研究领域
科研项目
（1）绝缘体上III-V族化合物衬底材料制备技术研究,主持,部委级,2013-01--2015-12
（2）2.8-4.0微米室温高性能半导体激光器材料和器件制备研究,主持,国家级,2014-01--2018-12
（3）中科院创新人才,主持,部委级,2013-01--2015-12
（4）应用于非制冷激光器的新型稀铋半导体材料研究,主持,国家级,2013-10--2018-12
（5）微纳系统材料、制造与器件物理,参与,国家级,2014-01--2016-12
（6）III-V和Ge集成高迁移率材料工程,参与,部委级,2013-01--2015-12
参与会议
（1）TBD20thInternationalConferenceonTransparentOpticalNetworks2018-07-01
（2）NearinfraredGaAsBiquantumwelllasersSPIEPhotonicsEurope2018.Strassbourg2018-04-22
（3）Lightemittingdevicesofdilutebismides8thInternationalWorkshoponBi-containingSemiconductors2017-07-23
（4）NovelgroupIVnano-andmicro-structuresforlightsourcesonsilicon2017IEEEPhotonicsSocietySummerTopicalsMeetingSeries2017-07-10
（5）ElectricallypumpedGaAsBilaserdiodes19thInternationalConferenceonTransparentOpticalNetworks2017-07-02
（6）RecentprogressondilutebismidesGlobalCongress&ExpoonMaterialsScienceandNanoscience2016-10-24
（7）DiluteIII-PBiandIII-SbBiforIRapplications18thInternationalConferenceonTransparentOpticalNetworks2016-07-10
（8）III-VlightemittersonGeandSisubstratesInternationalUnionofMaterialsResearchSocieties–InternationalConferenceonElectronicMaterials(IUMRS-ICEM2016)2016-07-04
专利成果
（1）单片集成具有晶格失配的晶体模板及其制作方法,2014,第1作者,专利号:No.201110394410.5
（2）GraphenefabricationbyCVDusingliquidcatalysts一种液态催化剂辅助化学气相沉积制备石墨烯的方法,2015,第1作者,专利号:No.201210096785.8
（3）Amethodforgraphenesynthesis一种制备石墨烯的方法,2013,第1作者,专利号:No.201210120753.7
（4）一种提高稀铋半导体材料稳定性的而方法,2013,第1作者,专利号:ZL201310264486.5
（5）一种GaAsOI结构及III-VOI结构的制备方法”,2015,第5作者,专利号:ZL2012.1.0559663.8
（6）一种III-VOI结构的制备方法,2016,第5作者,专利号:ZL2012.1.0559716.6
（7）一种发光二极管及光学相干层析成像系统,2016,第2作者,专利号:ZL2014.1.0052014.8
（8）基于铋元素的非矩形III-V族半导体量子阱的制备方法,2016,第1作者,专利号:ZL2013.1.0264472.3
（9）一种边发射半导体激光器腔面的非解理制备方法,2016,第2作者,专利号:ZL2013.1.0703155.7
（10）一种基于稀铋磷化物材料的多结太阳能电池结构,2017,第1作者,专利号:ZL2015.1.0151566.9
（11）一种单片原位形成图形衬底的方法,2017,第2作者,专利号:ZL2013.1.0629211.7
（12）基于硅基三维纳米线阵列的全环栅互补金属-氧化物-半导体场效应晶体管,2017,第1作者,专利号:ZL2013.1.0736928.1
（13）一种基于稀铋磷化物材料的中间带太阳能电池结构,2017,第1作者,专利号:ZL2015.1.0149341.X
（14）一种二维锡烯材料的制备方法,2017,第2作者,专利号:201610436234.X
（15）一种基于铋元素的GaAs基室温红外发光材料及其制备方法,2018,第1作者,专利号:CN2015106270367
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（1）Theelectron-phononinteractionatdeepBi2Te3-semiconductorinterfacesfromBrillouinlightscattering,Theelectron-phononinteractionatdeepBi2Te3-semiconductorinterfacesfromBrillouinlightscattering,Sci.Rep.,2017,第5作者
（2）InducedunconventionalsuperconductivityonthesurfacestatesofBi2Te3topologicalinsulator,InducedunconventionalsuperconductivityonthesurfacestatesofBi2Te3topologicalinsulator,Nat.Comm.,2017,第7作者
（3）EffectofAnnealingontheStructuralPropertiesofGeSnThinFilmGrownbyMBE,EffectofAnnealingontheStructuralPropertiesofGeSnThinFilmGrownbyMBE,AIPAdv.,2017,第11作者
（4）PhotoluminescenceofInGaAs/GaAsBi/InGaAstype-IIquantumwellsgrownbygassourcemolecularbeamepitaxy,PhotoluminescenceofInGaAs/GaAsBi/InGaAstype-IIquantumwellsgrownbygassourcemolecularbeamepitaxy,Semicond.Sic.Technol.,2017,第11作者
（5）Designofhigh-Qcompactpassiveringresonatorsviaincorporatingaloss-compensatedstructureforhighperformanceangularvelocitysensinginmonolithicintegrated-optical-gyroscopes,Designofhigh-Qcompactpassiveringresonatorsviaincorporatingaloss-compensatedstructureforhighperformanceangularvelocitysensinginmonolithicintegrated-optical-gyroscopes,IEEESensorsJ.,2017,第11作者
（6）NoveltypeIIInGaAs/GaAsBiquantumwellforlongerwavelengthemission,NoveltypeIIInGaAs/GaAsBiquantumwellforlongerwavelengthemission,J.AlloyCompounds,2017,第11作者
（7）Bi2Te3photoconductivedetectorsonSi,Bi2Te3photoconductivedetectorsonSi,Appl.Phys.Lett.,2017,第11作者
（8）High-TransparencyAl/Bi2Te3Double-BarrierHeterostructures,High-TransparencyAl/Bi2Te3Double-BarrierHeterostructures,IEEETrans.Appl.Supercond.,2017,第5作者
（9）ElectronicandOpticalPropertiesofArseneneUnderUniaxialStrain,ElectronicandOpticalPropertiesofArseneneUnderUniaxialStrain,IEEEJ.Sel.Top.QuantumElectron.,2017,第11作者
（10）Spininjectionandhelicitycontrolofsurfacespinphotocurrentinathreedimensionaltopologicalinsulator,Spininjectionandhelicitycontrolofsurfacespinphotocurrentinathreedimensionaltopologicalinsulator,Nat.Comm.,2017,第3作者
（11）NovelDiluteBismide,Epitaxy,PhysicalPropertiesandDeviceApplication,NovelDiluteBismide,Epitaxy,PhysicalPropertiesandDeviceApplication,Crystals7,2017,第11作者
（12）Highlytensile-strainedsub-monolayerGenanostructureonGaSbstudiedbyscanningtunnelingmicroscopy,Highlytensile-strainedsub-monolayerGenanostructureonGaSbstudiedbyscanningtunnelingmicroscopy,Mater.Res.Exp.,2017,第11作者
（13）Negativethermalquenchingofbelow-bandgapphotoluminescenceinInPBi,Negativethermalquenchingofbelow-bandgapphotoluminescenceinInPBi,Appl.Phys.Lett.,2017,第11作者
（14）Growthandelectricalpropertiesofhigh-qualityInGaAsBithinfilmsusinggassourcemolecularbeamepitaxy,Growthandelectricalpropertiesofhigh-qualityInGaAsBithinfilmsusinggassourcemolecularbeamepitaxy,Jpn.J.Appl.Phys.,2017,第4作者
（15）StructuralpropertiesofGeSnthinfilmsgrownbymolecularbeamepitaxy,StructuralpropertiesofGeSnthinfilmsgrownbymolecularbeamepitaxy,AIPAdv.,2017,第11作者
（16）Tunablebandgapsinstanene/MoS2heterostructures,Tunablebandgapsinstanene/MoS2heterostructures,J.Mat.Sci.,2017,第11作者
（17）Structuralandelasticpropertiesofzinc-blendeandwurtziteInN1-xBixalloys,Structuralandelasticpropertiesofzinc-blendeandwurtziteInN1-xBixalloys,J.AlloyCompound.,2017,第11作者
（18）TheeffectofBicompositionontheelectricalpropertiesofInP1-xBix,TheeffectofBicompositionontheelectricalpropertiesofInP1-xBix,Sci.China-Phys.Mech.Astron.,2017,第10作者
（19）Facilesynthesisofhighlygraphitizednitrogen-dopedcarbondotsandcarbonsheetswithsolid-statewhite-lightemission,Facilesynthesisofhighlygraphitizednitrogen-dopedcarbondotsandcarbonsheetswithsolid-statewhite-lightemission,Mat.Lett.,2017,第11作者
（20）EfficiencyimprovementofGaInPsolarcellsbybroadbandomnidirectionalantireflectionthroughdielectriccompositenanostructures,EfficiencyimprovementofGaInPsolarcellsbybroadbandomnidirectionalantireflectionthroughdielectriccompositenanostructures,Sol.EnergyMater.Sol.Cells,2017,第11作者
（21）1.142µmGaAsBi/GaAsQuantumWellLasersGrownbyMolecularBeamEpitaxy,1.142µmGaAsBi/GaAsQuantumWellLasersGrownbyMolecularBeamEpitaxy,ACSPhotonics,2017,第11作者
（22）Quasiparticleandopticalpropertiesofstrainedstaneneandstanane,Quasiparticleandopticalpropertiesofstrainedstaneneandstanane,Sci.Rep.,2017,第11作者
（23）TheoreticalInvestigationofBiaxiallyTensile-StrainedGermaniumNanowires,TheoreticalInvestigationofBiaxiallyTensile-StrainedGermaniumNanowires,NanoscaleRes.Lett.,2017,第11作者
（24）IncorporationofBiatomsinInPstudiedattheatomicscalebycross-sectionalscanningtunnelingmicroscopy,IncorporationofBiatomsinInPstudiedattheatomicscalebycross-sectionalscanningtunnelingmicroscopy,Phys.Rev.Mater.,2017,第11作者
（25）Vapor-solid-solidgrownGenanowiresatintegratedcircuitcompatibletemperaturebymolecularbeamepitaxy,Vapor-solid-solidgrownGenanowiresatintegratedcircuitcompatibletemperaturebymolecularbeamepitaxy,J.Appl.Phys.,2017,第11作者
（26）ClosingthebandgapforIII-Vnitridestowardmid-infraredandTHzapplications,ClosingthebandgapforIII-Vnitridestowardmid-infraredandTHzapplications,Sci.Rep.,2017,第11作者
（27）Electronicandexcitonicpropertiesoftwo-dimensionalandbulkInNcrystals,Electronicandexcitonicpropertiesoftwo-dimensionalandbulkInNcrystals,RSCAdv.,2017,第11作者
（28）InfluenceofGrowthConditionsonBiConcentrationinGaAsBiThinFilmsGrownbyGSMBE,InfluenceofGrowthConditionsonBiConcentrationinGaAsBiThinFilmsGrownbyGSMBE,J.Mat.Sci.Eng,2017,第11作者
（29）NanoscaledistributionofBiatomsinInP1−xBix,NanoscaledistributionofBiatomsinInP1−xBix,Sci.Rep.,2017,第11作者
（30）Structural,electronic,vibrationalandopticalpropertiesofBi-nclusters,Structural,electronic,vibrationalandopticalpropertiesofBi-nclusters,Mod.Phys.Lett.,2017,第11作者
（31）Growthmodeoftensile-strainedGequantumdotsgrownbymolecularbeamepitaxy,Growthmodeoftensile-strainedGequantumdotsgrownbymolecularbeamepitaxy,J.Phys.D,2017,第11作者
（32）AugerrecombinationatlowtemperaturesinInGaAs/InAlAsquantumwellprobedbyphotoluminescence,AugerrecombinationatlowtemperaturesinInGaAs/InAlAsquantumwellprobedbyphotoluminescence,J.Lumin,2016,第4作者
（33）GrowthandmaterialpropertiesofInPBithinfilmsusinggassourcemolecularbeamepitaxy,GrowthandmaterialpropertiesofInPBithinfilmsusinggassourcemolecularbeamepitaxy,J.AlloysCompounds,2016,第11作者
（34）DetailedstudyoftheinfluenceofInGaAsmatrixonthestrainreductionintheInAsdot-in-wellstructure,DetailedstudyoftheinfluenceofInGaAsmatrixonthestrainreductionintheInAsdot-in-wellstructure,NanoscaleRes.Lett,2016,第11作者
（35）Bi-inducedacceptorlevelresponsibleforpartialcompensationofnativefreeelectrondensityinInP1-xBixdilutebismidealloys,Bi-inducedacceptorlevelresponsibleforpartialcompensationofnativefreeelectrondensityinInP1-xBixdilutebismidealloys,J.Phys.D-Appl.Phys,2016,第11作者
（36）HeteroepitaxygrowthofGaAsBionGe(100)substratebygassourcemolecularbeamepitaxy,HeteroepitaxygrowthofGaAsBionGe(100)substratebygassourcemolecularbeamepitaxy,Appl.Phys.Exp,2016,第11作者
（37）TheeffectofBi-Inhetero-antisitedefectsinIn1-xPBixalloy,TheeffectofBi-Inhetero-antisitedefectsinIn1-xPBixalloy,Mod.Phys.Lett.B,2016,第11作者
（38）InfluenceofGaAsBimatrixonopticalandstructuralpropertiesofInAsquantumdots,InfluenceofGaAsBimatrixonopticalandstructuralpropertiesofInAsquantumdots,NanoscaleRes.Lett.,2016,第11作者
（39）AnomalousphotoluminescenceinInP1-xBix,AnomalousphotoluminescenceinInP1-xBix,Sci.Rep,2016,第11作者
（40）Bismuth-content-dependentpolarizedRamanspectrumofInPBialloy,Bismuth-content-dependentpolarizedRamanspectrumofInPBialloy,Chin.Phys.B,2016,第11作者
（41）StructuralpropertiesandphasetransitionofNaadsorptiononmonolayerMoS2,StructuralpropertiesandphasetransitionofNaadsorptiononmonolayerMoS2,NanoscaleRes.Lett.,2016,第11作者
（42）OpticalpropertiesandbandbendingofInGaAs/GaAsBi/InGaAstype-IIquantumwellgrownbygassourcemolecularbeamepitaxy,OpticalpropertiesandbandbendingofInGaAs/GaAsBi/InGaAstype-IIquantumwellgrownbygassourcemolecularbeamepitaxy,J.Appl.Phys.,2016,第11作者
（43）Structuralandelectronicpropertiesoftwo-dimensionalhybridstaneneandgrapheneheterostructure,Structuralandelectronicpropertiesoftwo-dimensionalhybridstaneneandgrapheneheterostructure,NanoscaleRes.Lett.,2016,第11作者
（44）ExternalelectricfieldeffectonexcitonbindingenergyinInGaAsP/InPcylindricalquantumwires,ExternalelectricfieldeffectonexcitonbindingenergyinInGaAsP/InPcylindricalquantumwires,Phys.BCondensedMat.,2016,第11作者
（45）PhotoluminescenceprobingofinterfaceevolutionwithannealinginInGa(N)As/GaAssinglequantumwells,J.Appl.Phys.,2015,第11作者
（46）BismutheffectsonelectroniclevelsinGaSb(Bi)/AlGaSbquantumwellsprobedbyinfraredphotoreflectance,Chin.Phys.Lett.,2015,第11作者
（47）ThermoelectricpropertiesofSnSecompound,J.AlloysandCompound,2015,第11作者
（48）NovelInGaPBiSingleCrystalGrownbyMolecularBeamEpitaxy,Appl.Phys.Exp.,2015,第11作者
（49）EffectofrapidthermalannealingonInP1-xBixgrownbymolecularbeamepitaxy,Semicond.Sci.Technol.,2015,第11作者
（50）RamanspectroscopyofepitaxialtopologicalinsulatorBi2Te3thinfilmsonGaNsubstrates,Mod.Phys.Lett.B,2015,第11作者
（51）GrowthofsemiconductoralloyInGaPBionInPbymolecularbeamepitaxy,Semicond.Sci.Technol,2015,第11作者
（52）RamanScatteringstudiesofdiluteInP1-xBixalloysrevealunusuallystrongoscillatorstrengthforBi-inducedmodes,Semicond.Sci.Technol.,2015,第11作者
（53）StructuralandopticalcharacterizationsofInPBithinfilmsgrownbymolecularbeamepitaxy,NanoscaleRes.Lett.,2014,第11作者
（54）Mobilityenhancementintensile-strainedGegrownonInAlPmetamorphictemplates,Appl.Surf.Sci,2014,第11作者
（55）Mobilityenhancementintensile-strainedGegrownonInAlPmetamorphictemplates,Appl.Surf.Sci,2014,第11作者
（56）Thermoelectricpropertiesofquaternary(Bi,Sb)2(Te,Se)3compound,J.AlloysandCompound,2014,第11作者
（57）First-principlesstudyonelectronicandmagneticpropertiesof(Mn,Fe)-codopedZnO,J.MagnetismandMagneticMat,2014,第11作者
（58）StraininducedcompositionprofileinInGaN/GaNcore-shellnanowires,SolidStateCommun.,2014,第11作者
（59）Investigationonstructural,electronicandmagneticpropertiesofMn-dopedGa12N12clusters,J.Mat.Sci.,2014,第11作者
（60）Magneticpropertiesin(Mn,Fe)-codopedZnOnanowire,ThinSolidFilm,2014,第11作者
（61）StrainandlocalizationeffectsinInGaAs(N)quantumwells:tuningthemagneticresponse,J.Appl.Phys.,2014,第11作者
（62）Contactlesselectronreflectanceandtheoreticalstudiesofbandgapandspin-orbitsplittinginInP1-xBixdilutebismidewithx≤0.034,Appl.Phys.Lett.,2014,第11作者
（63）Template-lessSynthesisofHollowCarbonNanospheresforWhiteLight-EmittingDiodes,Mat.Lett.,2014,第11作者
（64）PointdefectbalanceinepitaxialGaSb,Appl.Phys.Lett.,2014,第11作者
（65）InPBisinglecrystalsgrownbymolecularbeamepitaxy,Sci.Rep.,2014,第11作者
（66）StructuralandelectronicpropertiesofInPBialloys,Mod.Phys.Lett.,2014,第11作者
（67）ElectronicandopticalpropertiesofInGaAs/GaAsquantumdotswithtunableaspect-ratio,Mod.Phys.Lett.,2014,第11作者
（68）Anovelsemiconductorcompatiblepathfornano-graphenesynthesisusingCBr4precursorandGacatalyst,Sci.Rep,2014,第11作者
（69）VanadiumdopingonmagneticpropertiesofH-passivatedZnO,J.Mat.Sci.,2014,第11作者
（70）StructuralandelectronicpropertiesofWurtziteGaX(X=N,P,As,Sb,Bi)underin-plainbiaxialstrains,Superlatt.Microstruct.,2014,第11作者
（71）PhasetransitionofbismuthtelluridethinfilmsgrownbyMBE,Appl.Phys.Exp.7,2014,第11作者
（72）Ramanenhancementbygraphene-Ga2O32Dbilayerfilm,NanoscaleRes.Lett.,2014,第11作者
（73）BismuthalloyingpropertiesinGaAsnanowires,J.SolidStateChem.,2013,第11作者
（74）StructuralpropertiesandenergeticsofGaAsnanowires,PhysicaE-Low-DimensionalSystems&Nanostructures,2013,第11作者
（75）Atheoreticalinvestigationonthermoelectricperformanceofternary(Bi1-xSbx)2Te3compound,J.Mat.Sci.,2013,第11作者
（76）Growthoptimization,straincompensationandstructuredesignofInAs/GaSbtype-IIsuperlatticesformid-wavelengthinfraredimaging,Cryst.StructureTheoryandAppl.2,2013,第11作者
（77）Shallow-terrace-likeinterfaceindilute-bismuthGaSb/AlGaSbsinglequantumwellsevidencedbyphotoluminescence,J.Appl.Phys.,2013,第11作者
（78）MolecularbeamepitaxygrowthofInSb1-xBixthinfilms,J.Cryst.Growth,2013,第11作者
（79）Highqualitystrain-compensatedmultipleInAs/AlGaNAsquantumdotlayersgrownbyMBE,Phys.StatusSolidi,2013,第11作者
（80）OpticalpropertiesofInGaAsBi/GaAsstrainedquantumwellsstudiedbytemperature-dependentphotoluminescence,ChinesePhysicsB22,2013,第11作者
（81）Chemicalvapordepositionofgrapheneonliquidmetalcatalysts,Carbon53,2013,第11作者
（82）ElectronicStructureandThermoelectricPropertiesofBi2(Te1-xSex)3compound,SolidStateCommun.,2013,第11作者
发表著作
“LatticeEngineering,TechnologiesandApplications”,PanStanford,2013-01,第1作者
京公网安备 11010802027423号