个人简介
张铁民,男,汉族,1968年7月,吉林省吉林市人,物理学硕士生导师,1990年6月毕业于延边大学物理系,获学士学位;2008年7月毕业于中国科学院研究生院,获理学博士学位;2008年7月始任海南师范大学物理教师,现为海南师范大学物理与电子工程学院教授,学院副院长。
主讲本科课程:《力学》《光学》《普通物理学》等。
主持或参与的科研项目:
1国家自然科学基金批准号:41364005项目名称:低纬度地区中高层大气激光雷达观测,课题主持人。2014.1-2017.12
2国家自然科学基金批准号:11364015项目名称:稀土与3d过渡金属及合金磁性多层超薄膜阻尼因子的研究,孙丽课题主持人,本人排名第2。2014.1-2017.12
3海南省自然科学基金项目批准号:111003项目名称:铟镓砷高晶格失配材料生长及器件性能研究课题主持人2012.1-2013.12。
4海南省自然科学基金项目批准号:511116项目名称:二氧化钛一维纳米结构的图案化制备技术研究班冬梅课题主持人本人排名第2.2012.1-2013.12。
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1TieminZhang,GuoqingMiao,YixinJin,etal.EffectofIncontentofthebufferlayeroncrystallinequalityandelectricalpropertyofIn0.82Ga0.18As/InPgrownbyLP-MOCVD,MicroelectronicsJournal,38(3)(2007)398-400.(SCI)
2TieminZhang,GuoqingMiao,YixinJin,etal.EffectofbuffergrowthtemperatureoncrystallinequalityandopticalpropertyofIn0.82Ga0.18As/InPgrownbyLP-MOCVD,JournalofAlloysandCompounds,458(1-2)(2008)363-365.(SCI)
3ShuzhenYu,GuoqingMiao,JianchunXie,YixinJin,TieminZhang,etal.EffectofbufferlayerthicknessandepilayergrowthtemperatureoncrystallinequalityofInAs0.9Sb0.1grownbyMOCVD,JournalofAlloysandCompounds466(1-2)(2008)507-511.(SCI)
4TieminZhang,GuoqingMiao,YixinJin,etal.EffectofbufferthicknessonpropertiesofIn0.8Ga0.2As/InPwithtwo-stepgrowthtechnique,JournalofAlloysandCompounds,2009,472(1-2):587-590.(SCI)
5TieminZhang,GuoqingMiao,YixinJin,etal.Astudyoftwo-stepgrowthandpropertiesofIn0.82Ga0.18AsonInP,MaterialsScienceinSemiconductorProcessing,2009,12(4-5):156-160.(SCI)
6ShuzhenYu,GuoqingMiao,YixinJin,TieminZhang,etal.Investigationongrowthrelatedaspectofcatalyst-freeInPnanowiresgrownbymetalorganic-chemicalvapourdeposition,JournalofAlloysandCompounds,479(1-2)(2009)832-834.(SCI)
7ZHANGTie-min,MIAOGuo-qing,FUJun,etal.RamanScatteringofIn0.82Ga0.18Asgrownbytwosteptechnique.Proc.ofSPIEVol.7381,(2009)73810E-1_7.(EI)
8TieminZhang,GuoqingMiao,JunFu,etal,InGaAsnanoflowersgrownbyMOCVD,AdvancedMaterialsResearch,560-561(2012)747-750.(EI)
9TieminZhang,GuoqingMiao,JunFu,etal.ResponseSpectrum0.9-2.65μmofIn0.82Ga0.18AsDetectorsbyTwo-stepGrowthTechnique[J].AdvancedMaterialsResearch,2012,629:209-213.(EI)
10GuoqingMiao,TieminZhang,ZhiweiZhangandYixinJin.ExtendedspectralresponseinIn0.82Ga0.18As/InPphotodetectorusingInPasawindowlayergrownbyMOCVD[J].Cryst.Eng.Comm.(2013)15(42):8461-8464.(SCI)
11张铁民,缪国庆*,金亿鑫,谢建春,蒋红,李志明,宋航,缓冲层InxGa1-xAs组分对In0.82Ga0.18As结晶质量和表面形貌的影响,发光学报,2006,27(5):797-800。
12张铁民,缪国庆*,金亿鑫,蒋红,李志明,傅军,颜丽娜,缓冲层生长温度对In0.82Ga0.18As薄膜结构及电学性能的影响(英文),发光学报,2009,30(6):787-791。
13张铁民,缪国庆*,傅军,符运良,林红,利用In0.82Ga0.18As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层,发光学报2011,32(6):612-616。(EI)
14张铁民,王继红*,傅军,关塞,张福恒,沈振江,杨国韬,2010年5月4日夜间海口上空纳层密度的激光雷达观测研究,空间科学学报,2013,33(1):48-52。
15张铁民,王继红*,傅军,羊大立,羊现长,吴伟,杨国韬,ObservationoftheDoubleSodiumlayerOverHaikou,ChinabyLidar,空间科学学报,2013,33(4):410-412。
16张铁民,王继红,刘汉军*,2010年海口上空突发钠层事件观测,空间科学学报2015,35(5):566-573。
17张铁民,王继红*,王林茂,陈学明,吴建清,邹旭,彭鸿雁,2012年7月海口与北京大气钠层观测,空间科学学报2017,37(4):424-431。
18羊大立,张铁民*,王继红,燕春晓,彭鸿雁,海口上空中高层大气强烈突发钠层观测,空间科学学报2018,38(6):886-890。