当前位置：
X-MOL 学术
›
Nano Lett.
›
论文详情
Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your
feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
Two-Dimensional Flexible High Diffusive Spin Circuits
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2019-01-11 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b03520 I. G. Serrano 1 , J. Panda 1 , Fernand Denoel 1 , Örjan Vallin 2 , Dibya Phuyal 1 , Olof Karis 1 , M. Venkata Kamalakar 1
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2019-01-11 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b03520 I. G. Serrano 1 , J. Panda 1 , Fernand Denoel 1 , Örjan Vallin 2 , Dibya Phuyal 1 , Olof Karis 1 , M. Venkata Kamalakar 1
Affiliation
|
Owing to their unprecedented electronic properties, graphene and two-dimensional (2D) crystals have brought fresh opportunities for advances in planar spintronic devices. Graphene is an ideal medium for spin transport while being an exceptionally resilient material for flexible nanoelectronics. However, these extraordinary traits have never been combined to create flexible graphene spin circuits. Realizing such circuits could lead to bendable strain-spin sensors, as well as a unique platform to explore pure spin current based operations and low-power 2D flexible nanoelectronics. Here, we demonstrate graphene spin circuits on flexible substrates for the first time. Despite the rough topography of the flexible substrates, these circuits prepared with chemical vapor deposited monolayer graphene reveal an efficient room temperature spin transport with distinctively large spin diffusion coefficients ∼0.2 m2 s–1. Compared to earlier graphene devices on Si/SiO2 substrates, such values are up to 20 times larger, leading to one order higher spin signals and an enhanced spin diffusion length ∼10 μm in graphene-based nonlocal spin valves fabricated using industry standard systems. This high performance arising out of a characteristic substrate terrain shows promise of a scalable and flexible platform towards flexible 2D spintronics. Our innovation is a key step for the exploration of strain-dependent 2D spin phenomena and paves the way for flexible graphene spin memory–logic units and planar spin sensors.
中文翻译：
二维柔性高扩散自旋电路
由于其前所未有的电子性能，石墨烯和二维（2D）晶体为平面自旋电子器件的发展带来了新的机遇。石墨烯是用于自旋传输的理想介质，同时又是用于柔性纳米电子学的非凡弹性材料。但是，从未将这些非凡的特性组合起来以创建灵活的石墨烯自旋电路。实现这样的电路可能会导致可弯曲的应变自旋传感器，以及探索基于纯自旋电流的操作和低功耗2D柔性纳米电子技术的独特平台。在这里，我们首次展示了在柔性基板上的石墨烯自旋电路。尽管柔性基板的外形很粗糙，2 s –1。与在Si / SiO 2衬底上的早期石墨烯器件相比，该值大20倍，从而导致在使用工业标准系统制造的基于石墨烯的非局部自旋阀中，自旋信号提高一阶，自旋扩散长度增加至10μm。由于具有特色的基板地形而产生的这种高性能表明了向灵活的2D自旋电子学提供可扩展且灵活的平台的希望。我们的创新是探索与应变相关的2D自旋现象的关键步骤，并为柔性石墨烯自旋存储器-逻辑单元和平面自旋传感器铺平了道路。
更新日期：2019-01-11
中文翻译：
二维柔性高扩散自旋电路
由于其前所未有的电子性能，石墨烯和二维（2D）晶体为平面自旋电子器件的发展带来了新的机遇。石墨烯是用于自旋传输的理想介质，同时又是用于柔性纳米电子学的非凡弹性材料。但是，从未将这些非凡的特性组合起来以创建灵活的石墨烯自旋电路。实现这样的电路可能会导致可弯曲的应变自旋传感器，以及探索基于纯自旋电流的操作和低功耗2D柔性纳米电子技术的独特平台。在这里，我们首次展示了在柔性基板上的石墨烯自旋电路。尽管柔性基板的外形很粗糙，2 s –1。与在Si / SiO 2衬底上的早期石墨烯器件相比，该值大20倍，从而导致在使用工业标准系统制造的基于石墨烯的非局部自旋阀中，自旋信号提高一阶，自旋扩散长度增加至10μm。由于具有特色的基板地形而产生的这种高性能表明了向灵活的2D自旋电子学提供可扩展且灵活的平台的希望。我们的创新是探索与应变相关的2D自旋现象的关键步骤，并为柔性石墨烯自旋存储器-逻辑单元和平面自旋传感器铺平了道路。
京公网安备 11010802027423号