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基于界面的 BiFeO3 薄膜降低矫顽力和漏电流:比较研究
Materials & Design ( IF 7.6 ) Pub Date : 2018-12-01 , DOI: 10.1016/j.matdes.2018.10.044 Monika Tomczyk , Amit Mahajan , Alexander Tkach , Paula M. Vilarinho
Materials & Design ( IF 7.6 ) Pub Date : 2018-12-01 , DOI: 10.1016/j.matdes.2018.10.044 Monika Tomczyk , Amit Mahajan , Alexander Tkach , Paula M. Vilarinho
摘要 通过低成本的可扩展化学溶液沉积 (CSD) 获得高质量的 BiFeO3 薄膜仍然具有挑战性并且目前具有相关性。在这里,我们提供了一套全面的实验证据,证明金属(Pt)和氧化物(IrO2 和 LaNiO3)电极界面对 CSD 衍生的 BiFeO3 薄膜的纹理发展和功能特性改善的作用。所有 BiFeO3 薄膜均由柱状晶粒组成,其横向尺寸取决于底部电极/界面。虽然在 (111) 取向的 Pt 上制造的 320 nm 厚薄膜没有观察到纹理,但氧化物电极上的薄膜,特别是在无纹理的 LaNiO3 上,高度 (012) 取向。此外,LaNiO3 上 400 nm 厚的 BiFeO3 薄膜具有大的剩余极化 50 μC/cm2,150 kV/cm 的小矫顽场和室温下~4 × 10−6 A/cm2 的低漏电流密度。相比之下,其他电极上的 BiFeO3 薄膜显示出具有高漏电流的极化滞后现象,随着薄膜厚度的减小而增加。我们证明了 LaNiO3 界面增强了 BiFeO3 薄膜的结晶度和取向,这反映在其功能特性的优化上。我们主张除了需要单相薄膜外,氧化物电极及其界面对开发由 CSD 和衍生器件制造的高质量 BiFeO3 薄膜也有相关作用。我们证明了 LaNiO3 界面增强了 BiFeO3 薄膜的结晶度和取向,这反映在其功能特性的优化上。我们主张除了需要单相薄膜外,氧化物电极及其界面对开发由 CSD 和衍生器件制造的高质量 BiFeO3 薄膜也有相关作用。我们证明了 LaNiO3 界面增强了 BiFeO3 薄膜的结晶度和取向,这反映在其功能特性的优化上。我们主张除了需要单相薄膜外,氧化物电极及其界面对开发由 CSD 和衍生器件制造的高质量 BiFeO3 薄膜也有相关作用。
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更新日期:2018-12-01
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