个人简介
王笑乙博士于2010年获得成都信息工程大学光电技术学院本科学位，并于2013年获得瑞典理工学院硕士学位。同年加入英国谢菲尔德大学半导体材料与器件组，并于2018年取得博士学位。2018年11月，王笑乙博士正式加入西南民族大学电气信息工程学院，任职讲师。我的研究兴趣与研究方向为：1）宽禁带半导体的微结构物理，2）电子显微镜方法论。主要通过透射电子显微技术对宽禁带半导体及其纳米结构进行材料缺陷及相关能带结构的超高空间分辨率研究。本人已发表SCI/EI收录期刊发表6篇论文，其中以第一作者身份发表3篇电子显微镜方法论文章，与其博士期间导师合作发表于journalofmaterialsresearch上的InGaN微结构物理文章，更被氮化物领域内国际知名权威TheodoreDMoustakas在researchgate上广泛推荐。与国内外诸多知名高校与研究机构合作密切。本人在博士期间已获得英国皇家显微镜协会会员，英国物理协会会员，欧洲显微镜协会会员资格。并拥有多次国际会议经历。
研究领域
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研究兴趣与研究方向为：1）宽禁带半导体的微结构物理，2）电子显微镜方法论
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