汪礼胜 - 武汉理工大学

个人简介

二、教育背景与工作经历教育背景： 2011.09-2015.06，华中科技大学光学与电子信息学院博士 2003.09-2006.08，核工业西南物理研究院硕士 1995.09-1999.06，中国地质大学（武汉）数理学院学士工作经历： 2006.09-至今武汉理工大学理学院物理系讲师/副教授 2017.09-2018.08美国北卡大学夏洛特分校电子与计算机系访问学者 2005.11-2006.08核工业西南物理研究院工程师 1999.07-2003.08安徽工程大学助教四、教学研究长期从事大学物理、物理实验教学教研工作，承担和参与了多项教研项目，发表教研论文多篇。五、科学研究承担和参与了多项科研项目，在国际学术期刊上发表SCI论文20余篇

研究领域

（1）新型纳米金属-氧化物-半导体(MOS)器件建模与模拟；（2）高k栅介质/化合物半导体MOS器件与工艺；（3）新型高效太阳能电池。

近期论文

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1)L.S.Wang,J.P.Xu,L.Liu,H.H.Lu,P.T.Lai,andW.M.Tang,InterfacialandelectricalpropertiesofInGaAsmetal-oxide-semiconductorcapacitorwithTiON/TaONmultilayercompositegatedielectric.AppliedPhysicsLetters,2015,106(12):123504. 2)Li-ShengWang,Jing-PingXu,LuLiu,Han-HanLu,Pui-ToLai,andWing-ManTang,Plasma-nitridedGa2O3(Gd2O3)asinterfacialpassivationlayerforInGaAsmetal-oxide-semiconductorcapacitorwithHfTiONgatedielectric.IEEETransactionsonElectronDevices,2015,62(4):1235-1240. 3)Li-ShengWang,Jing-PingXu,LuLiu,YuanHuang,Han-HanLu,Pui-ToLai,andWing-ManTang,InfluencesofremoteCoulombandinterface-roughnessscatteringsonelectronmobilityofInGaAsnMOSFETwithhigh-kstackedgatedielectric.IEEETransactionsonNanotechnology,2015,14(5):854-861. 4)Li-ShengWang,Jing-PingXu,LuLiu,Wing-ManTang,Pui-ToLai,NitridedHfTiON/Ga2O3(Gd2O3)asstackedgatedielectricforGaAsMOSapplications.AppliedPhysicsExpress,2014,7(6):061201. 5)Li-ShengWang,LuLiu,Jing-PingXu,Shu-YanZhu,YuanHuang,andPui-ToLai,ElectricalpropertiesofHfTiONgate-dielectricGaAsmetal-oxide-semiconductorcapacitorwithAlONasinterlayer.IEEETransactionsonElectronDevices,2014,61(3):742-746. 6)L.S.Wang,J.P.Xu,S.Y.Zhu,Y.Huang,P.T.Lai,ImprovedinterfacialandelectricalpropertiesofGaAsmetal-oxide-semiconductorcapacitorswithHfTiONasgatedielectricandTaONaspassivationinterlayer,Appl.Phys.Lett.2013,103(9):092901.