个人简介
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080501-材料物理与化学
085400-电子信息
招生方向
宽禁带半导体信息功能材料的外延生长、物理及器件制备
MOCVD材料生长关键设备研制，GaN基电力电子器件
半导体材料与器件
教育背景
1992-03--1995-10 中科院西安光机所、中科院半导体所 博士
1987-07--1990-07 西北大学、中科院西安光机所 硕士
1980-09--1984-07 西北大学 本科
工作简历
2001-09~现在, 中科院半导体所, 研究员
1997-06~2001-09,中科院半导体研究所, 副研究员
1996-01~1998-01,中科院半导体所, 博士后
1992-03~1995-10,中科院西安光机所、中科院半导体所, 博士
1987-07~1990-07,西北大学、中科院西安光机所, 硕士
1984-07~1995-12,西北大学, 讲师
1980-09~1984-07,西北大学, 本科
教授课程
宽禁带半导体电子器件
半导体异质结构材料与应用
宽禁带半导体电子器件（中国科学院大学、首席教授）
半导体物理与器件
半导体工艺
宽禁带电力电子器件
宽禁带半导体材料与器件
奖励信息
（1） 新一代xxxx, 一等奖, 国家级, 2019
（2） 工信部科学技术进步奖, 一等奖, 部委级, 2017
（3） 北京市科学技术奖, 二等奖, 省级, 2012
（4） 全国优秀科技工作者, , 部委级, 2012
（5） 工信部科学技术成果奖, 一等奖, 部委级, 2009
（6） 中国科学院预先研究先进个人, , 部委级, 2006
专利成果
（ 1 ） p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL200810240351.4
（ 2 ） 用于金属有机物化学沉积设备的气体分配装置, 2011, 第 1 作者, 专利号: ZL201010033962.9
（ 3 ） 制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: ZL200810226288.9
（ 4 ） 氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110401468.8
（ 5 ） 用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘及其制作工艺, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL201010033965.2
（ 6 ） Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL200910236706.7
（ 7 ） 一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统, 2011, 第 1 作者, 专利号: ZL200610112883.0
（ 8 ） 用于金属有机物化学沉积设备的气路装置, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL201010033967.1
（ 9 ） 金属有机物化学沉积设备的反应室, 2011, 第 2 作者, 专利号: ZL201010033963.3
（ 10 ） 一种制备稀磁半导体薄膜的方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: ZL200710304215.2
（ 11 ） 具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: 201310054863.2
（ 12 ） 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: ZL201210467084.0
（ 13 ） 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210348006.9
（ 14 ） 用于金属有机化合物化学气相沉积设备反应室的进气顶盘, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201510002676.9
（ 15 ） 纵向调制掺杂氮化镓基场效应晶体管结构及其制作方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201611255799.4
（ 16 ） 一种用于薄膜材料生长的感应加热装置, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710728514.2
（ 17 ） 一种基于电磁感应的加热装置, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710738799.8
（ 18 ） 一种用于薄膜材料生长设备加热托盘的固定控制装置, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710728515.7
（ 19 ） 抑制GaN衬底在外延生长过程中背面分解的方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: 202010288020.9
（ 20 ） 阶梯型混合栅p-GaN氮化镓基晶体管结构及制作方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: 202010252675.0
（ 21 ） 晶圆的室温等静压金属键合方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: 202010204986.X
（ 22 ） 混合栅p-GaN增强型氮化镓基晶体管结构及制作方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: 202010198618.9
（ 23 ） MOFET器件, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201910175096.8
科研项目
（ 1 ） 核高基国家科技重大专项（Ku****）, 主持, 国家级, 2009-01--2012-12
（ 2 ） InGaN基全光谱光伏材料及其器件应用, 主持, 国家级, 2012-01--2016-08
（ 3 ） GaN 基毫米波功率器件与材料的新结构研究, 主持, 国家级, 2009-01--2012-12
（ 4 ） 3-4英寸GaN基微电子材料专用MOCVD装备研制, 主持, 部委级, 2011-11--2013-10
（ 5 ） 核高基国家科技重大专项（宽带****）, 主持, 国家级, 2011-01--2013-12
（ 6 ） SiC衬底HEMT结构材料生长技术研究, 主持, 国家级, 2011-01--2015-12
（ 7 ） 毫米波GaN功率器件和电路研究, 主持, 国家级, 2010-01--2014-12
（ 8 ） 宽推二期, 主持, 国家级, 2014-01--2016-12
（ 9 ） 高温MOCVD****, 主持, 国家级, 2014-01--2016-12
（ 10 ） 4英寸AlGaN/GaN******, 参与, 国家级, 2016-01--2018-12
（ 11 ） 毫米波GaN****, 参与, 国家级, 2012-01--2016-12
（ 12 ） GaN基功率器件基础问题研究, 主持, 国家级, 2014-01--2018-12
（ 13 ） GaN同质外延生长技术研究, 主持, 研究所（学校）, 2016-01--2018-12
（ 14 ） 宽推3期, 主持, 国家级, 2017-01--2020-12
近期论文
查看导师新发文章
（温馨提示：请注意重名现象，建议点开原文通过作者单位确认）
（1） Design and Fabrication of 4H-SiC MOSFETs with Optimized JFET and P-Body Design, Materials Science Forum, 2020, 通讯作者
（2） Theoretical Investigation on the Evolution of 2DEG for Design of E-Mode p-GaN HEMTs, IEEE Xplore Digital Library, 2020, 第 7 作者
（3） Comparative Study of SiC Planar MOSFETs With Different p-Body Designs, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 通讯作者
（4） Influence of Fe in the buffer layer on the laser lift-off of AlGaN/GaN HEMT film: phenomena and mechanism, Semiconductor Science and Technology, 2020, 通讯作者
（5） Hybrid-gate structure designed for high-performance normally-off p-GaN high-electron-mobility transistor, Japanese Journal of Applied Physics, 2020, 通讯作者
（6） Study of Asymmetric Cell Structure Tilt Implanted 4H-SiC Trench MOSFET, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 通讯作者
（7） 1700V 34m 4H-SiC MOSFET With Retrograde Doping in Junction Field-Effect Transistor Region, 2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019, 通讯作者
（8） Roles of polarization effects in InGaN/GaN solar cells and comparison of p-i-n and n-i-p structures, OPTICS EXPRESS, 2018, 通讯作者
（9） Simulation and Optimization of Temperature Distribution in Induction Heating Reactor, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 通讯作者
（10） Flow Field and Temperature Field in GaN-MOCVD Reactor Based on Computational Fluid Dynamics Modeling, CHIN. PHYS. LETT, 2018, 通讯作者
（11） Theoretical analysis of induction heating in high-temperature epitaxial growth system, AIP ADVANCES, 2018, 通讯作者
（12） Simulation Study of Enhancement-Mode InAlN/GaN HEMT with InGaN Cap Layer, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 通讯作者
（13） Trapping Effects Induced by Gate OFF-State Stress in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Fe-Doped Buffer, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 通讯作者
（14） Gate Leakage and Breakdown Characteristics ofAlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Fe Delta-Doped Buffer, Nanoscience and Nanotechnology Letters, 2018, 通讯作者
（15） Highly Sensitive Detection of Deoxyribonucleic Acid Hybridization Using Au-Gated AlInN/GaN High Electron Mobility Transistor-Based Sensors, Chinese Physics Letters, 2017, 通讯作者
（16） Fast electrical detection of carcinoembryonic antigen (CEA) based on AlGaN/GaN high electron mobility transistor aptasensor, Chinese Physics Letters, 2017, 通讯作者
（17） Optimization of growth and fabrication techniques to enhance the InGaN/GaN multiple quantum well solar cells performance, Superlattices and Microstructures, 2017, 通讯作者
（18） Impact of dual field plates on drain current degradation in InAlN/AlN/GaN HEMTs, Semicond. Sci. Technol, 2017, 通讯作者
（19） Self-consistent simulation of two-dimensional electron gas characteristics of a novel (InxAl1–xN/AlN) MQWs/InN/GaN heterostructure, Phys. Status Solidi A, 2016, 通讯作者
（20） Theoretical investigations on the N-polar GaN/AlxGa1-xN/GaN heterostructures: Considering the existence of both two-dimensional hole and electron gases, Journal of Applied Physics, 2016, 通讯作者
（21） Effects of a GaN cap layer on the reliability of AlGaN/GaN Schottky diodes, Phys. Status Solidi A, 2015, 通讯作者
（22） A Novel Multi-Finger Gate Structure of AlGaN/GaN High Electron Mobility, CHIN. PHYS. LETT, 2015, 通讯作者
（23） High performance AlGaN/GaN power switch with Si3N4 Insulation, Eur.Phys.J.Appl.Phys., 2013, 第 2 作者
（24） Bipolar characteristics of AlGaN/AlN/GaN/AlGaN double heterojunction structure with AlGaN as buffer layer, Journal of Alloys and Compounds, 2013, 第 2 作者
（25） The Valence Band Offset of an Al0.17Ga0.83N/GaN Heterojunction Determined by, Chinese Phyics Letter, 2013, 第 2 作者
（26） A 2nm low temperature GaN spacer to improve the transport properties of two-dimensional electron gas in AlGaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures, Applied Physics Letters, 2012, 第 2 作者
（27） The influence of pressure on the growth of InAlN/AlN/GaN heterostructure., Eur.Phys.J.Appl.Phys., 2012, 第 2 作者
（28） Self-consistent simulation of carrier confinement characteristics in (AlyGa1-yN/AlN)SLs/GaN/(InxGa1-xN/GaN)MQW/GaN heterostructures, Journal of Alloys and Compounds, 2012, 第 2 作者
（29） Numerical optimization of carrier confinement characteristics in (AlxGa1_xN/AlN)SLs/GaN heterostructures, Physica B, 2012, 第 2 作者
（30） Raman study on dislocation in high Al content AlxGa1-xN, Eur.Phys.J.Appl.Phys., 2012, 第 2 作者
（31） An investigation on InxGa1？xN/GaN multiple quantum well solar cells, Journal of Physics D: Applied Physics, 2011, 第 2 作者
（32） Growth of GaN film on Si (111) substrate by using AlN sandwich structure as buffer, Journal of Crystal Growth, 2011, 第 2 作者
（33） Surface characterization of AlGaN grown on Si (111) substrates, Journal of Crystal Growth, 2011, 第 2 作者
（34） Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-type GaN, Applied Physics Letters, 2011, 第 2 作者
（35） An Internally-matched GaN HEMTs Device with 45.2 W at 8 GHz for X band application, Solid State Electronics, 2009, 第 1 作者
（36） High-performance 2 mm gate width GaNHEMTs on 6H-SiC with output power of 22.4 W @ 8 GHz, Solid State Electronics, 2008, 第 1 作者
（37） MOCVD-grown high mobility Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN HEMT structure on sapphire substrate, Journal of Crystal Growth, 2007, 第 1 作者
学术兼职
2015-09-01-今,山东大学“功能晶体及器件教育部重点实验室”学术委员会, 委员
2014-05-26-今,国家安全重大基础研究“石墨烯晶片级材料与毫米波器件基础研究”项目专家组, 专家
2011-01-01-今,中国科学院“北京地区机加工技术服务中心”管理委员会, 委员
2010-01-01-今,中国科学院创新科学仪器研制技术服务中心管理委员会, 委员
2010-01-01-今,西安交通大学“腾飞人才计划”特聘教授, 教授
2009-12-31-今,工信部国防科技奖评审专家委员会, 专家
2007-06-14-今,西安交通大学“电子物理与器件教育部重点实验室”学术会员会, 委员
2007-01-01-今,全国半导体设备和材料标准化委员会材料分技术委员会, 委员
2006-01-01-今,中国电子学会半导体集成技术分会, 秘书长
2006-01-01-今,中国电子学会, 理事
2002-06-27-今,西安交通大学, 兼职教授
京公网安备 11010802027423号