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通过几层MoS2顶表面的可逆和选择性离子嵌入。
Nature Communications ( IF 14.7 ) Pub Date : 2018-12-11 , DOI: 10.1038/s41467-018-07710-z Jinsong Zhang , Ankun Yang , Xi Wu , Jorik van de Groep , Peizhe Tang , Shaorui Li , Bofei Liu , Feifei Shi , Jiayu Wan , Qitong Li , Yongming Sun , Zhiyi Lu , Xueli Zheng , Guangmin Zhou , Chun-Lan Wu , Shou-Cheng Zhang , Mark L. Brongersma , Jia Li , Yi Cui
Nature Communications ( IF 14.7 ) Pub Date : 2018-12-11 , DOI: 10.1038/s41467-018-07710-z Jinsong Zhang , Ankun Yang , Xi Wu , Jorik van de Groep , Peizhe Tang , Shaorui Li , Bofei Liu , Feifei Shi , Jiayu Wan , Qitong Li , Yongming Sun , Zhiyi Lu , Xueli Zheng , Guangmin Zhou , Chun-Lan Wu , Shou-Cheng Zhang , Mark L. Brongersma , Jia Li , Yi Cui
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将离子电化学插入二维（2D）层状材料的范德华间隙中是一种有前途的低温合成策略，可调节其物理和化学性质。人们普遍认为，离子更喜欢通过2D薄片的边缘插入范德华间隙中，这通常会导致起皱和变形。在这里，我们证明了离子也可以穿过几层MoS 2的上表面进行插入，与通过边缘进行的插入相比，这种类型的插入更具可逆性和稳定性。密度泛函理论计算表明，这种剥落是由剥落的MoS 2薄片中自然缺陷的存在引起的。此外，我们揭示了密封边缘的MoS 2允许插入较小的碱金属离子（例如Li +和Na +）并排斥较大的离子（例如K +）。这些发现暗示了在开发具有高可调性和离子选择性的基于功能性2D材料的设备中的潜在应用。
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更新日期：2018-12-11
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