个人简介
邢琨，男，1988年生，博士，副教授，硕士生导师
通信地址：安徽省合肥市屯溪路193号，合肥工业大学电子科学与应用物理学院
邮箱:k.xing@hfut.edu.cn
学习工作经历：
2007年9月-2010年7月：英国谢菲尔德大学，电子电气工程学院，本科
2010年7月-2014年7月：英国谢菲尔德大学，英国国家III-V族半导体研发中心，博士
2014年8月-2016年10月：英国谢菲尔德大学，英国国家III-V族半导体研发中心，博士后
2016年11月-至今：合肥工业大学，电子科学与应用物理学院，副教授
本科主讲课程：
《SemiconductorOptoelectronics》(英文教学课程)
科学研究：
长期从事宽禁带半导体材料的MOCVD外延和相关光电器件微纳制程工艺的研究工作。承担多项由英国工程和自然研究委员会(EPSRC)拨款的国家级重点科研项目；目前主持2项III族氮化物半导体相关横向课题项目，推进科研成果的有效转化。迄今，已在《AppliedPhysicsLetters》、《AppliedPhysicsExpress》等SCI二区学术期刊以第一和通讯作者发表多篇学术论文，并获得已授权中国专利1项.1、低位错密度III族氮化物材料的MOCVD外延开发
2、氮化镓基紫外光(UVA-UVC)、蓝光和绿光LED的外延及制程工艺
3、半极性面氮化镓基高效黄光LED的制备
研究领域
宽禁带半导体材料的MOCVD外延和相关光电器件微纳制程工艺
近期论文
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1、K.Xing,C.Tseng,L.Wang,P.Chi,J.Wang,P.Chen,andH.Liang,“Semi-polar(11-22)GaNepitaxialfilmswithsignificantlyreduceddefectdensitiesgrownonm-planesapphireusingasequenceoftwoinsituSiNxinterlayers”,Appl.Phys.Lett.114,131105(2019).
2、K.Xing,S.Chen,X.Tao,C.Lee,J.Wang,Q.Xu,andH.Liang,“Impactof3DgrowthandSiNxinterlayeronthequalityof(11-22)semi-polarGaNgrownonm-planesapphire”,Appl.Phys.Express12,115501(2019).
3、K.Xing,J.Wang,L.Wang,X.Tao,S.Chen,andH.Liang,“EpitaxialGaNfilmswithultralowthreadingdislocationdensitiesgrownonanSiO2-maskedpatternedsapphiresubstrate”,Appl.Phys.Express12,105501(2019).
4、J.Bai,F.Guzman,K.Xing,Y.Gong,Y.Hou,andT.Wang,“(11-22)semi-polarInGaNemittersfromgreentoamberonovergrownGaNonmicro-rodtemplates”,Appl.Phys.Lett.107,261103(2015).
5、Y.Gong,K.Xing,B.Xu,andT.Wang,HighefficiencyGreen-yellowemissionfromInGaN/GaNquantumwellstructuresgrownonovergrownsemi-polar(11-22)GaNonregularlyarrayedmicro-rodtemplates,ECSTransactions66,151-155(2015).
6、K.Xing,Y.Gong,X.Yu,J.Bai,andT.Wang,“Improvedcrystalqualityof(11-22)semi-polarGaNgrownonanano-rodtemplate”,Jpn.J.Appl.Phys.52,08JC03(2013).
7、J.Bai,Y.Gong,K.Xing,X.Yu,andT.Wang,“Efficientreductionofdefectsin(11-20)non-polarand(11-22)semi-polarGaNgrownonnano-rodtemplates”,Appl.Phys.Lett.102,101906(2013).
8、Y.Gong,K.Xing,andT.Wang,“OpticalgaininAlGaN/AlGaNmultiplequantumwellsgrownonhightemperatureAlNmultiplebuffers”,Phys.StatusSolidi8,7-8(2011).
9、K.Xing,Y.Gong,J.Bai,andT.Wang,“InGaN/GaNquantumwellstructureswithgreatlyenhancedperformanceona-planeGaNgrownusingself-organizednano-masks”,Appl.Phys.Lett.99,181907(2011).
10、Y.Gong,K.Xing,andT.Wang,“InfluenceofhightemperatureAlNbufferonopticalgaininAlGaN/AlGaNmultiplequantumwellstructures”,Appl.Phys.Lett.99,171912(2011).
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