杨恢东 - 暨南大学 - 信息科学技术学院/网络空间安全学院

个人简介

本科：1985.9-1989.6，武汉大学物理系半导体专业，学士学位。硕士：1989.9-1992.6，武汉大学物理系半导体专业，学士学位。博士：2000.9-2003.6，南开大学光电子所微电子学与固体电子学专业，博士学位

研究领域

主要从事纳米半导体材料、纳米磁性多层膜、薄膜半导体光电子材料与器件、有机发光显示驱动以及集成电路设计等领域研究工作

近期论文

查看导师新发文章（温馨提示：请注意重名现象，建议点开原文通过作者单位确认）

非晶硅/微晶硅过渡区材料的PECVD法制备与特性研究，第十届中国太阳能光伏会议论文集，浙江大学出版社，2008，363-367。柔性衬底上a-SiNx:H绝缘介质薄膜的制备与特性研究，第十届中国太阳能光伏会议论文集，浙江大学出版社，2008，396-399。掺杂浓度对P型c-Si:H材料特性的影响，第十届中国太阳能光伏会议论文集，浙江大学出版社，2008，494-497。微晶硅薄膜VHF-PECVD法制备中等离子体功率的调制作用，光电子激光，2007，18（5）：558-563(EI收录)。 ubstrate effect on hydrogenated microcrystalline silicon films deposited with VHF-PECVD technique，金属学报（英文版），2006，19(4):295-300 (EI收录)。 Role of hydrogen in hydrogenated microcrystalline silicon film and in deposition process with VHF-PECVD technique，Chinese Physics，2006，15(6):1374-1378(SCI收录）。衬底温度对微晶硅薄膜沉积与结构特性的影响，光电子激光，2005，15（6）：646-649（EI收录）。 Influence of substrate temperature on the deposition and structural properties of mc-Si:H thin films fabricated with VHF-PECVD,Opto-Electronics Letters,2005，1(1):0021-0023。弱硼掺杂补偿对对氢化微晶硅薄膜制备与特性的影响，半导体学报，2005，26（6）：1164-1168（EI收录）。 Structural properties investigation on microcrystalline silicon films deposited with VHF-PECVD technique,金属学报（英文版），2005，18（3）：223-227（EI收录）。 Optical emission spectroscopy (OES) investigation on VHF plasma and its glow discharge mechanism during the mc-Si:H film deposition, Thin Solid Films（SCI收录）. 2005,472(1-2):125-129。 VHF-PECVD法高速率沉积氢化微晶硅薄膜,太阳能学报，2004，（2）： (EI收录)。 Investigation on the oxygen contamination during the deposition of μC-Si:H thin film by VHF-PECVD, 太阳能学报(增刊),2003,: 5-8（EI收录）。薄膜a-Si PIN/OLED图像传感显示器的设计与模拟，半导体学报，2002，23（8）：846-851（EI收录）。 Fabrication of Hydrogenated Microcrystalline Silicon Thin Films at Low Temperature by VHF-PECVD，半导体学报,2002, 23(9):902-908(9)(EI收录)。 High growth-rate deposition of c-Si:H thin film at low temperature with VHF-PECVD, International Journal of modern Physics B,2002,16(28 & 29):4259-4262(SCI收录，ISTP收录)。 Investigation on Glow Discharge Dynamic Mechanism of VHF-PECVD To Prepare Microcrystalline Silicon Thin Film, International Journal of modern Physics B,2002， 16(28 & 29):4475-4478 (SCI收录，ISTP收录)。 VHF等离子体光发射谱（OES）的在线监测，物理学报，2003, 52(9) :2324-2330(SCI收录，EI收录)。 Investigation on the role of oxygen in μc-Si:H thin film and its deposition process with VHF-PECVD。Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 2002, p 1262-1265（EI收录，ISTP收录）。 Investigation on the role of oxygen in μc-Si: H thin film deposited with VHF-PECVD， Proceddings of the 3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, 2003, p 1647-1650（EI收录，ISTP收录）。"