摘要 通过高分辨率大角度环形暗场扫描透射电子显微镜 (HAADF-STEM) 研究了用于制造单片集成 X 射线探测器的硅柱上生长的 Ge 微晶中晶界的原子结构。在 Ge 中发现了三种不同的边界：Σ 3 { 111 } 相干孪晶边界、Σ 3 { 112 } 非相干孪晶边界以及 Σ 9 { 122 } 和 Σ 27 { 552 } 晶界。它们使用包含单柱的结构单元模型进行描述。值得注意的是，我们首次发现了具有两种不同原子结构的 Σ 3 { 112 } 非相干孪晶边界；一个对称，一个不对称。它们的共存可以通过边界平面中的一个小台阶和位错的引入来解释。同样地，还揭示了由孪晶界相互作用形成的结的原子结构，导致 Σ 9 { 122 } 和 Σ 27 { 552 } 晶界。几何相位分析用于绘制两个三重连接处的应变场并揭示位错的位置。



"点击查看英文标题和摘要"