个人简介

潘教青，男，博士，研究员，博士生导师。 兼任中国科学院大学岗位教授。 一、正在承担的项目： 1.国家重点研发项目“有源红外气体传感材料与器件及应用”，项目首席，1478万元。 2.中科院前沿科学重点研究计划项目“硅基大规模混合集成的量子阱激光器研究”，项目负责人，500万元。 3.企业委托“光子集成芯片联合实验室”，项目负责人，1600万元。 4.企业委托“光电子联合实验室”，项目负责人，500万元。 二、结题的项目 1.国家科技重大专项“硅基高迁移率材料与新器件集成技术研究”，首席科学家。 2.国家“863”计划项目“ROF用多功能电吸收光调制器”，项目负责人。 3.国家“863”计划项目“基于量子阱激光器的气体检测系统关键技术研究”，项目负责人。 4.国家“863”计划项目“多波长硅基混合激光阵列及收发模块研究”（与北京大学合作）课题负责人。 三、科研成果： 1.中国电子学会发明二等奖“基于量子阱激光器的气体检测系统关键技术研究”。第一完成人。完成多种气体传感用激光器和传感仪器，在煤炭、石油、天然气、LNG等行业得到示范应用。 2.2014年以“Ultrabroadstimulatedemissionfromquantumwelllaser”为题发表在AppliedPhysicsLetters,vol.104,p.251101,（2014）。迅速被世界顶级期刊NaturePhotonics,vol.8,pp.675-675,2014.ResearchHighlights报道。该报道以Broadbandlasers为标题，称该项研究对超短脉冲光源和多波长调谐光源方面的研究具有重要意义。目前正在制作集成芯片，有望在光生微波、光生太赫兹波方面取得突破。 3.硅衬底上外延III-V族半导体材料，获得了高质量的具有MOSFETs器件结构半导体外延层材料，2016年相关成果两次发表在微电子领域的顶级期刊IEEETransactionsonElectronDevices。 4.2016年首次获得硅基高质量InGaAs/InP量子阱，“RidgeInGaAs/InPmulti-quantum-wellselectivegrowthinnanoscaletrenchesonSi(001)substrateAppliedPhysicsLetters,S.Li,X.Zhou,M.Li,X.Kong,J.Mi,M.Wang,W.Wang,andJ.Pan,108,2016”，目前正在制作SOI衬底直接外延InGaAs/InP激光器，对硅基光子集成芯片（PIC）具有重大意义。 5.目前正在研究硅基单片集成激光雷达芯片，集成度高、体积小、功耗低，是无人驾驶等行业的关键技术之一。 6.培养十余名博士研究生，其中两位获得中国科学院院长奖学金（冯文、王火雷），一位获得半导体所长奖学金（李士颜）。

研究领域

1.硅基单片集成激光雷达； 2.硅基纳米激光器，硅基混合集成激光器； 3.TDLAS传感系统； 4.InP基单片集成光子芯片。

科研项目 正在承担的项目： 国家自然科学基金重点项目“硅基激光雷达芯片关键技术研究”项目负责人 国家重点研发计划“有源红外气体传感材料与器件及应用”项目首席； 中国科学院前沿重点研究项目“硅基大规模混合集成的量子阱激光器研究”项目负责人； “光子集成芯片联合实验室”，单片集成激光雷达芯片，项目负责人； 已经结题的项目： 国家科技重大专项“硅基高迁移率材料与新器件集成技术研究”，首席科学家。 国家“863”计划项目“ROF用多功能电吸收光调制器”，负责人。 国家“863”计划项目“基于量子阱激光器的气体检测系统关键技术研究”，负责人。 国家“863”计划项目“多波长硅基混合激光阵列及收发模块研究”（与北京大学合作）子课题，负责人。 国家“973”项目“InP基DFB激光器芯片制备及其与硅基波导键合研究”（与北京大学合作）子课题，负责人。 科研成果 十多年的TDLAS研究经历，完成多种气体传感用激光器和传感仪器，在煤炭、石油、天然气、LNG等行业得到规模应用。 近二十年的MOCVD材料设计和生长经历，GaAs和InP基多种波长的激光器和集成器件研究经验。硅基InGaAs/InP量子阱生长经验。 2016年首次获得硅基高质量InGaAs/InP量子阱，“RidgeInGaAs/InPmulti-quantum-wellselectivegrowthinnanoscaletrenchesonSi(001)substrateAppliedPhysicsLetters,S.Li,X.Zhou,M.Li,X.Kong,J.Mi,M.Wang,W.Wang,andJ.Pan,108,2016”，目前正在制作硅基直接外延InGaAs/InP激光器，对硅基光子集成芯片（PIC）具有重大意义。 目前正在研究硅基单片集成激光雷达芯片，集成度高、体积小、功耗低，是无人驾驶等行业的关键技术之一。 专利成果 （1）运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备,发明,2012,第4作者,专利号:ZL.201110206038.0 （2）应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法,发明,2012,第4作者,专利号:ZL.201110206037.6 （3）制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法,发明,2007,第1作者,专利号:ZL200510059189.2 （4）窄条选择外延技术制作铝铟镓砷掩埋脊波导激光器及方法,发明,2008,第2作者,专利号:ZL200510073984.7 （5）具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法,发明,2007,第3作者,专利号:ZL200510011848.5 （6）吸收型增益耦合分布反馈激光器的制作方法,发明,2009,第3作者,专利号:ZL200610089590.5 （7）倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法,发明,2010,第5作者,专利号:ZL200810115627.6 （8）取样光栅分布布拉格反射半导体激光器的制作方法,发明,2010,第3作者,专利号:ZL200810116039.4 （9）低介电常数BCB树脂的固化方法,发明,2010,第3作者,专利号:ZL200810116413.0 （10）一种制备高速电吸收调制器的方法,发明,2011,第2作者,专利号:ZL200810225782.3 （11）异质掩埋激光器的制作方法,发明,2010,第5作者,专利号:ZL201010196147.4 （12）分布放大的取样光栅分布布拉格反射可调谐激光器,发明,2012,第4作者,专利号:Zl201010564545.7 （13）量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法,发明,2012,第4作者,专利号:ZL201010591447.2 （14）倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法,发明,2013,第4作者,专利号:ZL201110206340.6 （15）一种制作双波长分布反馈集成激光器的方法,发明,2013,第2作者,专利号:ZL201210154197.5 （16）采用选区生长有源区的硅基850nm激光器的制备方法,发明,2013,第4作者,专利号:ZL201210032754.6 （17）制备硅基InGaAsP为有源区的1550nm激光器的方法,发明,2013,第4作者,专利号:Zl201210033017.8 （18）基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法,发明,2013,第4作者,专利号:ZL201210057292.3 （19）METHODOFMANUFACTURINGSI-BASEDHIGH-MOBILITYGROUPIII-V/GECHANNELCMOS,发明,2015,第4作者,专利号:US8987141B2 （20）基于MMI耦合器的InP基少模光子集成发射芯片,发明,2016,第3作者,专利号:201510882626.4 （21）一种眼科医疗OCT技术用激光器安全功率的控制装置,发明,2015,第1作者,专利号:201510661775.8 （22）InP基波分-模分复用少模光通信光子集成发射芯片,发明,2015,第5作者,专利号:201510547137.3 （23）一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法,发明,2014,第4作者,专利号:201410077528.9 （24）一种PiNiN结构晶闸管激光器,发明,2013,第5作者,专利号:201310706406.7 （25）电注入硅基III-V族纳米激光器阵列的制备方法,发明,2018,第5作者,专利号:201810600079 （26）多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制作方法,发明,2019,第5作者,专利号:ZL201611063646.X （27）硅基Ⅲ-Ⅴ族红外光电探测器阵列的制备方法,发明,2019,第5作者,专利号:201910519509.X （28）硅基电注入激光器及其制备方法,发明,2019,第5作者,专利号:ZL201710255128.6 （29）电注入硅基III-V族边发射纳米线激光器及其制备方法,发明,2019,第5作者,专利号:201910102887.8

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1.RidgeInGaAs/InPmulti-quantum-wellselectivegrowthinnanoscaletrenchesonSi(001)substrate,AppliedPhysicsLetters,S.Li,X.Zhou,M.Li,X.Kong,J.Mi,M.Wang,W.Wang,andJ.Pan,108,021902,2016 2.Strain-drivensynthesisof〈112〉directionInAsnanowiresinV-groovedtrenchesonSiusingInP/GaAsbufferlayers,J.Cryst.Growth,S.Li,X.Zhou,X.Kong,M.Li,J.Mi,M.Wang,andJ.Pan,449,5-9,2016. 3.TheComparisonofCurrentRatioION/IOFFandMobilityBetweenSiGeSubstrateandGaAsSubstrateIn0.23Ga0.77AsChannelMOSFETs,IEEETrans.onElectronDevices,X.Kong,R.Liang,X.Zhou,S.Li,M.Wang,H.Liu,J.Wang,W.Wang,andJ.Pan,63,3084,2016. 4.DesignandFabricationof1.55μmSlottedBroadAreaSingle-ModeFabry-PerotLasers,LiMengke,YuanLijun,YuHongyan,KanQiang,LiShiyan,MiJunpingandJiaoqingPan,JournalofSemiconductors,37(3),034007,2016 5.HighmobilityIn0.23Ga0.77AschannelMOSFETsgrownonGe/SiVirtualSubstratebyMOCVD,IEEETransactionsonElectronDevices,X.Kong,X.Zhou,S.Li,H.Liu,J.Wang,R.Liang,W.Wang,andJ.Pan,62(5),2015 6.Huolei.Wang,Xuliang.Zhou,Hongyan.Yu,JunpingMi,JingBian,YingDing,WeixiChen,WeiWang,JiaoqingPan,"Ultrabroadstimulatedemissionfromquantumwelllaser,"AppliedPhysicsLetters,vol.104,p.251101,2014. 7.(ReportedbyNaturePhotonicsasResearchHighlights."Optoelectronics:Broadbandlasers,"NaturePhotonics,vol.8,pp.675-675,2014.) 8.Huolei.Wang,Hongyan.Yu,Xuliang.Zhou,Qiang.Kan,Lijun.Yuan,Weixi.Chen,Wei.Wang,Ying.Ding,andJiaoqing.Pan,"High-powerInGaAs/GaAsquantum-welllaserwithenhancedbroadspectrumofstimulatedemission,"AppliedPhysicsLetters,vol.105(14),p.141101,2014. 9.Huolei.Wang,Liang.Kong,A.Forrest,D.Bajek,S.E.Haggett,X.Wang,Bifeng.Cui,Jiaoqing.Pan,Ying.Ding,andM.A.Cataluna,"Ultrashortpulsegenerationbysemiconductormode-lockedlasersat760nm,"OpticsExpress,vol.22(21),pp.25940-25946,2014. 10.HuoleiWang,JunpingMi,XuliangZhou,L.Meriggi,M.Steer,BifengCui,WeixiChen,JiaoqingPan,andD.Ying,"1.06-mumInGaAs/GaAsmultiple-quantum-wellopticalthyristorlaserswithaPiNiNstructure,"Opt.Lett.38,4868-4871(2013).