric-insulator-semiconductordiodes,JournalofAppliedPhysics,2011,第1作者 （27）Low-Dark-CurrentTiO2MSMUVPhotodetectorsWithPtSchottkyContacts,IEEEElectronDeviceLetters,2011,第4作者