个人简介
张希珍
副教授
教育背景
日本产业技术综合研究所博士后、访问研究员（2008-2012）
吉林大学理学博士（2002-2007）
吉林大学工学学士（1998-2002）代表性项目
(1)辽宁省博士启动基金,20170520082,超薄MOS电容模型
及测量方法研究,2017/09-2019/08，在研，主持。
(2)横向项目，技术开发（委托）合同，MOD材料在MOS
电容应用中的技术开发，2018/04-2019/04，在研，主持。
研究领域
小尺寸MOS电容模型及其测量方法；稀土发光材料；铁电
场存储器材料与器件；聚合物光波导器件
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(1)Erroranalysisandfrequencyselectionguidelinesfor
three-frequencycorrectioninMOScapacitors，Semicond.Sci.Technol.33115006,2018.(SCI)
(2)FrequencydispersionanalysisofthindielectricMOS
capacitorinafive-elementmodel,J.Phys.D:Appl.Phys.,51,055105,2018.（SCI）
(3)Frequencydispersionanalysisofparasiticparametersinthin
dielectricMOScapacitor,J.Nanosci.Nanotechnol.,18,7473–7478,2018.(SCI)
(4)Singlefrequencycorrectionbasedonthree-elementmodelfor
thindielectricMOScapacitor,Solid-StateElectron.,129,97-102,2017.（SCI）
(5)AnewMOScapacitancecorrectionmethodbasedon
five-elementmodelbycombiningdouble-frequencyC-Vand
I-Vmeasurements,IEEEElectronDeviceLett.,37,1328-1331,2016.（SCIEI）
(6)64kbFerroelectric-Gate-Transistor-Integrated
NAND-Flash-Memorywith7.5VProgramandLongData
Retention,JapaneseJournalofAppliedPhysics,51,04DD01,2012.（SCI）
(7)FeFETLogicCircuitsforOperatingA64kbFeNANDFlash
MemoryArray,IntegratedFerroelectrics,132,114-121,2012.（SCI）
(8)0.5VBit-Line-VoltageSelf-Boost-Programmingin
Ferroelectric-NANDFlashMemory,IEEEInternational
MemoryWorkshop,California,USA,pp.155-158，2011.（国
际会议）
(9)First64kbFerroelectric-NANDFlashMemoryArraywith
7.5VProgram,10
8EnduranceandLongDataRetention,ExtendedAbstractsofthe2011InternationalConferenceon
SolidStateDevicesandMaterials(SSDM),Nagoya,Japan,pp.975-976,2011.（国际会议）
(10)1.53μmphotoluminescencefromErYb(DBM)3MA
containingpolymer,AppliedPhysicsB,86,677-680,2007.（SCI）
(11)Er
3+
-Yb
3+co-dopedglasswaveguideamplifiersusingion
exchangeandfield-assistedannealing,OpticsCommunications,268,300-304,2006.（SCI）
(12)Fabricationof32×32ArrayedWaveguideGratingUsing
FluorinatedPolymers,ChinesePhysicsLetters,22,1955-1957,2005.（SCI）
(13)一种基于五元素模型的MOS电容测量方法，张希珍，陈
宝玖，于涛，中国专利，申请号201610522936.X，专利授权。
京公网安备 11010802027423号