当前位置: X-MOL首页全球导师 国内导师 › 马晓玉

个人简介

教育背景 2014至今 暨南大学 信息科学技术学院 计算机应用技术 攻读博士 2004/09 - 2006/06 暨南大学 通信与信息系统专业 硕士 2000/09 - 2004/06 长春大学 计算机科学与技术专业 会计学专业 双学士 工作经历 2007/01 - 2010/12 暨南大学信息科学技术学院 电子工程系 助理实验师 2011/01 - 2017/09 暨南大学信息科学技术学院 电子工程系 实验师 2017/10至今 暨南大学信息科学技术学院 电子工程系 高级实验师

研究领域

智能系统的集成电路与器件,器件模型,数模混合电路

近期论文

查看导师新发文章 (温馨提示:请注意重名现象,建议点开原文通过作者单位确认)

[1] Xiaoyu Ma, Junkai Huang, Jielin Fang, Wanling Deng . A compact model of the reverse gate-leakage current in GaN-based HEMTs. Solid-State Electronics, 2016, 126: 10-13. ( SCI收录 ) [2] Xiaoyu Ma, Songlin Chen, Wanling Deng, and Junkai Huang. Modeling of I-V characteristics in symmetric double-gate polysilicon thin-film transistors, AIP Advances,2017,6(7) : 065201. ( SCI收录 ) [3] Ma Xiaoyu, Deng Wanling, Huang Junkai. Explicit solution of channel potential and drain current model in symmetric double-gate polysilicon TFTs, Journal of Semiconductors, 2014,35(3): 032002. (EI收录) [4] Xiaoyu Ma, Fei Yu, Wanling Deng , Junkai Huang. Physics-based Modeling of Gate-leakage Current in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors. the 23rd International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices -TFT Technologies and FPD Materials- (AM-FPD ’16). Kyoto, Japan: July 2016:157-159. (EI收录) [5] Xiaoyu Ma, Wanling Deng, Junkai Huang. Explicit approximation of surface potential for fully-depleted polysilicon thin-film transistors. International Workshop on Junction Technology (IWJT 2012 ). Shanghai, China: May 2012:164-167. [6] 马晓玉,邓婉玲,黄伟英,黄君凯.多维结构实践教学模式在电子信息类专业的实践. 实验室研究与探索.Vol.31,No.8, P364-366. 2012年8月.

推荐链接
down
wechat
bug