个人简介
个人简介
最高学位硕士，长期从事电力电子与无线电力传输等方向的研究工作。参与自然科学基金项目1项，另主持和参与省部级及横向科研项目10余项。以第一或通迅作者，在国内外学术期刊及会议上发表学术论文30余篇，其中SCI、EI检索论文20篇，获国家专利11项。作为第一编著人出版教材1本。IEEETransactionsonElectronDevices、ElectronicsLetters审稿人。
工作经历
曾在成都大唐电信光通信有限公司从事通信设备的研发工作；现于西华大学电气信息学院任教，长期从事电力电子和无线电力传输的研究工作。
教育经历
四川师范大学物理学院物理教育专业就读本科；电子科技大学通信与信息工程学院攻读硕士学位；在电子科技大学进修3年，研究功率器件与集成电路。
学术成果
近年来主持或参与的部分科研项目
序号
科研（教改）项目名称
项目下达单位
项目立项时间
(YYYY.MM)
项目（计划）
结题时间
(YYYY.MM)
项目级别
本人项目排名
(含主持人)
1
衬底深耗尽效应对SOI-LDMOS器件动态耐压特性的影响研究
教育部项目
2017-05-10
2019-05-09
省部级项目
第一
2
基于热光电系统的太阳能电池研究
四川省教育厅项目
2014-03-26
2016-9-9
地厅级项目
第一
3
基于超材料的无线电力传输系统发射天线研究
四川省教育厅项目
2016-03-26
2018-03-26
地厅级项目
第二
4
基于压缩感知的OFDM时间同步技术研究
四川省教育厅项目
2015-01-01
2016-12-31
地厅级项目
第四
5
基于分布式天线协同感知的OFDM粗时间同步
四川省教育厅项目
2012-08-30
2016-12-31
地厅级项目
第四
6
基于新型电磁超介质的智能天线研究
西华大学
2013-11-11
2016-11-11
校级
第二
教学工作
主要承担《EDA技术》、《电磁场与波》及《现代数字信号处理》等多门研究生和本科生的教学工作，主持省级教改项目1项，成功申报通信工程专业和级省卓越工程师培养计划。
荣誉奖励
校级优秀教学奖1次
研究领域
研究方向
新型功率器件的应用；电能的存储和转换；电磁超材料在无线电力传输的应用研究。
近期论文
查看导师最新文章
（温馨提示：请注意重名现象，建议点开原文通过作者单位确认）
近年来以第一作者或通讯作者发表的部分论文
[1]X.M.Yang,T.Q.Li,Y.Cai,Q.X.Qiu,B.MaandC.J.Chen,“Anovelcontrollablecarrier-injectionmechanisminhighvoltagediodeforreducingswitchingloss,”IEICEElectronicsExpress,2014,vol.11,no.17,pp.1-8(SCI检索:000344925800004)
[2]X.M.Yang,T.Q.Li,andY.Cai,“HighVoltage(>1100V)SOILDMOSwithanAccumulatedChargesLayerforDoubleEnhancedDielectricElectricField,”IEICEElectronicsExpress,2013,vol.10,no.4,pp.1-6(SCI检索:000316989800011)
[3]B.Ma,X.M.Yang,T.Q.Li,andC.J.Chen,“Gainanddirectivityenhancementofmicrostripantennaloadedwithmultiplesplitsoctagon-shapedmetamaterialsuperstrate,”InternationalJournalofAppliedElectromagneticsandMechanics,2016,vol.50,no.4,pp.201-213(SCI检索:000368928700016,参与身份：通讯作者、导师)
[4]B.Ma,X.M.Yang,T.Q.Li,andC.J.Chen,“Gainenhancementoftransmittingantennaincorporatedwithdouble-cross-shapedelectromagneticmetamaterialforwirelesspowertransmission,”Optik,2016,vol.127,no.16,pp.6754-6762(SCI检索:000377734100063,参与身份：通讯作者、导师)
[5]X.M.Yang,andT.Q.Li,“Highvoltageburiedstep-dopingp+layersilicon-on-insulatorlateraldoublediffusedmosfet(SOILDMOSI)withaback-gate,”Int.J.Phys,2011,vol.6,no.22,pp.5281-5286
[6]X.M.Yang,Y.Cai,andT.Q.Li,“HighlyHeat-DissipatingandHigh-VoltageSOI-LDMOSPowerDevice,”2ndInternationalConferenceonEnergy,EnvironmentandSustainableDevelopment,EESD2012(EI检索:20130215879666)
[7]X.M.Yang,Y.Cai,andT.Q.Li,“AnewslopeSOI-LDMOShigh-voltagepowerdevice,”20123rdInternationalConferenceonInformationTechnologyforManufacturingSystems,ITMS2012,(EI检索:20130115849634)
[8]X.M.Yang,B.Zhang,andX.R.Luo,“DoubleenhancedielectriclayerelectricfieldhighvoltageSOILDMOS,”2011IEEEInternationalConferenceofElectronDevicesandSolid-StateCircuits,2011,(EI检索:20120414717777)
京公网安备 11010802027423号